-
公开(公告)号：CN112666229A
公开(公告)日：2021-04-16
申请号：CN202011464478.1
申请日：2020-12-14
申请人： 深圳华中科技大学研究院 , 华中科技大学
IPC分类号： G01N27/12
摘要： 本发明公开了一种场效应管氢气传感器及其制备方法，属于气体传感器领域。主要特点是将氢气敏感薄膜与场效应晶体管进行集成，利用场效应管将氢气敏感薄膜与氢气作用发生的物理化学变化转化为电信号，放大实现对低浓度氢气的检测。本发明的氢气传感器具有功耗低、灵敏度高和易于集成的特点。
-
公开(公告)号：CN108502927B
公开(公告)日：2019-09-24
申请号：CN201810535204.3
申请日：2018-05-29
申请人： 华中科技大学 , 深圳华中科技大学研究院
摘要： 本发明公开了一种铯铋溴钙钛矿纳米片的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)将溴化铋与油酸、油胺、1‑十八烯四者混合形成混合物，接着，在持续抽真空的条件下，将该混合物加热至100‑120℃，并维持60‑120min，得到含有溴化铋的混合溶液；(2)向含有溴化铋的混合溶液充入氮气，并将温度升至170‑180℃，然后注入油酸铯溶液，反应时间维持5‑60s，即可得到包括Cs3Bi2Br9钙钛矿纳米片在内的反应产物。本发明通过对该制备方法整体的工艺流程设置、关键参数条件进行改进，能够有效解决纳米片制备方法复杂、成本高的问题，是全新溶液法工艺、低成本制备纳米片的方法，并且制备得到的纳米片具有高度结晶性、极好的稳定性、良好的光学特性等特点。
-
公开(公告)号：CN108502927A
公开(公告)日：2018-09-07
申请号：CN201810535204.3
申请日：2018-05-29
申请人： 华中科技大学 , 深圳华中科技大学研究院
摘要： 本发明公开了一种铯铋溴钙钛矿纳米片的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)将溴化铋与油酸、油胺、1-十八烯四者混合形成混合物，接着，在持续抽真空的条件下，将该混合物加热至100-120℃，并维持60-120min，得到含有溴化铋的混合溶液；(2)向含有溴化铋的混合溶液充入氮气，并将温度升至170-180℃，然后注入油酸铯溶液，反应时间维持5-60s，即可得到包括Cs3Bi2Br9钙钛矿纳米片在内的反应产物。本发明通过对该制备方法整体的工艺流程设置、关键参数条件进行改进，能够有效解决纳米片制备方法复杂、成本高的问题，是全新溶液法工艺、低成本制备纳米片的方法，并且制备得到的纳米片具有高度结晶性、极好的稳定性、良好的光学特性等特点。
-
公开(公告)号：CN108485648B
公开(公告)日：2020-12-08
申请号：CN201810277914.0
申请日：2018-03-30
申请人： 深圳华中科技大学研究院 , 华中科技大学
摘要： 本发明属于化合物半导体纳米材料制备技术领域，更具体地，涉及一种油溶性硫化锌量子点及其制备方法。本发明提供的油溶性硫化锌量子点，粒径可以小于2nm，吸收峰位于深紫外区，而且吸收峰异常尖锐，表明尺寸非常均匀。本发明提供的一种油溶性硫化锌量子点的制备方法操作过程简单，制备过程对环境要求不高，所需设备及原材料成本低。
-
公开(公告)号：CN108447915B
公开(公告)日：2020-11-24
申请号：CN201810174504.3
申请日：2018-03-02
申请人： 华中科技大学 , 深圳华中科技大学研究院
IPC分类号： H01L29/786 , H01L29/22 , H01L29/24 , H01L29/06 , H01L21/34 , G01N27/414
摘要： 本发明公开了一种薄膜场效应晶体管(TFT)型气体传感器及其制备方法，其中该传感器为底栅顶接触式结构或底栅底接触式结构的薄膜场效应晶体管；以底栅顶接触式结构的薄膜场效应晶体管为例，该晶体管自下而上包括衬底、栅极绝缘层、沟道有源层，沟道有源层为量子点薄膜，其上方沉积有源电极和漏电极；衬底还引出有栅电极。本发明通过对薄膜场效应晶体管型气体传感器其内部组成及结构、相应制备方法的整体工艺及各个步骤的参数进行改进，以量子点薄膜同时作为沟道有源层和气体敏感层，利用栅极偏压的调控综合多参数的气体响应，制备出高灵敏、低功耗和高选择性气体传感器，达到检测低浓度目标气体如NO2、H2S的效果。
-
公开(公告)号：CN108485648A
公开(公告)日：2018-09-04
申请号：CN201810277914.0
申请日：2018-03-30
申请人： 深圳华中科技大学研究院 , 华中科技大学
摘要： 本发明属于化合物半导体纳米材料制备技术领域，更具体地，涉及一种油溶性硫化锌量子点及其制备方法。本发明提供的油溶性硫化锌量子点，粒径可以小于2nm，吸收峰位于深紫外区，而且吸收峰异常尖锐，表明尺寸非常均匀。本发明提供的一种油溶性硫化锌量子点的制备方法操作过程简单，制备过程对环境要求不高，所需设备及原材料成本低。
-
公开(公告)号：CN117805193A
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN202311813666.4
申请日：2023-12-26
申请人： 华中科技大学 , 深圳华中科技大学研究院
摘要： 本发明提供一种呼气检测方法及装置，方法包括：设置气体质量流量计的测试流速和测试时间段；通过微型真空泵抽取背景气体和预采集的待测呼气样本，经干燥处理和控制流速后分别输入至进样口；基线稳定时间段内，三通阀闭合，待测气体气路闭合，背景气体气路开启，检测气体检测阵列的电阻的第一变化曲线；响应测试时间段内，三通阀开启，待测气体气路开启，背景气体气路关闭，检测电阻的第二变化曲线；恢复基线时间段内，三通阀闭合，待测气体气路闭合，背景气体气路开启，检测电阻的第三变化曲线；基于第一、第二和第三变化曲线，确定待测呼气样本的呼气曲线；基于不同的呼气曲线，确定不同待测呼气样本对应的个体的健康状态。
-
公开(公告)号：CN108444927B
公开(公告)日：2020-01-21
申请号：CN201810200969.1
申请日：2018-03-12
申请人： 华中科技大学 , 深圳华中科技大学研究院
摘要： 本发明公开了一种光谱分析芯片及其制备方法，该光谱分析芯片从下至上依次包括硅衬底层、量子点光敏薄膜、以及光学天线，其中，光学天线是由金属纳米结构周期性排列得到的阵列；该光谱分析芯片还包括至少一对与量子点光敏薄膜接触的金属电极构成光电探测器。探测芯片制备分三步：制备光学天线；制备量子点光敏薄膜；制作电极完成芯片制备。本发明利用金属纳米结构与量子点光敏薄膜之间的协同配合，利用光学天线的滤波和光场增强功能以及量子点的量子限域效应，对量子点光敏薄膜的光电响应进行波长调制和增敏，实现高灵敏、窄通带、可调谐的光电探测器单元，集成制备得到高灵敏光谱分析芯片。
-
公开(公告)号：CN108538953A
公开(公告)日：2018-09-14
申请号：CN201810277619.5
申请日：2018-03-30
申请人： 深圳华中科技大学研究院 , 华中科技大学
IPC分类号： H01L31/09 , H01L31/0296 , H01L31/0352 , H01L31/18 , C09K11/56
摘要： 本发明属于日盲紫外探测技术领域，更具体地，涉及一种基于硫化锌量子点的日盲紫外探测器及其制备方法。其包括对金属电极，所述对金属电极之间的距离为2～300μm，所述对金属电极之间为硫化锌量子点薄膜；所述硫化锌量子点薄膜厚度为50～200nm，所述硫化锌量子点薄膜采用的硫化锌量子点为激子吸收峰小于280nm的胶体量子点；所述硫化锌量子点为长链羧酸包覆的硫化锌量子点所述硫化锌量子薄膜为经过配体交换的电学耦合的薄膜，量子点薄膜与金属电极形成良好的电学连接。
-
公开(公告)号：CN107170849A
公开(公告)日：2017-09-15
申请号：CN201710308855.4
申请日：2017-05-04
申请人： 华中科技大学 , 深圳华中科技大学研究院
IPC分类号： H01L31/0352 , H01L31/09
CPC分类号： H01L31/035218 , H01L31/09
摘要： 本发明公开了一种基于胶体量子点的条型超表面结构偏振相关窄带探测器及其制备方法，包括如下步骤：向玻璃板上生长一层硅；旋涂光刻胶；转移条形阵列结构进行显影处理；去胶处理；旋涂量子点；通过电子束蒸发设备蒸镀一层金。本发明利用条形阵列结构对短波红外特定波长的谐振作用，实现对特定波长光的全吸收，通过调节条形阵列结构的几何结构参数来控制光学吸收，实现了特定波长可调，实现可见光到红外光的吸收，且具有偏振相关性，进而胶体量子点材料制成探测器。该制备方法简易，响应迅速，可操作性强，具有广泛的应用前景。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
244 条记录 (耗时 0.167 秒)
