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公开(公告)号：CN108911740A
公开(公告)日：2018-11-30
申请号：CN201810974109.3
申请日：2018-08-24
Applicant: 扬州大学
IPC: C04B35/475 , C04B35/47
Abstract: 本发明公开了一种具有多铁性能的五层层状结构的钛铁钴酸锶铋陶瓷材料及其制备方法，该方法用溶胶凝胶自燃烧法，将钛源、锶源、铋源、铁源、钴源按摩尔比在硝酸溶液中混合，加入适量络合剂柠檬酸，得到澄清溶胶；将溶胶油浴搅拌及恒温干燥制成干凝胶；将干凝胶加热并保温制得粉体，将粉体经预合成、压片、烧结，得到化学式为SrxBi6-xFe1-x/2Co1-x/2Ti3+xO18的五层层状结构的钛铁钴酸锶铋多铁陶瓷材料，制得的产品在室温下具有良好铁电性和铁磁性。该工艺合理高效，样品制备温度远远低于现行固相烧结工艺的制备温度，降低了能耗，非常便于产业化生产。
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公开(公告)号：CN103739007B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201310739625.5
申请日：2013-12-30
Applicant: 扬州大学
Abstract: 模板法制备尺寸可控的多孔二氧化锡纳米结构，包括以下步骤：（1）将苯乙烯和去离子水混合，超声处理15-25min，水浴加热至65-75℃，之后加入超声处理的过硫酸钾溶液，室温下搅拌7-13h，得到聚苯乙烯小球悬浊液；（2）采用垂直沉降法制备聚苯乙烯小球模板；（3）将SnCl4?4H2O加入到无水乙醇溶液中，搅拌后冷却到室温并静置，得到前驱体溶胶溶液；（4）将前驱体溶胶溶液逐滴滴加到聚苯乙烯小球模板上，然后烘干，烘干后渐渐升温至480-530℃并保持2-4h，然后自然冷却。本发明通过对苯乙烯小球尺寸的控制来实现对光催化性能的调控，制备出的多孔二氧化锡纳米结构稳定，尺寸可控，光催化性能稳定，可以反复多次使用。
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公开(公告)号：CN102719029B
公开(公告)日：2013-11-27
申请号：CN201210188062.0
申请日：2012-06-08
Applicant: 扬州大学
Abstract: 碳化硅纳米线基发光薄膜的制备方法：先将硅粉末经球磨减小粒径，再按摩尔比为1:1.5－1:2.5与活性碳粉混合，在管式炉中高温反应制成碳化硅纳米线。此过程中，先用高纯氩气清洗管道，在1275－1325℃反应2－4小时，继以在空气中600－700℃加热纯化样品，得到高纯碳化硅纳米线。将碳化硅纳米线与聚苯乙烯颗粒一起加入到甲苯中，超声振荡，使得聚苯乙烯颗粒完全溶解、碳化硅纳米线充分分散，得到分散液；用滴管吸取分散液用旋覆法在硅片上制成湿膜；将湿膜在空气中干燥，得到发光薄膜。本发明制备的薄膜厚度均匀，成品率高，在紫外光激发下，薄膜在波长为410nm处有较强蓝光发射，发光性能稳定。
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公开(公告)号：CN102153133B
公开(公告)日：2012-10-17
申请号：CN201110064308.9
申请日：2011-03-17
Applicant: 扬州大学
IPC: C01G19/02
Abstract: 本发明公开了一种可控的有序多孔二氧化锡纳米结构的制备方法，属于气敏传感材料和太阳能电池制备技术领域。以SnCl4·4H2O和无水乙醇按一定比例混合经过恒温70-90℃保持8-12h制得二氧化锡溶胶溶液，将二氧化锡溶胶溶液滴加到表面沉积沉积聚苯乙烯小球的基片上，烘干，经过高温退火得到可控的有序多孔二氧化锡纳米结构。本发明极大地提高了材料与外界环境的接触面积，可实现产品孔径大小、孔壁厚度、三维深度的可控调节，产品具有卓越的气敏性能和光电性能。
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公开(公告)号：CN102719029A
公开(公告)日：2012-10-10
申请号：CN201210188062.0
申请日：2012-06-08
Applicant: 扬州大学
Abstract: 碳化硅纳米线基发光薄膜的制备方法：先将硅粉末经球磨减小粒径，再按摩尔比为1:1.5－1:2.5与活性炭粉混合，在管式炉中高温反应制成碳化硅纳米线。此过程中，先用高纯氩气清洗管道，在1275－1325℃反应2－4小时，继以在空气中600－700℃加热纯化样品，得到高纯碳化硅纳米线。将碳化硅纳米线与聚苯乙烯颗粒一起加入到甲苯中，超声振荡，使得聚苯乙烯颗粒完全溶解、碳化硅纳米线充分分散，得到分散液；用滴管吸取分散液用旋覆法在硅片上制成湿膜；将湿膜在空气中干燥，得到发光薄膜。本发明制备的薄膜厚度均匀，成品率高，在紫外光激发下，薄膜在波长为410nm处有较强蓝光发射，发光性能稳定。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101607818A
公开(公告)日：2009-12-23
申请号：CN200910182259.1
申请日：2009-07-06
Applicant: 扬州大学
IPC: C04B35/475 , C04B35/622
Abstract: 具有多铁性能的层状结构钛铁钴酸铋陶瓷材料及其制备方法，属于氧化物陶瓷材料制备技术领域，将Bi4Ti3O12和BiCoO3植入BiFeO3中形成Bi5Fe0.5Co0.5Ti3O15(BFCT)。该工艺简单合理，具有与现行的固相工艺良好的兼容性，样品制备温度远远低于现行工艺的制备温度可大大降低能耗，便于产业化生产。在BFCT中，由于Fe－O和Co－O八面体排列相对较为有序，从而局部获得Fe－O－Co之间的耦合，使样品的磁性高。
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公开(公告)号：CN105177511B
公开(公告)日：2017-11-17
申请号：CN201510631552.7
申请日：2015-09-29
Applicant: 扬州大学
Abstract: 本发明公开了一种负热膨胀材料Sc2Mo3O12薄膜的制备方法。属于无机功能薄膜材料制备技术领域，具体方法是采用脉冲激光法制备负热膨胀Sc2Mo3O12薄膜。本发明的优点在于利用脉冲激光沉积法制备Sc2Mo3O12薄膜，该Sc2Mo3O12薄膜负热膨胀响应温度范围宽，性能稳定，且制备温度低、无需淬火、热处理工艺简单。脉冲激光沉积法沉积的Sc2Mo3O12薄膜和靶材的化学成分保持良好的一致性，同时逸出粒子具有较大的能量有利于薄膜生长，制备薄膜质量高，制备过程具有良好的可重复性。
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公开(公告)号：CN105331935A
公开(公告)日：2016-02-17
申请号：CN201510632801.4
申请日：2015-09-29
Applicant: 扬州大学
CPC classification number: C23C14/28 , C23C14/083
Abstract: 本发明公开了一种负热膨胀材料Y2W3O12薄膜的制备方法。属于无机非金属负热膨胀功能材料领域。本发明的负热膨胀Y2W3O12薄膜是采用自制的Y2W3O12陶瓷靶材，利用脉冲激光沉积法制备并在沉积仓内于900－1100℃原位退火制备得到，该Y2W3O12薄膜响应温度范围宽，负热膨胀性能稳定，且制备温度低、无需淬火、热处理工艺简单。脉冲激光沉积法使沉积的Y2W3O12薄膜和靶材的化学成分保持良好的一致性，同时逸出粒子具有较大的能量有利于薄膜生长，原位退火后制备薄膜质量高，制备过程具有良好的可重复性、制备周期短、成本低，具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN105254297A
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201510632044.0
申请日：2015-09-29
Applicant: 扬州大学
IPC: C04B35/495 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种负热膨胀陶瓷材料ScxIn2-xW3O12及其制备方法。其中1≤x≤1.2。属于无机非金属负热膨胀功能材料领域，该负热膨胀ScxIn2-xW3O12陶瓷材料以Sc2O3、In2O3和WO3为原料，采用固相法制备，按照一定的摩尔比通过对原料氧化物称量、球磨、成型和在950-1200℃烧结，制备得到的负热膨胀材料ScxIn2-xW3O12陶瓷结构致密，在室温到其熔点温度范围内具有稳定的负热膨胀性能。例如ScInW3O12陶瓷在室温到700℃的温度范围内，其线热膨胀系数为-5.97×10-6/K，热膨胀曲线近乎线性，无相变发生，热膨胀性能稳定，具有较好的负热膨胀性能，同时本发明所提供的制备负热膨胀材料ScxIn2-xW3O12的制备方法较为简单，制备周期短、成本低、环保无污染，因而具有较好的应用前景。
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公开(公告)号：CN102616782B
公开(公告)日：2014-05-14
申请号：CN201210108215.6
申请日：2012-04-13
Applicant: 扬州大学
Abstract: 本发明公开了一种可批量制备发光立方相碳化硅纳米线的制备方法。该技术先将一氧化硅粉末经球磨减小粒径，再与活性碳粉末置于一氧化铝舟的两端，在其上盖一同规格氧化铝舟后放入管式炉中反应。反应前向氧化铝管中以每分钟500立方厘米的流量通氩气20分钟，将流量降至每分钟40立方厘米后加热管式炉至1200-1300oC，保温2-4小时后关闭管式炉电源，让其自然冷却。收集反应后的活性碳粉末堆，并在空气中以600-700oC加热2-3小时，即可得到高纯立方相碳化硅纳米线。本发明工艺过程简单安全，可批量制备，产品纯度高，直径均一，长度长，有较强蓝发射，不仅可用于材料的增强增韧添加剂，而且可用于下一代的光电材料。
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