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公开(公告)号：CN111032700B
公开(公告)日：2022-04-26
申请号：CN201880051402.0
申请日：2018-08-10
Applicant: 富士胶片株式会社
Abstract: 一种固化性组合物、固化性组合物的固化物或包含上述固化物的透镜单元，所述固化性组合物包含：氧化物粒子，至少包含铟及锡，且键合有具有烃基和对氧化物粒子的键合部位的配体；及聚合性化合物，组合物中的上述氧化物粒子的含量相对于组合物的总固体成分为18质量％以上。
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公开(公告)号：CN107531485A
公开(公告)日：2018-01-02
申请号：CN201680026981.4
申请日：2016-05-09
Applicant: 富士胶片株式会社
Inventor： 小野雅司
CPC classification number: C09K11/703 , B82Y20/00 , B82Y40/00 , C01B25/08 , C01G15/00 , C09K11/02 , Y10S977/774 , Y10S977/818 , Y10S977/824 , Y10S977/892 , Y10S977/896 , Y10S977/95
Abstract: 本发明的课题在于提供一种发光效率高且发光半宽度窄的核壳粒子及其制造方法、以及使用核壳粒子的薄膜。本发明的核壳粒子具有含有III族元素及V族元素的核、被覆核表面的至少一部分的第1壳及被覆第1壳的至少一部分的第2壳，其中，根据X射线光电子能谱分析求出的相对于整个核壳粒子中所含的V族元素的核中所含的III族元素的摩尔比大于2.2。
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公开(公告)号：CN102403361B
公开(公告)日：2015-09-23
申请号：CN201110265137.6
申请日：2011-09-08
Applicant: 富士胶片株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L29/26 , H01L21/363
Abstract: 本发明提供一种可以在低温下制作、并显示出高场效应迁移率的薄膜晶体管。本发明是具备包含氧化物半导体层的活性层的薄膜晶体管，活性层(12)从栅电极侧起沿膜厚方向包含具有第一电子亲和力χ1的第一区域A1和具有小于第一电子亲和力χ1的第二电子亲和力χ2的第二区域A2，并且形成以第一区域A1作为阱层、以第二区域A2和栅绝缘膜(15)作为势垒层的阱型势。这里，将活性层(12)设为包含由a(In2O3)·b(Ga2O3)·c(ZnO)构成的氧化物半导体层，使第二区域A2的b/(a+b)大于第一区域A1的b/(a+b)。
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公开(公告)号：CN115917750A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202180051339.2
申请日：2021-09-06
Applicant: 富士胶片株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明提供一种光检测元件及图像传感器，所述光检测元件具有：第1电极层11；第2电极层12；光电转换层13，设置于第1电极层11与第2电极层12之间；电子传输层21，设置于第1电极层11与光电转换层13之间；及空穴传输层22，设置于光电转换层13与第2电极层12之间，光电转换层13包括包含Ag元素和Bi元素的化合物半导体的量子点，空穴传输层22包括包含规定结构的有机半导体A。
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公开(公告)号：CN115461878A
公开(公告)日：2022-12-09
申请号：CN202180024996.8
申请日：2021-04-05
Applicant: 富士胶片株式会社
Inventor： 小野雅司
IPC: H01L31/0264
Abstract: 本发明提供一种光电转换膜、用于形成光电转换膜的分散液、包含光电转换膜的光检测元件、以及包含光检测元件的图像传感器，所述光电转换膜包含含有Ag元素、选自Sb元素及Bi元素中的至少一种元素、以及选自Se元素及Te元素中的至少一种元素的化合物半导体的量子点。
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公开(公告)号：CN109790029B
公开(公告)日：2022-04-29
申请号：CN201780060467.7
申请日：2017-09-22
Applicant: 富士胶片株式会社
Abstract: 本发明的目的在于提供一种显示高初始发光效率及优异的耐湿性的含有半导体纳米粒子的分散液以及使用上述分散液制造的薄膜。本发明的含有半导体纳米粒子的分散液含有通过X射线光电子能谱分析检测出锌、硫及铟的半导体纳米粒子及丙烯酸酯或甲基丙烯酸酯，上述半导体纳米粒子中，从X射线光电子能谱分析求出的、锌与铟的摩尔比满足下述式(1a)：2.25＜Zn/In＜9……(1a)。
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公开(公告)号：CN107614423B
公开(公告)日：2021-05-07
申请号：CN201680028000.X
申请日：2016-05-09
Applicant: 富士胶片株式会社
Inventor： 小野雅司
Abstract: 本发明的目的在于提供一种显现高发光效率的核壳粒子、上述核壳粒子的制造方法及含有上述核壳粒子的薄膜。本发明的核壳粒子具有：含有III族元素及V族元素的核；包覆上述核表面的至少一部分的第1壳；及包覆上述第1壳的至少一部分的含有II族元素的第2壳，其中，根据X射线光电子能谱求出的相对于上述核中所含的上述III族元素的上述整个核壳粒子中所含的II族元素的摩尔比为2.7以上。
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公开(公告)号：CN109982967A
公开(公告)日：2019-07-05
申请号：CN201780070206.3
申请日：2017-11-07
Applicant: 富士胶片株式会社
Abstract: 本发明的课题在于提供一种发光效率高、发光半宽度窄的核壳粒子及其制造方法以及使用核壳粒子的薄膜。本发明的核壳粒子为如下核壳粒子：其具有含有III族元素及V族元素的核、覆盖核的表面的至少一部分的第1壳、覆盖第1壳的至少一部分的第2壳以及在最表面的至少一部分的配位性分子，所述核壳粒子中，通过X射线光电子能谱分析至少检测出氧，根据X射线光电子能谱分析求出的氧相对于核中所包含的III族元素的摩尔比为6.1以下。
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公开(公告)号：CN109153569A
公开(公告)日：2019-01-04
申请号：CN201780032524.0
申请日：2017-05-23
Applicant: 富士胶片株式会社
Inventor： 小野雅司
IPC: C01B25/08 , C01G15/00 , C09K11/08 , C09K11/70 , H01L31/0352
Abstract: 本发明的课题在于提供一种发光效率高且耐久性也优异的核壳粒子及其制造方法、以及使用核壳粒子的薄膜。本发明的核壳粒子具有含有III族元素及V族元素的核、包覆核表面的至少一部分的第1壳及包覆第1壳的至少一部分的第2壳，该核壳粒子具有含有包覆第2壳的至少一部分的金属氧化物的保护层，保护层的表面的至少一部分具有配位性分子。
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