光学和电学第二路径排斥
    22.
    发明公开

    公开(公告)号:CN114729886A

    公开(公告)日:2022-07-08

    申请号:CN202080060546.X

    申请日:2020-06-26

    Abstract: 本发明描述用于减小或移除第二路径光子和/或电荷载体对集成器件的储存分格的影响以提高噪声性能并因此改良样本分析的技术。一些实施例涉及诸如包括光学屏障的光学排斥技术,该光学屏障被定位为阻止至少一些光子到达储存分格。一些实施例涉及诸如包括电学屏障的电学排斥技术,该电学屏障被配置为阻止至少一些电荷载体沿至少一个第二路径到达储存分格。一些实施例涉及一种集成器件,其中至少一个储存分格相对于光检测器定形和/或定位,以便接收一些电荷载体(例如,荧光发射电荷载体)和/或光子并阻碍接收其他电荷载体(例如,噪声电荷载体)和/或光子。

    用于芯片再生的系统和方法
    30.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116847930A

    公开(公告)日:2023-10-03

    申请号:CN202180093795.3

    申请日:2021-12-14

    Abstract: 本公开的各方面涉及用于再生传感器芯片表面的方法和系统,包括通过在连续采样周期之间再生传感器芯片的表面来在多个采样周期中重复使用单个传感器芯片的技术。提供了一种用于重复使用集成器件来处理样本的方法,该样本被分成多个等分试样,该方法包括:将多个等分试样中的第一等分试样装载到集成器件的多个腔室中的至少一些腔室中;当分析物存在于多个腔室的至少一些腔室中时,对第一等分试样的分析物进行采样;从集成器件的多个腔室中的至少一些腔室中移除第一等分试样;以及将多个等分试样的第二等分试样装载到集成器件的多个腔室的至少一些腔室中。

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