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公开(公告)号：CN108732741A
公开(公告)日：2018-11-02
申请号：CN201810349774.3
申请日：2018-04-18
申请人： 优美特创新材料股份有限公司
CPC分类号： G03B21/204 , B82Y20/00 , B82Y35/00 , C09K11/025 , C09K11/883 , F21S10/007 , F21V9/30 , G02B1/04 , G02B26/008 , H01L33/502 , H01L33/56 , H01L2933/0083 , Y10S977/774 , Y10S977/81 , Y10S977/812 , Y10S977/814 , Y10S977/816 , Y10S977/818 , Y10S977/819 , Y10S977/82 , Y10S977/823 , Y10S977/824 , Y10S977/892 , Y10S977/95
摘要： 本发明提供一种发光装置，其包括使用复合材料的投影机色轮与发光二极管(LED)组件、所述复合材料的制造方法以及光学膜。所述复合材料的稳定性显著地提升。使用所述复合材料的发光装置也具有广色域。
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公开(公告)号：CN107966878A
公开(公告)日：2018-04-27
申请号：CN201710977354.5
申请日：2017-10-19
IPC分类号： G03F7/027 , G03F7/033 , G03F7/004 , G02F1/13357 , C09K11/02 , C09K11/88 , G02F1/1335
CPC分类号： C09K11/025 , B82Y20/00 , B82Y40/00 , C08K3/00 , C09D5/22 , C09K11/883 , G02B5/201 , G02F1/133514 , G03F7/00 , G03F7/0007 , G03F7/0044 , G03F7/031 , G03F7/162 , G03F7/168 , G03F7/2002 , G03F7/322 , G03F7/40 , H01L31/0547 , H01L31/055 , H01L33/502 , H01L2933/0033 , H01L2933/0041 , Y10S977/774 , Y10S977/783 , Y10S977/818 , Y10S977/824 , Y10S977/897 , Y10S977/95 , G03F7/033 , G02F1/1336 , G02F2001/133614 , G03F7/004 , G03F7/027
摘要： 公开量子点-聚合物复合物膜、其制造方法和包括其的装置。所述量子点-聚合物复合物膜包括：多个量子点，其中所述量子点在其表面上包括有机配体；包含碳-碳不饱和键的能光聚合的单体的固化产物；和选自高沸点溶剂的残留物、多价金属化合物的残留物、及其组合的残留物。
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公开(公告)号：CN107787352A
公开(公告)日：2018-03-09
申请号：CN201680025586.4
申请日：2016-03-25
申请人： 奈科斯多特股份公司
CPC分类号： G01N33/588 , A61K49/0019 , A61K49/0067 , B82Y5/00 , B82Y20/00 , B82Y40/00 , C09K11/025 , C09K11/565 , C09K11/883 , G01N33/582 , G01N33/587 , Y10S977/755 , Y10S977/824 , Y10S977/896 , Y10S977/927
摘要： 本发明涉及核/壳纳米片及其作为荧光团或荧光剂的用途。
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公开(公告)号：CN107531485A
公开(公告)日：2018-01-02
申请号：CN201680026981.4
申请日：2016-05-09
申请人： 富士胶片株式会社
发明人： 小野雅司
IPC分类号： C01B25/08 , C01G15/00 , C09K11/08 , C09K11/56 , C09K11/62 , C09K11/70 , C09K11/74 , C09K11/88
CPC分类号： C09K11/703 , B82Y20/00 , B82Y40/00 , C01B25/08 , C01G15/00 , C09K11/02 , Y10S977/774 , Y10S977/818 , Y10S977/824 , Y10S977/892 , Y10S977/896 , Y10S977/95
摘要： 本发明的课题在于提供一种发光效率高且发光半宽度窄的核壳粒子及其制造方法、以及使用核壳粒子的薄膜。本发明的核壳粒子具有含有III族元素及V族元素的核、被覆核表面的至少一部分的第1壳及被覆第1壳的至少一部分的第2壳，其中，根据X射线光电子能谱分析求出的相对于整个核壳粒子中所含的V族元素的核中所含的III族元素的摩尔比大于2.2。
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公开(公告)号：CN106574182A
公开(公告)日：2017-04-19
申请号：CN201580038293.5
申请日：2015-07-14
申请人： 耶路撒冷希伯来大学伊森姆研究发展有限公司
CPC分类号： C30B29/50 , B41J2/04581 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C09D11/037 , C09D11/322 , C09D11/50 , C09K11/883 , C30B7/14 , C30B29/62 , Y10S977/762 , Y10S977/774 , Y10S977/824 , Y10S977/892 , Y10S977/95 , B82B1/00 , B82B3/0004
摘要： 本发明提供用于制造包含纳米棒、同时减少颗粒间相互作用的图案和物体的新颖的装置。
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公开(公告)号：CN104302729A
公开(公告)日：2015-01-21
申请号：CN201280064403.1
申请日：2012-09-14
申请人： 太平洋光技术公司
CPC分类号： H01L33/502 , B82Y20/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B19/007 , C01P2002/84 , C01P2004/04 , C01P2004/10 , C01P2004/54 , C01P2004/64 , C01P2004/80 , C09K11/02 , C09K11/025 , C09K11/565 , C09K11/883 , H01L33/005 , H01L33/06 , H01L33/56 , H01L2933/0033 , H01L2933/0041 , H01L2933/005 , H01L2933/0083 , Y10S977/744 , Y10S977/774 , Y10S977/824 , Y10S977/89 , Y10S977/95
摘要： 描述了具有纳米晶体核和相应的纳米晶体壳的半导体结构。在实例中，半导体结构包括由第一半导体材料组成并且具有在1.0至2.0之间但不包括1.0和2.0的宽高比的各向异性纳米晶体核。所述半导体结构还包括至少部分包围所述各向异性纳米晶体核的由不同的第二半导体材料组成的纳米晶体壳。
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公开(公告)号：CN104066813A
公开(公告)日：2014-09-24
申请号：CN201280065133.6
申请日：2012-09-14
申请人： 太平洋光技术公司
CPC分类号： H01L33/502 , B82Y20/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B19/007 , C01P2002/84 , C01P2004/04 , C01P2004/10 , C01P2004/54 , C01P2004/64 , C01P2004/80 , C09K11/02 , C09K11/025 , C09K11/565 , C09K11/883 , H01L33/005 , H01L33/06 , H01L33/56 , H01L2933/0033 , H01L2933/0041 , H01L2933/005 , H01L2933/0083 , Y10S977/744 , Y10S977/774 , Y10S977/824 , Y10S977/89 , Y10S977/95
摘要： 描述了具有嵌入基质中的半导体结构的复合材料。在实例中，复合材料包括基质材料。多个半导体结构被嵌入基质材料中。每个半导体结构包括由第一半导体材料组成的并且具有在1.0至2.0之间但不包括1.0和2.0的宽高比的各向异性纳米晶体核。每个半导体结构还包括至少部分包围所述各向异性纳米晶体核的由不同的第二半导体材料组成的纳米晶体壳。绝缘体层封装每个纳米晶体壳和各向异性纳米晶体核配对。
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公开(公告)号：CN1295015C
公开(公告)日：2007-01-17
申请号：CN02143333.X
申请日：2002-09-25
申请人： 株式会社东芝
发明人： 松井功
CPC分类号： B01J19/00 , B01J2219/00123 , B01J2219/00164 , Y10S977/81 , Y10S977/811 , Y10S977/824
摘要： 一种制造细微颗粒的方法包括以下步骤：从一侧中将含有细微颗粒源材料的反应气体流引入反应器中；然后通过加热在反应气体流中的细微颗粒源材料来使细微颗粒在气相中生长；从几乎与反应气体流对流的另一侧将稀释气流引入反应器；使反应气体流和稀释气体流的流速相对于流动通道的横断面基本上均衡；并且在流速均衡之后通过合并反应气体流和稀释气体流来使这些细微颗粒的生长停止。本发明还涉及一种实施上述方法的设备。
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公开(公告)号：CN108865109A
公开(公告)日：2018-11-23
申请号：CN201810447024.X
申请日：2018-05-11
申请人： 三星电子株式会社
CPC分类号： C09K11/883 , B82Y20/00 , B82Y40/00 , C09K11/02 , C09K11/565 , H01L51/502 , Y10S977/774 , Y10S977/824 , Y10S977/892 , Y10S977/95 , B82Y30/00 , C09K11/025
摘要： 公开了半导体纳米晶体颗粒、其制造方法、和包括其的电子器件，所述半导体纳米晶体颗粒包括锌(Zn)、碲(Te)和硒(Se)。在所述半导体纳米晶体颗粒中，碲的量小于硒的量，所述颗粒包括：包括包含锌、碲、和硒的第一半导体材料的芯，和设置在所述芯的至少一部分上并且包括具有与所述第一半导体材料不同的组成的第二半导体材料的壳，和所述半导体纳米晶体颗粒发射包括在小于或等于约470纳米的波长处的最大发射峰的蓝色光。
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公开(公告)号：CN108427227A
公开(公告)日：2018-08-21
申请号：CN201810151747.5
申请日：2018-02-14
IPC分类号： G02F1/13357 , G02F1/1362
CPC分类号： G02F1/133617 , B82Y20/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , G02F1/133509 , G02F1/133512 , G02F1/133514 , G02F1/133528 , G02F2001/133357 , G02F2001/133565 , G02F2001/133614 , G02F2202/36 , Y10S977/774 , Y10S977/816 , Y10S977/818 , Y10S977/819 , Y10S977/82 , Y10S977/821 , Y10S977/824 , Y10S977/825 , Y10S977/882 , Y10S977/95 , Y10S977/952 , G02F1/1336 , G02F1/1362 , G02F2001/136222
摘要： 公开了一种量子点、一种颜色转换面板和一种显示装置，所述量子点包括核和位于核外侧的壳层，其中，核和壳层中的至少一个掺杂有铝、硅、钛、镁或锌，核包括III-V族化合物。
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