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公开(公告)号：CN105274483B
公开(公告)日：2018-02-27
申请号：CN201510632802.9
申请日：2015-09-29
Applicant: 扬州大学
Abstract: 本发明公开了一种负热膨胀材料Sc2W3O12薄膜的制备方法。属于无机功能薄膜材料制备技术领域，其特征在于：采用固相法制备了Sc2W3O12陶瓷靶材，利用制备的Sc2W3O12陶瓷靶材以射频磁控溅射法沉积制备薄膜，在900‑1100℃温度下热处理后制备负热膨胀Sc2W3O12薄膜。本发明的优点在于利用射频磁控溅射法制备Sc2W3O12薄膜的负热膨胀响应温度范围宽，负热膨胀性能稳定，薄膜质量好，且制备温度低、无需淬火、热处理工艺简单，制备过程具有良好的可重复性，易于实现工业化。
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公开(公告)号：CN107235726A
公开(公告)日：2017-10-10
申请号：CN201710345736.6
申请日：2017-05-17
Applicant: 扬州大学
IPC: C04B35/495 , C04B35/622 , C04B35/626
CPC classification number: C04B35/495 , C04B35/622 , C04B35/62645 , C04B2235/3217 , C04B2235/3224
Abstract: 本发明公开了一种负热膨胀陶瓷材料Al2‑xScxMo3O12及其制备方法。其中0.35≤x≤0.45。属于无机非金属负热膨胀功能材料领域，该负热膨胀Al2‑xScxMo3O12陶瓷材料以分析纯Sc2O3、Al2O3和MoO3为原料，采用分步固相烧结法制备，按照一定的摩尔比通过对原料氧化物称量、混料球磨、成型、分布预烧最终在750‑800℃烧结，制备得到的斜方相负热膨胀材料Al2‑xScxMo3O12陶瓷，不含杂质相，结构致密，在室温到其熔点温度范围内具有稳定的负热膨胀性能。例如Al1.6Sc0.4Mo3O12陶瓷在室温到700℃的温度范围内，其线热膨胀系数为‑2.19×10‑6/K，热膨胀曲线近乎线性，无相变发生，热膨胀性能稳定，具有较好的负热膨胀性能，同时本发明所提供的制备负热膨胀材料Al2‑xScxMo3O12的制备方法较为简单，制备周期短、成本低、环保无污染，因而具有较好的应用前景。
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公开(公告)号：CN107140980A
公开(公告)日：2017-09-08
申请号：CN201710345779.4
申请日：2017-05-17
Applicant: 扬州大学
IPC: C04B35/495 , C04B35/50 , C04B35/622
CPC classification number: C04B35/495 , C04B35/50 , C04B35/622 , C04B2235/3224 , C04B2235/3272 , C04B2235/9607
Abstract: 本发明公开了一种负热膨胀陶瓷材料Fe2‑xScxMo3O12及其制备方法。其中1.4≤x≤1.6。属于无机非金属功能材料领域，该负热膨胀Fe2‑xScxMo3O12陶瓷材料以分析纯Sc2O3、Fe2O3和MoO3为原料，采用固相法制备，按照一定的摩尔比，通过对原料氧化物称量、混料、球磨、成型和在750‑1200℃烧结，制备得到的斜方向负热膨胀材料Fe2‑xScxMo3O12陶瓷，其结构致密，在室温到其熔点温度范围内具有稳定的负热膨胀性能。例如Fe0.5Sc1.5Mo3O12陶瓷在室温到700℃的温度范围内，其线热膨胀系数为‑5.70×10‑6/K，热膨胀曲线近乎线性，无相变发生，热膨胀性能稳定，具有较好的负热膨胀性能。同时本发明所提供的制备负热膨胀材料Fe2‑xScxMo3O12的制备方法较为简单，制备周期短、成本低、环保无污染，具有较好的应用前景。
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公开(公告)号：CN105274483A
公开(公告)日：2016-01-27
申请号：CN201510632802.9
申请日：2015-09-29
Applicant: 扬州大学
Abstract: 本发明公开了一种负热膨胀材料Sc2W3O12薄膜的制备方法。属于无机功能薄膜材料制备技术领域，其特征在于：采用固相法制备了Sc2W3O12陶瓷靶材，利用制备的Sc2W3O12陶瓷靶材以射频磁控溅射法沉积制备薄膜，在900-1100℃温度下热处理后制备负热膨胀Sc2W3O12薄膜。本发明的优点在于利用射频磁控溅射法制备Sc2W3O12薄膜的负热膨胀响应温度范围宽，负热膨胀性能稳定，薄膜质量好，且制备温度低、无需淬火、热处理工艺简单，制备过程具有良好的可重复性，易于实现工业化。
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公开(公告)号：CN105177511B
公开(公告)日：2017-11-17
申请号：CN201510631552.7
申请日：2015-09-29
Applicant: 扬州大学
Abstract: 本发明公开了一种负热膨胀材料Sc2Mo3O12薄膜的制备方法。属于无机功能薄膜材料制备技术领域，具体方法是采用脉冲激光法制备负热膨胀Sc2Mo3O12薄膜。本发明的优点在于利用脉冲激光沉积法制备Sc2Mo3O12薄膜，该Sc2Mo3O12薄膜负热膨胀响应温度范围宽，性能稳定，且制备温度低、无需淬火、热处理工艺简单。脉冲激光沉积法沉积的Sc2Mo3O12薄膜和靶材的化学成分保持良好的一致性，同时逸出粒子具有较大的能量有利于薄膜生长，制备薄膜质量高，制备过程具有良好的可重复性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105331935A
公开(公告)日：2016-02-17
申请号：CN201510632801.4
申请日：2015-09-29
Applicant: 扬州大学
CPC classification number: C23C14/28 , C23C14/083
Abstract: 本发明公开了一种负热膨胀材料Y2W3O12薄膜的制备方法。属于无机非金属负热膨胀功能材料领域。本发明的负热膨胀Y2W3O12薄膜是采用自制的Y2W3O12陶瓷靶材，利用脉冲激光沉积法制备并在沉积仓内于900－1100℃原位退火制备得到，该Y2W3O12薄膜响应温度范围宽，负热膨胀性能稳定，且制备温度低、无需淬火、热处理工艺简单。脉冲激光沉积法使沉积的Y2W3O12薄膜和靶材的化学成分保持良好的一致性，同时逸出粒子具有较大的能量有利于薄膜生长，原位退火后制备薄膜质量高，制备过程具有良好的可重复性、制备周期短、成本低，具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN105254297A
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201510632044.0
申请日：2015-09-29
Applicant: 扬州大学
IPC: C04B35/495 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种负热膨胀陶瓷材料ScxIn2-xW3O12及其制备方法。其中1≤x≤1.2。属于无机非金属负热膨胀功能材料领域，该负热膨胀ScxIn2-xW3O12陶瓷材料以Sc2O3、In2O3和WO3为原料，采用固相法制备，按照一定的摩尔比通过对原料氧化物称量、球磨、成型和在950-1200℃烧结，制备得到的负热膨胀材料ScxIn2-xW3O12陶瓷结构致密，在室温到其熔点温度范围内具有稳定的负热膨胀性能。例如ScInW3O12陶瓷在室温到700℃的温度范围内，其线热膨胀系数为-5.97×10-6/K，热膨胀曲线近乎线性，无相变发生，热膨胀性能稳定，具有较好的负热膨胀性能，同时本发明所提供的制备负热膨胀材料ScxIn2-xW3O12的制备方法较为简单，制备周期短、成本低、环保无污染，因而具有较好的应用前景。
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公开(公告)号：CN107151141A
公开(公告)日：2017-09-12
申请号：CN201710347474.7
申请日：2017-05-17
Applicant: 扬州大学
IPC: C04B35/495 , C04B35/626 , C04B35/634 , C04B35/638
CPC classification number: C04B35/495 , C04B35/62605 , C04B35/63416 , C04B35/638 , C04B2235/3224 , C04B2235/3286 , C04B2235/9607
Abstract: 本发明公开了一种负热膨胀陶瓷材料ScxIn2‑xMo3O12及其制备方法。其中1.4≤x≤1.6。属于无机非金属功能材料领域，该负热膨胀ScxIn2‑xMo3O12陶瓷材料以高纯度Sc2O3、In2O3和MoO3为原料，采用固相法制备，按照一定的摩尔比通过对原料氧化物称量、球磨、成型和在750‑1100℃烧结，制备得到的斜方向负热膨胀材料ScxIn2‑xMo3O12陶瓷，其结构致密，在室温到其熔点温度范围内具有稳定的负热膨胀性能。例如Sc1.5In0.5Mo3O12陶瓷在室温到700℃的温度范围内，其线热膨胀系数为‑3.99×10‑6/K，热膨胀曲线近乎线性，无相变发生，热膨胀性能稳定，具有较好的负热膨胀性能，同时本发明所提供的制备负热膨胀材料ScxIn2‑xMo3O12的制备方法较为简单，制备周期短、环保无污染，因而具有较好的应用前景。
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公开(公告)号：CN105177511A
公开(公告)日：2015-12-23
申请号：CN201510631552.7
申请日：2015-09-29
Applicant: 扬州大学
Abstract: 本发明公开了一种负热膨胀材料Sc2Mo3O12薄膜的制备方法。属于无机功能薄膜材料制备技术领域，具体方法是采用脉冲激光法制备负热膨胀Sc2Mo3O12薄膜。本发明的优点在于利用脉冲激光沉积法制备Sc2Mo3O12薄膜，该Sc2Mo3O12薄膜负热膨胀响应温度范围宽，性能稳定，且制备温度低、无需淬火、热处理工艺简单。脉冲激光沉积法沉积的Sc2Mo3O12薄膜和靶材的化学成分保持良好的一致性，同时逸出粒子具有较大的能量有利于薄膜生长，制备薄膜质量高，制备过程具有良好的可重复性。
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公开(公告)号：CN207447259U
公开(公告)日：2018-06-05
申请号：CN201721303220.7
申请日：2017-10-11
Applicant: 扬州大学
IPC: B21J13/14
Abstract: 一种通用液压式热模锻下顶料机构，包括液压缸、液压杆、调节胀套、杠杆、顶料摆杆、感应架、接近开关及螺栓。液压缸左端安装在机架左梁上，右端通过液压缸螺纹与调节胀套固定联接；杠杆下端与调节胀套相配合，可自由转动，上端与顶料摆杆通过螺栓固定链接；感应架安装在顶料摆杆上；接近开关安装在机架顶座上。需要调整顶料行程时，调整接近开关位置，控制接近开关与感应架的距离。需要调整顶料速度时，调整液压缸进出油的切换速度，改变摆杆运动速度。需要调整顶料位置时，调整进出油的油量，改变液压杆的伸出长度，调节杠杆运动位置。本实用新型结构简单、运行安全、经济效益高，满足热模锻生产线设备多样化、通用化需求。
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