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公开(公告)号：CN114127956A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202080051447.5
申请日：2020-07-17
Applicant: 日新电机株式会社
IPC: H01L29/786 , C23C14/08 , C23C14/34
Abstract: 本发明提供一种薄膜晶体管的制造方法，能够高效率地形成与其他层的界面处的氧缺失等缺陷少的氧化物半导体层。本发明的薄膜晶体管的制造方法是制造在基板上层叠有栅极电极、栅极绝缘层、氧化物半导体层、源极电极及漏极电极的薄膜晶体管的方法，其包括通过使用等离子体来溅射靶材而形成所述氧化物半导体层的半导体层形成步骤，且所述半导体层形成步骤包括：高速成膜步骤，对所述靶材施加规定值的偏压来进行溅射；以及低速成膜步骤，对所述靶材施加绝对值较所述规定值小的偏压来进行溅射。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119999337A
公开(公告)日：2025-05-13
申请号：CN202380071391.3
申请日：2023-09-27
Applicant: 日新电机株式会社
Inventor： 松尾大辅
IPC: H05H1/46 , C23C16/505 , H01L21/205 , H01L21/3065 , H01L21/31
Abstract: 一种等离子体处理装置，使高频电流流经在形成处理室的真空容器的外部设置的天线，且在所述处理室内产生等离子体，所述等离子体处理装置包括：狭缝板，以将形成于所述真空容器的面向所述天线的位置的开口堵塞的方式设置；以及介电板，自所述真空容器的外侧堵塞形成于所述狭缝板的狭缝，所述狭缝板包括环状的框体、以及排列架设于所述框体的多个梁状构件，由所述多个梁状构件间的间隙形成所述狭缝。
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公开(公告)号：CN119856574A
公开(公告)日：2025-04-18
申请号：CN202380066602.4
申请日：2023-10-12
Applicant: 日新电机株式会社
Inventor： 松尾大辅
IPC: H05H1/46
Abstract: 本发明提供一种即便在设置多个天线的情况下也可容易地实现紧凑化的等离子体处理装置。等离子体处理装置（1）包括真空容器（2）及天线部（14）。天线部（14）包括：导体（14a1）；两个天线（14b、14c），并联设置；第一电容器（C1a），具有导体侧电极（C11）、及与天线（14b）连接的第一天线电极（C12a）；以及第二电容器（C1b），具有导体侧电极（C11）、及与天线（14c）连接的第二天线电极（C12b）。
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公开(公告)号：CN118510937A
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202380016354.2
申请日：2023-01-26
Applicant: 日新电机株式会社
Abstract: 本发明提供一种能够提高靶附近的等离子体密度的溅镀装置。溅镀装置(1)包括：靶(Tr)，以与载置于载台(H)上的被处理物(H1)相向的方式，配置于真空容器(2)的内部；高频窗(11)，包括具有狭缝(12s)的金属板(12)及介电体(13)，为了在真空容器(2)的内部产生等离子体，而将高频磁场导入至真空容器(2)的内部，并且设置于真空容器(2)的安装有靶(Tr)的壁面；以及直线状天线(14)，在真空容器(2)的外部接近于高频窗(11)而配置，并且产生高频磁场。高频窗(11)具有以轴与所述壁面平行的方式设置的半圆筒状部(11a)。
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公开(公告)号：CN110382734A
公开(公告)日：2019-10-25
申请号：CN201880016032.7
申请日：2018-03-14
Applicant: 日新电机株式会社
Abstract: 本发明在使用等离子体的溅射装置中提高成膜的均匀性。本发明的溅射装置100使用等离子体P对靶T进行溅射而于基板W上成膜，且包括：真空容器2，经真空排气且供导入气体；基板保持部3，在真空容器2内保持基板W；靶保持部4，在真空容器2内保持靶T；多根天线5，沿着由基板保持部3所保持的基板W的表面而排列，且产生等离子体P；以及往返扫描机构14，使基板保持部3沿着多根天线5的排列方向X而往返扫描。
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