公开(公告)号：CN108628035A

公开(公告)日：2018-10-09

申请号：CN201810218423.9

申请日：2018-03-16

Applicant: 三星显示有限公司

Inventor： 李熙根 ,  孔兑辰 ,  金勋 ,  朴根佑

IPC: G02F1/13357

CPC classification number: H01L33/502 ,  G02F1/133512 ,  G02F1/1336 ,  G02F1/133617 ,  G02F2001/133614 ,  G02F2202/36 ,  G09G3/3413 ,  G09G3/3607 ,  H01L27/322 ,  H01L27/3272 ,  H01L31/035218

Abstract: 本发明涉及一种光致发光设备。该光致发光设备包括基底基板、第一颜色转换图案以及封盖层，第一颜色转换图案布置在基底基板上并且具有颜色转换材料，其中第一停止图案形成在第一颜色转换图案上，封盖层布置在第一颜色转换图案上用于封盖第一颜色转换图案，其中在俯视图中与第一颜色转换图案重叠的第一孔穿过封盖层而形成。第一停止图案在俯视图中与第一孔相邻布置。

公开(公告)号：CN105353555B

公开(公告)日：2018-08-14

申请号：CN201510897061.7

申请日：2015-12-08

Applicant: 深圳市华星光电技术有限公司

Inventor： 张霞

IPC: G02F1/1335

CPC classification number: G02F1/133516 ,  B29D11/00788 ,  B29D11/00865 ,  B41M3/003 ,  B82Y30/00 ,  C01B32/186 ,  C01B32/194 ,  C23C16/26 ,  C23C18/1295 ,  C23C18/14 ,  G02B5/201 ,  G02B5/223 ,  G02F1/1335 ,  G02F1/133512 ,  G02F1/133606 ,  G02F1/133617 ,  G02F2001/01791 ,  G02F2001/133614 ,  G02F2001/133622 ,  G02F2001/136222 ,  G02F2202/36 ,  G02F2202/38 ,  H01J2329/326 ,  H01L31/035218 ,  H01L33/06 ,  H01L51/502

Abstract: 本发明提供一种量子点彩膜基板的制作方法，将红、绿量子点分别调配成红、绿色量子点油墨，并通过喷墨打印的方式成型，得到彩色滤光层，可以提高显示器的亮度和色彩饱和度；同时，红、绿色量子点油墨中至少有一种为环氧胶体系的油墨，在环氧胶体系的油墨未固化时，在其上形成一层石墨烯导电层作为电极，可使石墨烯导电层与彩色滤光层的附着力得到较大提升，另外采用石墨烯取代ITO作为导电层，可缓和目前ITO资源少、价格走高问题，且石墨烯电导率、穿透率高，使TFT‑LCD画面优质显示得到保证，面板整机薄化、轻量化得以实现，这种设计有助于提升电导率及整合效益，在曲面市场也有着非常大的应用前景。

公开(公告)号：CN107785459A

公开(公告)日：2018-03-09

申请号：CN201711038218.6

申请日：2017-10-30

Applicant: 河南理工大学

Inventor： 闫玲玲 ,  蔡红新 ,  陈亮 ,  王永强 ,  杨鹏

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0352

CPC classification number: Y02P70/521 ,  H01L31/1828 ,  H01L31/035218

Abstract: 本发明提供了一种硫化镉量子点/硅纳米孔柱太阳能电池及其制备方法，涉及太阳能电池技术领域，该硫化镉量子点/硅纳米孔柱太阳能电池的制备方法包括用连续离子层吸附反应法在纳米孔柱硅片表面制备Cu和In掺杂的硫化镉量子点的步骤。利用该方法能够缓解现有技术的硫化镉/硅太阳能电池转换效率低的技术问题，达到提高太阳能电池的转换效率。

公开(公告)号：CN107534066A

公开(公告)日：2018-01-02

申请号：CN201680012278.8

申请日：2016-02-29

Applicant: 密歇根大学董事会

Inventor： 史蒂芬·R·福里斯特 ,  李圭相

IPC: H01L31/0232 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/043 ,  H01L31/0687 ,  H01L31/0725 ,  H01L31/076 ,  H01L31/101 ,  H01L51/44 ,  H01L27/30

CPC classification number: H01L51/4246 ,  H01L27/302 ,  H01L31/02327 ,  H01L31/035209 ,  H01L31/035218 ,  H01L31/043 ,  H01L31/0547 ,  H01L31/0687 ,  H01L31/0725 ,  H01L31/076 ,  H01L31/078 ,  H01L31/1013 ,  H01L51/0046 ,  H01L51/0047 ,  H01L51/447 ,  Y02E10/52 ,  Y02E10/544 ,  Y02E10/548 ,  Y02E10/549

Abstract: 本发明提供一种制造多结光敏器件的方法。所述方法可包括：制造至少两个光活性层，其中至少一个光活性层被制造在透明基板上，并且至少一个光活性层被制造在反射基板上；在透明基板上制造的至少一个光活性层上图案化至少一个光学滤波器层；以及使用冷焊或范德华键合来结合至少两个光活性层。本发明也提供了一种多结光敏器件。所述器件可以具有至少两个光活性层和至少一个光学滤波器层，其中使用冷焊或范德华键合来结合至少两层。所述光学滤波器层可以是分布式布拉格反射器。

公开(公告)号：CN107170849A

公开(公告)日：2017-09-15

申请号：CN201710308855.4

申请日：2017-05-04

Applicant: 华中科技大学 ,  深圳华中科技大学研究院

Inventor： 易飞 ,  刘欢 ,  郭颂 ,  谈小超 ,  杨奥 ,  李君宇 ,  蒋顺 ,  周仑

IPC: H01L31/0352 ,  H01L31/09

CPC classification number: H01L31/035218 ,  H01L31/09

Abstract: 本发明公开了一种基于胶体量子点的条型超表面结构偏振相关窄带探测器及其制备方法，包括如下步骤：向玻璃板上生长一层硅；旋涂光刻胶；转移条形阵列结构进行显影处理；去胶处理；旋涂量子点；通过电子束蒸发设备蒸镀一层金。本发明利用条形阵列结构对短波红外特定波长的谐振作用，实现对特定波长光的全吸收，通过调节条形阵列结构的几何结构参数来控制光学吸收，实现了特定波长可调，实现可见光到红外光的吸收，且具有偏振相关性，进而胶体量子点材料制成探测器。该制备方法简易，响应迅速，可操作性强，具有广泛的应用前景。

公开(公告)号：CN107112372A

公开(公告)日：2017-08-29

申请号：CN201580070541.4

申请日：2015-11-05

Applicant: 诺基亚技术有限公司

Inventor： R·怀特 ,  E·斯派格内

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/028 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/0384 ,  H01L31/115

CPC classification number: H01L31/035218 ,  H01L29/1606 ,  H01L29/778 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/028 ,  H01L31/03845 ,  H01L31/115 ,  H01L37/025 ,  H01L41/183 ,  H01L51/0558 ,  Y02E10/547

Abstract: 一种装置和方法，该装置包括：电荷载体，其中电荷载体包括连续的三维框架，三维框架包括遍及框架的多个腔；遍及电荷载体被提供的传感器材料；其中传感器材料被配置为对检测到的输入进行换能并且根据检测到的输入改变电荷载体的电荷传导率。

公开(公告)号：CN106784157A

公开(公告)日：2017-05-31

申请号：CN201710009208.3

申请日：2017-01-06

Applicant: 西北工业大学

Inventor： 徐婷婷 ,  王瑞齐 ,  陈立新

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/0352

CPC classification number: Y02P70/521 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/022475 ,  H01L31/035218 ,  H01L31/1884

Abstract: 本发明属于量子点敏化太阳能电池技术领域，具体涉及一种可双面照射量子点敏化太阳能电池的对电极及其制备方法。本发明的技术方案要点为：可双面受光的对电极材料为在透明导电玻璃上承载Cu2S催化层，该催化层采用酸腐蚀后的黄铜材料置于多硫电解液中反应得到。本发明制备工艺路线简便，成本低廉，有效解决了常见量子点敏化太阳能电池对电极材料不透光，光源入射方向单一局限的问题。本发明制得的对电极材料应用在量子点敏化太阳能电池中，具有较好的光电转换性能，在光电转换器件领域具有潜在的应用前景。

公开(公告)号：CN105264672B

公开(公告)日：2017-05-31

申请号：CN201480031813.5

申请日：2014-03-28

Applicant: 诺基亚技术有限公司

Inventor： A·科利

IPC: H01L31/101 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/112

CPC classification number: H01L31/035218 ,  H01L31/028 ,  H01L31/1013 ,  H01L31/1016 ,  H01L31/112 ,  H01L31/113 ,  Y02E10/547

Abstract: 一种设备包括石墨烯膜(220)；作为第一单分子层的被定位与石墨烯膜(220)接触的第一类型的量子点(230)的第一布置；作为第二单分子层的被定位与石墨烯膜(220)接触的第二类型的量子点(230)的第二布置；连接至石墨烯膜(220)的末端的输入电压源(Vdd)以及在量子点(230)的第一布置和量子点(230)的第二布置之间连接至石墨烯膜(220)的输出电压探头(260)。

公开(公告)号：CN106653896A

公开(公告)日：2017-05-10

申请号：CN201710002990.6

申请日：2017-01-04

Applicant: 广东省半导体产业技术研究院

Inventor： 刘晓燕 ,  陈志涛 ,  刘宁炀 ,  任远 ,  刘久澄 ,  何晨光 ,  张康 ,  赵维

IPC: H01L31/0352 ,  H01L31/105

CPC classification number: H01L31/105 ,  H01L31/035218

Abstract: 一种用于可见光通信的InGaN量子点光电探测器及其制备方法，包括由下往上依次设置的衬底、n型GaN层、InGaN/GaN量子点结构层和p型GaN层，在p型GaN层的表面上设置有p型GaN欧姆接触结构，在n型GaN层露出的表面上设置有n型GaN欧姆接触结构，所述InGaN/GaN量子点结构层为(InGaN)n/(GaN)(n+1)的周期性结构，周期数n为1‑20，每层InGaN量子点的厚度为1‑5nm。本发明通过较薄的InGaN量子点即可以实现较高吸收系数，从而提高器件的量子效率和响应度，避免了传统InGaN基光电探测器中因为吸收系数低，需要外延厚膜InGaN层的工艺缺点，从而解决了InGaN材料生长中的一系列难题。

公开(公告)号：CN104937722B

公开(公告)日：2017-03-08

申请号：CN201380056051.X

申请日：2013-10-25

Applicant: 研究三角协会

Inventor： 约翰·路易斯 ,  伊森·克莱姆

IPC: H01L31/04 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/035236 ,  H01L31/035218 ,  H01L31/072 ,  H01L31/0725 ,  H01L31/109 ,  H01L31/18 ,  H01L51/0037 ,  H01L51/0046 ,  H01L51/426 ,  H01L51/502 ,  H01L2251/308 ,  Y02E10/549

Abstract: 半导体包括第一量子点和较少数量第二量子点，第二量子点分散在所述第一量子点。所述第二量子点具有较第一量子点不同大小或成分，这样所述第二量子具有较所述第一量子点的第一激子峰波长较长的第一激子峰波长。所述量子点层包括价带、导电带、以及具有在所述价带和所述导电带之间的带隙内能量级的中间带。所述量子点可以是溶液处理的。所述半导体被用于形成电子异质结以及包含电子异质结的光电设备。