公开(公告)号：CN1301781A

公开(公告)日：2001-07-04

申请号：CN00137404.4

申请日：2000-11-18

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 奥村和人 ,  安藤豪彦

IPC: C08J5/18 ,  C08L1/08 ,  G02F1/13

CPC classification number: C08J5/18 ,  G02F1/1333

Abstract: 一种保护液晶显示器显示表面的膜,该膜包括一种聚合物膜,其弯曲应力系数k可用如下公式表云:k=Eh3,其中E是在轴向的抗拉弹性模量(N/mm2)、h是厚度(mm),k值不小于0.01N·mm,该膜在温度为35℃、相对湿度为80%的环境下72小时内湿气渗透的量不小于100g/m2·72hr。装配时将保护膜覆盖在液晶模块的显示表面上,并具有极优越的可操作性能。在产品发送后将保护膜撕去时的实际使用中该膜可防显示表面上出现光学色调变化(彩色阴影)。

公开(公告)号：CN118050833A

公开(公告)日：2024-05-17

申请号：CN202311525066.8

申请日：2023-11-16

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 横井辽太郎 ,  田中一生 ,  安藤豪彦

IPC: G02B1/18 ,  C08J7/04 ,  C09D133/08 ,  C09D175/14 ,  C09D135/02 ,  C08L1/12 ,  H01L31/0216 ,  C23C14/34 ,  C23C14/56

Abstract: 本发明提供一种光学薄膜。光学薄膜(100)在透明薄膜基材(10)的一个主面上具备硬涂层(11)，且具备防污层(7)作为硬涂层上的最表面层。光学薄膜的反射率为1％以上。光学薄膜的防污层侧的面的油酸接触角为70°以上，防污层侧的面的算术平均高度Sa为0.1～1μm。本发明的光学薄膜在指纹等污迹附着时污迹不易显眼、并且附着的污染物质的擦拭去除性优异。

公开(公告)号：CN113168934B

公开(公告)日：2023-05-05

申请号：CN201980072697.4

申请日：2019-10-31

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 藤野望 ,  安藤豪彦

IPC: H01B5/14 ,  G02B5/30 ,  G09F9/00 ,  G06F3/041

Abstract: 触摸面板用带有透光性导电层的薄膜1具备薄膜基材2和透光性导电层3。透光性导电层3和被加热透光性导电层3α均为非晶质。将透光性导电层3的载流子密度设为Xa×1019(/cm3)、将霍尔迁移率设为Ya(cm2/V·s)，且将被加热透光性导电层3α的载流子密度设为Xc×1019(/cm3)、将霍尔迁移率设为Yc(cm2/V·s)时，满足下述式(1)和式(2)这两者。0.5≤(Xc/Xa)×(Yc/Ya)≤1.8(1)、Yc>Ya(2)。

公开(公告)号：CN114651197A

公开(公告)日：2022-06-21

申请号：CN202080078119.4

申请日：2020-11-10

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 远藤宽也 ,  桥本尚树 ,  安藤豪彦

IPC: G02B5/02 ,  G09F9/00 ,  B32B7/023 ,  G02F1/1335

Abstract: 本发明提供一种雾度值不易变化的防眩性膜。本发明的防眩性膜，其为在透光性基材(A)(11)上层叠有防眩层(B)(12)的防眩性膜(10)，其特征在于：防眩层(B)(12)包含防眩层形成用树脂(B1)(12a)与至少一种雾度调整用填料(B2)(12b)；雾度调整用填料(B2)(12b)在利用纳米压痕法施加2000μN的载荷时，位移量为1540nm以下，且弹性回复率为30％以上；防眩性膜10的总雾度值为5～45％的范围。

公开(公告)号：CN114651196A

公开(公告)日：2022-06-21

申请号：CN202080078118.X

申请日：2020-11-10

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 远藤宽也 ,  桥本尚树 ,  安藤豪彦

IPC: G02B5/02 ,  G09F9/00 ,  B32B7/023 ,  G02F1/1335

Abstract: 本发明提供一种雾度值不易变化的防眩性膜。本发明的防眩性膜，其为在透光性基材(A)(11)上层叠有防眩层(B)(12)的防眩性膜(10)，其特征在于：防眩层(B)(12)包含防眩层形成用树脂(B1)(12a)与至少一种雾度调整用填料(B2)(12b)；雾度调整用填料(B2)(12b)是由Pst(聚苯乙烯)与PMMA(聚甲基丙烯酸甲酯)的共聚物所构成的填料；所述雾度调整用填料(B2)(12b)单体的利用拉曼分光光谱所得PMMA波峰/Pst波峰的波峰面积比为0.51以上，且所述波峰面积是以与相邻波峰的间的极小点作为边界算出的波峰面积；防眩性膜(10)的总雾度值为5～45％的范围。

公开(公告)号：CN114144702A

公开(公告)日：2022-03-04

申请号：CN202180004606.0

申请日：2021-02-04

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 桥本尚树 ,  中川大五郎 ,  岛谷和宏 ,  波多野良知 ,  安藤豪彦 ,  中田美惠

IPC: G02B1/14 ,  G02B5/02 ,  G02B5/30 ,  G02F1/1335

Abstract: 提供一种反射眩光得到抑制、并且抑制或防止了条纹和横向条痕的防眩性硬涂薄膜。一种防眩性硬涂薄膜(10)，其特征在于，在透光性基材(A)(11)上层叠有防眩性硬涂层(B)(12)，防眩性硬涂层(B)(12)由树脂层(12a)形成，在树脂层(12a)内部包含第1颗粒(12b1)和第2颗粒(12b2)，第1颗粒(12b1)与第2颗粒(12b2)的质量的合计相对于形成树脂层(12a)的树脂的总质量为2～25质量％，在防眩性硬涂薄膜(10)中的防眩性硬涂层(B)(12)侧的最表面形成有凹凸，第1颗粒(12b1)的重均粒径满足下述数学式(1)，第2颗粒(12b2)的重均粒径满足下述数学式(2)，所述最表面的凹凸形状满足下述数学式(3)和(4)。3.0＜d1≤8.5[μm](1)；1.0≤d2≤3.0[μm](2)；Ry：1.0≤Ry≤7.0[μm](3)；θa：1.0≤θa≤7.5[°](4)。所述数学式(1)中，d1为所述第1颗粒的重均粒径[μm]，所述数学式(2)中，d2为所述第2颗粒的重均粒径[μm]，所述数学式(3)中，Ry为所述凹凸的凸部的最大高度[μm]，所述数学式(4)中，θa为所述凹凸的平均倾斜角[°]。

公开(公告)号：CN114040842A

公开(公告)日：2022-02-11

申请号：CN202080046631.0

申请日：2020-06-12

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 竹下翔也 ,  安藤豪彦

IPC: B32B9/00 ,  H01B5/14 ,  H01B13/00 ,  C23C14/08 ,  C23C14/58 ,  B32B7/025

Abstract: 结晶化铟锡复合氧化物膜1具有35nm以上的厚度。结晶化铟锡复合氧化物膜1含有平均粒径为110nm以上的晶粒。

公开(公告)号：CN111372776A

公开(公告)日：2020-07-03

申请号：CN201880075701.8

申请日：2018-10-18

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 河野文彦 ,  松本圭祐 ,  安藤豪彦

IPC: B32B27/18 ,  H01B5/14

Abstract: 透明导电性薄膜依次具备：透明树脂基材、硬涂层、光学调整层、密合层、和透明导电层。密合层为含有纳米二氧化硅颗粒的树脂层，密合层的透明导电层侧的表面中，硅原子数相对于碳原子数的比为0.50以上。

公开(公告)号：CN111148626A

公开(公告)日：2020-05-12

申请号：CN201880062416.2

申请日：2018-09-26

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 松本圭祐 ,  加藤久登 ,  岩松祥平 ,  安藤豪彦

IPC: B32B7/025 ,  B32B7/02 ,  B32B27/38 ,  C23C14/08 ,  C23C14/34 ,  H01B5/14

Abstract: 透明导电性薄膜依次具备透明树脂基材、光学调整层和透明导电层，光学调整层的基于JIS Z 2255的硬度为0.5GPa以上，透明导电层的表面粗糙度Ra为40nm以下。

公开(公告)号：CN110619972A

公开(公告)日：2019-12-27

申请号：CN201910526304.4

申请日：2019-06-18

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 松本圭祐 ,  河野文彦 ,  竹下翔也 ,  安藤豪彦

IPC: H01B5/14 ,  G02B5/30 ,  G09F9/00

Abstract: 本发明涉及带有基底层的薄膜、透明导电性薄膜、透明导电性薄膜层叠体及图像显示装置。所述带有基底层的薄膜具备透明基材、以及在透明基材的厚度方向一侧配置的基底层。所述带有基底层的薄膜的波长590nm下的面内相位差为10.0nm以下。基底层在厚度方向一侧200nm深度下其塑性变形量为50nm以下。