公开(公告)号：CN108883970B

公开(公告)日：2022-08-02

申请号：CN201780020661.2

申请日：2017-03-22

Applicant: 日本电气硝子株式会社

Inventor： 马屋原芳夫 ,  姬井久美子

IPC: C03C8/20 ,  C03C8/02 ,  C03C14/00 ,  F21V7/24 ,  G02B5/02 ,  G02B5/08 ,  H01L33/60 ,  F21Y115/10 ,  F21Y115/15

Abstract: 本发明的复合粉末的特征在于，在包含玻璃粉末和陶瓷粉末的复合粉末中，玻璃粉末的含量为30～60体积％，陶瓷粉末的含量为40～70体积％，玻璃粉末以质量％计含有SiO210～30％、B2O3大于20％且40％以下、SrO+BaO 20～40％、Al2O30～10％、ZnO 0～15％作为玻璃组成，且用于光反射基材。

公开(公告)号：CN110268516A

公开(公告)日：2019-09-20

申请号：CN201880010946.2

申请日：2018-02-19

Applicant: 日本电气硝子株式会社

Inventor： 广濑将行 ,  马屋原芳夫

IPC: H01L23/04 ,  H01L23/02 ,  H01L23/08

Abstract: 本发明的封装件基体的特征在于，具有大致矩形的基部以及沿着该基部的外周设置的大致边框状的框部，在该框部的所有内壁角部或者一部分内壁角部具有应力缓冲部。

公开(公告)号：CN108883970A

公开(公告)日：2018-11-23

申请号：CN201780020661.2

申请日：2017-03-22

Applicant: 日本电气硝子株式会社

Inventor： 马屋原芳夫 ,  姬井久美子

IPC: C03C8/20 ,  C03C8/02 ,  C03C14/00 ,  F21V7/22 ,  G02B5/02 ,  G02B5/08 ,  H01L33/60 ,  F21Y115/10 ,  F21Y115/15

CPC classification number: C03C8/02 ,  C03C8/20 ,  C03C14/00 ,  F21V7/22 ,  G02B5/02 ,  G02B5/08 ,  H01L33/60

Abstract: 本发明的复合粉末的特征在于，在包含玻璃粉末和陶瓷粉末的复合粉末中，玻璃粉末的含量为30～60体积％，陶瓷粉末的含量为40～70体积％，玻璃粉末以质量％计含有SiO2 10～30％、B2O3大于20％且40％以下、SrO+BaO 20～40％、Al2O3 0～10％、ZnO 0～15％作为玻璃组成，且用于光反射基材。

公开(公告)号：CN102176412B

公开(公告)日：2013-12-25

申请号：CN201110006524.8

申请日：2008-10-28

Applicant: 日本电气硝子株式会社

Inventor： 马屋原芳夫 ,  铃木良太 ,  西川欣克 ,  池边胜 ,  森弘树 ,  长谷川义德

IPC: H01L21/22 ,  C03C12/00

CPC classification number: C03B19/06 ,  C03C3/064 ,  C03C3/091 ,  C03C10/0054 ,  C03C12/00 ,  Y02P40/57

Abstract: 本发明提供一种耐热性高且B2O3挥发量多的掺杂剂源，并且提供一种材质均匀、在每次使用时挥发的硼的量稳定、且廉价的半导体用硼掺杂材料。该掺杂剂源含有SiO2为20～50摩尔％、Al2O3为30～60摩尔％(其中不包括30摩尔％)、B2O3为10～40摩尔％、RO(R是碱土金属)为2～10摩尔％的组成，或者，该掺杂剂源由包括硼成分挥发层和耐热层的叠层体构成，该硼成分挥发层含有SiO2为30～60摩尔％、Al2O3为10～30摩尔％、B2O3为15～50摩尔％、RO(R是碱土金属)为2～10摩尔％的组成，该耐热层含有SiO2为8～30摩尔％、Al2O3为50～85摩尔％、B2O3为5～20摩尔％、RO(R是碱土金属)为0.5～7摩尔％的组成。该半导体用硼掺杂材料的制造方法包括：使含有含硼结晶性玻璃粉末的原料粉末浆料化的工序；使得到的浆料成型，得到生片的工序；和对生片进行烧结的工序。

公开(公告)号：CN102834746A

公开(公告)日：2012-12-19

申请号：CN201180018245.1

申请日：2011-04-05

Applicant: 日本电气硝子株式会社

Inventor： 马屋原芳夫

IPC: G02B5/08 ,  C03C10/02 ,  F21V7/22

CPC classification number: G02B1/02 ,  C03C14/00 ,  C03C14/004 ,  C03C2214/04 ,  C03C2214/08 ,  F21V7/22 ,  G02B5/0284 ,  G02B5/08 ,  G02B5/0808

Abstract: 本发明的目的在于提供能够易于制造具有高光反射率的光反射基材的材料。本发明的光反射基材用材料，其特征在于，作为组成，含有Nb2O5结晶粉末和实质上不含CaO的玻璃粉末。

公开(公告)号：CN102176412A

公开(公告)日：2011-09-07

申请号：CN201110006524.8

申请日：2008-10-28

Applicant: 日本电气硝子株式会社

Inventor： 马屋原芳夫 ,  铃木良太 ,  西川欣克 ,  池边胜 ,  森弘树 ,  长谷川义德

IPC: H01L21/22 ,  C03C12/00

CPC classification number: C03B19/06 ,  C03C3/064 ,  C03C3/091 ,  C03C10/0054 ,  C03C12/00 ,  Y02P40/57

Abstract: 本发明提供一种耐热性高且B2O3挥发量多的掺杂剂源，并且提供一种材质均匀、在每次使用时挥发的硼的量稳定、且廉价的半导体用硼掺杂材料。该掺杂剂源含有SiO2为20～50摩尔％、Al2O3为30～60摩尔％(其中不包括30摩尔％)、B2O3为10～40摩尔％、RO(R是碱土金属)为2～10摩尔％的组成，或者，该掺杂剂源由包括硼成分挥发层和耐热层的叠层体构成，该硼成分挥发层含有SiO2为30～60摩尔％、Al2O3为10～30摩尔％、B2O3为15～50摩尔％、RO(R是碱土金属)为2～10摩尔％的组成，该耐热层含有SiO2为8～30摩尔％、Al2O3为50～85摩尔％、B2O3为5～20摩尔％、RO(R是碱土金属)为0.5～7摩尔％的组成。该半导体用硼掺杂材料的制造方法包括：使含有含硼结晶性玻璃粉末的原料粉末浆料化的工序；使得到的浆料成型，得到生片的工序；和对生片进行烧结的工序。

公开(公告)号：CN101636819A

公开(公告)日：2010-01-27

申请号：CN200880008599.6

申请日：2008-10-28

Applicant: 日本电气硝子株式会社

Inventor： 马屋原芳夫 ,  铃木良太 ,  西川欣克 ,  池边胜 ,  森弘树 ,  长谷川义德

IPC: H01L21/223

CPC classification number: H01L21/2225

Abstract: 本发明提供一种耐热性高且B 2 O 3 挥发量多的掺杂剂源，并且提供一种材质均匀、在每次使用时挥发的硼的量稳定、且廉价的半导体用硼掺杂材料。该掺杂剂源含有SiO 2 为20～50摩尔％、Al 2 O 3 为30～60摩尔％(其中不包括30摩尔％)、B 2 O 3 为10～40摩尔％、RO(R是碱土金属)为2～10摩尔％的组成，或者，该掺杂剂源由包括硼成分挥发层和耐热层的叠层体构成，该硼成分挥发层含有SiO 2 为30～60摩尔％、Al 2 O 3 为10～30摩尔％、B 2 O 3 为15～50摩尔％、RO(R是碱土金属)为2～10摩尔％的组成，该耐热层含有SiO 2 为8～30摩尔％、Al 2 O 3 为50～85摩尔％、B 2 O 3 为5～20摩尔％、RO(R是碱土金属)为0.5～7摩尔％的组成。该半导体用硼掺杂材料的制造方法包括：使含有含硼结晶性玻璃粉末的原料粉末浆料化的工序；使得到的浆料成型，得到生片的工序；和对生片进行烧结的工序。