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公开(公告)号：CN115275308A
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202210963319.9
申请日：2022-08-11
申请人： 扬州大学
IPC分类号： H01M10/04
摘要： 本发明涉及固态电池领域，尤其涉及一种柔性面型固态电池的一体成型装置，包括第一座体、第二座体和调节装置；第一座体设置有第一凹槽，第二座体设置有第二凹槽，第一凹槽和第二凹槽的槽底平面平行设置，调节装置对槽底平面之间的距离进行调节；第一座体和第二座体均为透光玻璃结构，第一座体上设置有注液通道，注液通道的出口端偏离第一凹槽所在位置，且位于两座体之间。本发明中提供了一种可对柔性面型固态电池一体成型的装置，改变目前对电极和固态电解质分别固化成型，而后再行组装所带来的界面接触不充分问题，从而有效降低界面阻抗，使得固态电池容量、倍率以及循环寿命均获得一定程度的提高。本发明中还请求保护成型装置的工作方法。
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公开(公告)号：CN115101632A
公开(公告)日：2022-09-23
申请号：CN202210839368.1
申请日：2022-07-18
申请人： 扬州大学
IPC分类号： H01L31/20 , H01L31/0747
摘要： 本发明涉及太阳能电池技术领域，尤其涉及一种新型HBC太阳能电池的制备方法，通过对单晶硅基体进行抛光，后对单晶硅基体进行正面制绒，以及对制绒后的单晶硅基体背面蒸发沉积NiOx薄膜，对单晶硅基体背面沉积本征氢化非晶硅层，通过激光对背面的本征氢化非晶硅层和NiOx薄膜进行开槽，开出N型材料要沉积的区域，采用HF对单晶硅基体进行表面疏水处理，对单晶硅基体背面依次沉积本征氢化非晶硅层和n型氢化非晶硅层，正面依次沉积本征氢化非晶硅层和SiNx层，通过激光对背面本征氢化非晶硅层和n型氢化非晶硅层进行开槽，使NiOx层露出，背面沉积TCO层等步骤，使得制备的HBC电池成本更低、产能大，且掩膜层极易被剥离的技术问题。
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公开(公告)号：CN117542919B
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202311493740.9
申请日：2023-11-09
申请人： 扬州大学
IPC分类号： H01L31/18 , H01L21/228
摘要： 本发明属于晶硅光伏电池新能源领域，尤其涉及一种全背电极接触晶硅光伏电池的图案化方法及制备方法，包括如下操作步骤：在抛光样品背面完成非晶硅层或多晶硅层的沉积；在非晶硅层或多晶硅层上沉积一层液态硼源，并使用激光加热烘干局部区域的硼源；对样品进行清洗以去除未固化区域的硼源，剩下的区域作为背接触的P+区；通过印刷的方式对P+区及其外周印扩散隔离材料覆盖；采用高温磷扩实现N+区的掺杂和P+区的硼元素激活，完成全背电极接触晶硅光伏电池的图案化制备。本发明采用硼源+印扩散隔离材料+磷扩的方式将P+区、N+区和Gap区制备在一个平面上，降低了电池金属化时印刷浆料的难度，降低了硅片的碎片率。
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公开(公告)号：CN117374158B
公开(公告)日：2024-05-31
申请号：CN202311344505.5
申请日：2023-10-17
申请人： 扬州大学
IPC分类号： H01L31/18 , H01L21/225 , H01L21/268
摘要： 本发明涉及太阳能电池技术领域，尤其涉及一种基于光诱导掺杂的BC结构太阳能电池的制备方法，包括如下步骤：S1：在单面抛光样品背面完成PolySi层的沉积；S2：将硼和磷的化合物混合制备溶液，并涂覆在S1完成PolySi制备的样品表面形成薄膜；S3：使用激光照射涂覆了薄膜的硅基底，诱导薄膜中不同化合物的分解，实现选择性掺杂；S4：双面钝化氧化铝和氮化硅；S5：表面钝化完成后在硅片背面进行P区与N区的金属化，依次在硅片背面印刷银浆电极和银铝浆电极，然后烧结完成电池制备。本发明通过光诱导方法实现硅基底的选择性掺杂，操作简便，低成本，掺杂深度和区域可控，有利于提高半导体太阳能电池等器件的制备效率和性能。
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公开(公告)号：CN117585126A
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN202311741011.0
申请日：2023-12-18
申请人： 扬州大学
摘要： 本发明涉及机器人控制领域及功能材料领域，尤其一种可变刚度仿生机器鱼及其控制方法。包括鱼头控制仓和可变刚度鱼尾，鱼头控制仓由鱼头刚性外壳与鱼身底面连接组成，可变刚度鱼尾连接于刚性转动面上，刚性转动面与鱼身底面铰接；可变刚度鱼尾由被鱼尾支撑骨架包裹的可变刚度材料以及柔性尾鳍连接而成，可变刚度材料的两侧安装有多段加热电路，多段加热电路和可变刚度材料之间设置有温度传感器；其中，每一段加热电路独立加热，使多段加热电路进行分段刚度变化，以对可变刚度鱼尾的形变进行调控。当形变恢复后，停止所有多段加热器，锁定可变刚度鱼尾形状，恢复仿生机器鱼的运动特性，进而使得仿生机器鱼的运行轨迹可控。
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公开(公告)号：CN115473494B
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN202211261063.3
申请日：2022-10-14
申请人： 扬州大学
摘要： 本发明涉及航空光伏保护技术领域，尤其涉及一种宇航级光伏系统防损保护装置及方法，该装置包括光伏组件、保护组件、防损组件和控制器，其中，光伏组件包括多个电池片和导线，保护组件包括电流计和断路器，防损组件包括与防损组件并联的防损线路，防损线路与每个电池片并联，并且每个防损线路上均具有灵敏开关；控制器与电流计、断路器以及灵敏开关连接，当控制器监测到某一电池片上的输出电流或者功率超过设定阈值，则控制对应的断路器断开，同时控制对应的灵敏开关闭合，使得线路绕过异常电池片继续工作。通过上述方式的设置，不影响光伏系统的正常运行，增加了光伏组件的有效使用寿命，为航天器或者着陆车的光伏储能提供可靠的方案。
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公开(公告)号：CN117418297B
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202311381403.0
申请日：2023-10-24
申请人： 扬州大学
摘要： 本发明属于太阳电池技术领域，尤其涉及一种高产率、纯黑相甲脒基钙钛矿晶体的制备方法及装置。包括可耐高压的腔体，腔体内部有均匀分布的加热柱，腔体上盖通过胶圈和快拆结构密封，上盖上设置外置连接管路。制备方法包括：将粗制原料置于腔体内；腔体抽真空，通氮气反复3次；之后注入溶剂；注入氮气和还原性气体，维持腔体正压；加热至150度以上；待晶体不再析出，开启排液阀，自动排出上清液；降温后，注入洗涤剂反复清洗三次；抽真空，去除多余溶剂；收集钙钛矿晶体。采用该装置和方法可实现低纯原料的提纯，同时，晶体粉末作为原料，可获得更制备大尺寸晶粒、均匀结晶的高品质钙钛矿薄膜和高性能的钙钛矿太阳电池器件。
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公开(公告)号：CN117374158A
公开(公告)日：2024-01-09
申请号：CN202311344505.5
申请日：2023-10-17
申请人： 扬州大学
IPC分类号： H01L31/18 , H01L21/225 , H01L21/268
摘要： 本发明涉及太阳能电池技术领域，尤其涉及一种基于光诱导掺杂的BC结构太阳能电池的制备方法，包括如下步骤：S1：在单面抛光样品背面完成PolySi层的沉积；S2：将硼和磷的化合物混合制备溶液，并涂覆在S1完成PolySi制备的样品表面形成薄膜；S3：使用激光照射涂覆了薄膜的硅基底，诱导薄膜中不同化合物的分解，实现选择性掺杂；S4：双面钝化氧化铝和氮化硅；S5：表面钝化完成后在硅片背面进行P区与N区的金属化，依次在硅片背面印刷银浆电极和银铝浆电极，然后烧结完成电池制备。本发明通过光诱导方法实现硅基底的选择性掺杂，操作简便，低成本，掺杂深度和区域可控，有利于提高半导体太阳能电池等器件的制备效率和性能。
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公开(公告)号：CN115101632B
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202210839368.1
申请日：2022-07-18
申请人： 扬州大学
IPC分类号： H01L31/20 , H01L31/0747
摘要： 本发明涉及太阳能电池技术领域，尤其涉及一种新型HBC太阳能电池的制备方法，通过对单晶硅基体进行抛光，后对单晶硅基体进行正面制绒，以及对制绒后的单晶硅基体背面蒸发沉积NiOx薄膜，对单晶硅基体背面沉积本征氢化非晶硅层，通过激光对背面的本征氢化非晶硅层和NiOx薄膜进行开槽，开出N型材料要沉积的区域，采用HF对单晶硅基体进行表面疏水处理，对单晶硅基体背面依次沉积本征氢化非晶硅层和n型氢化非晶硅层，正面依次沉积本征氢化非晶硅层和SiNx层，通过激光对背面本征氢化非晶硅层和n型氢化非晶硅层进行开槽，使NiOx层露出，背面沉积TCO层等步骤，使得制备的HBC电池成本更低、产能大，且掩膜层极易被剥离的技术问题。
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公开(公告)号：CN115473494A
公开(公告)日：2022-12-13
申请号：CN202211261063.3
申请日：2022-10-14
申请人： 扬州大学
摘要： 本发明涉及航空光伏保护技术领域，尤其涉及一种宇航级光伏系统防损保护装置及方法，该装置包括光伏组件、保护组件、防损组件和控制器，其中，光伏组件包括多个电池片和导线，保护组件包括电流计和断路器，防损组件包括与防损组件并联的防损线路，防损线路与每个电池片并联，并且每个防损线路上均具有灵敏开关；控制器与电流计、断路器以及灵敏开关连接，当控制器监测到某一电池片上的输出电流或者功率超过设定阈值，则控制对应的断路器断开，同时控制对应的灵敏开关闭合，使得线路绕过异常电池片继续工作。通过上述方式的设置，不影响光伏系统的正常运行，增加了光伏组件的有效使用寿命，为航天器或者着陆车的光伏储能提供可靠的方案。
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