公开(公告)号：CN105474364B

公开(公告)日：2018-11-16

申请号：CN201480042330.5

申请日：2014-07-24

申请人： 新南创新私人有限公司

发明人： 布雷特·杰森·哈拉姆 ,  马修·布鲁斯·爱德华兹 ,  斯图尔特·罗斯·文哈姆 ,  菲利普·乔治·哈默 ,  凯瑟琳·艾米丽·尚 ,  张子文 ,  吕珮玄 ,  林·迈 ,  宋立辉 ,  阿德莱恩·苏吉安托 ,  艾利森·马里·文哈姆 ,  徐光琦

IPC分类号： H01L21/22 ,  H01L21/24 ,  H01L21/30 ,  H01L21/322 ,  H01L21/324

CPC分类号： H01L31/068 ,  H01L21/2225 ,  H01L21/2255 ,  H01L21/3003 ,  H01L21/324 ,  H01L31/0288 ,  H01L31/035272 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/186 ,  H01L31/1864 ,  H01L31/1876 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

摘要： 一种具有多个晶体硅区域的硅器件。一种晶体硅区域是掺杂的晶体硅区域。通过将氢原子引入至掺杂的5晶体硅区域内，由此所述氢以库仑力键合一些或所有的掺杂剂原子以钝化各自的掺杂剂原子从而实现钝化掺杂的晶体硅区域中的一些或所有的掺杂剂原子。钝化的掺杂剂原子可以通过加热和光照掺杂的晶体硅区域而断裂至少一些所述掺杂剂‑氢键，而且同时维持产生高浓度的中性氢原子的条件进行重新活化，由此10一些所述氢原子从所述掺杂的晶体硅区域扩散而不会重新结合至掺杂剂原子。

公开(公告)号：CN108695344A

公开(公告)日：2018-10-23

申请号：CN201810287582.4

申请日：2018-04-03

申请人： 浜松光子学株式会社

发明人： 村松雅治 ,  宫﨑康人 ,  高桥弘孝

IPC分类号： H01L27/144 ,  H01L21/82 ,  H01L21/761

CPC分类号： H01L27/1463 ,  H01L21/2225 ,  H01L21/2254 ,  H01L21/3065 ,  H01L27/14623 ,  H01L27/14685 ,  H01L27/1443 ,  H01L21/761 ,  H01L21/82 ,  H01L27/1446

摘要： 本发明涉及光半导体装置的制造方法。光半导体装置(1)的制造方法具备：准备具有多个光电转换部的半导体基板、以将多个光电转换部的各个互相隔开的方式将沟槽形成于半导体基板、由气相生长法将硼层形成于沟槽的内面、通过对硼层施以热扩散处理从而沿着沟槽的内面将累积层形成于半导体基板。

公开(公告)号：CN107484432A

公开(公告)日：2017-12-15

申请号：CN201680021806.6

申请日：2016-03-24

申请人： 默克专利股份有限公司

发明人： O·多尔 ,  I·科勒 ,  S·巴斯

IPC分类号： H01L21/22 ,  H01L31/18

CPC分类号： H01L21/2254 ,  C09D11/03 ,  C09D11/32 ,  C09D11/52 ,  C30B31/04 ,  H01L21/2225 ,  H01L21/223 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

摘要： 本发明涉及在有机聚合物颗粒的存在下，呈基于无机氧化物的前体，优选地二氧化硅、氧化铝和氧化硼的前体的杂化凝胶形式的新的可印刷的硼掺杂糊料，其中根据本发明的糊料可以用于制备太阳能电池的简化方法中，其中根据本发明的杂化凝胶起到掺杂介质以及扩散屏障二者的作用。

公开(公告)号：CN104599956B

公开(公告)日：2017-06-20

申请号：CN201410412614.0

申请日：2014-08-20

申请人： 加利福尼亚大学董事会 ,  罗门哈斯电子材料有限公司

发明人： P·特雷福纳斯三世 ,  R·A·赛格曼 ,  M·L·霍弗瑞斯特 ,  A·吉维 ,  竹井邦晴

IPC分类号： H01L21/225

CPC分类号： H01L21/2254 ,  H01L21/0455 ,  H01L21/2225 ,  H01L21/225 ,  H01L21/228 ,  H01L21/385

摘要： 通过包含聚合物膜的掺杂剂掺杂基材。本文公开了一种用于掺杂基材的方法，所述方法包括在基材上设置包含含掺杂剂聚合物和非极性溶剂的组合物的涂层；在750‑1300℃的温度下退火1秒至24小时，以使所述掺杂剂扩散到基材中；其中所述含掺杂剂聚合物是具有共价结合的掺杂剂原子的聚合物，所述含掺杂剂聚合物不含氮和硅；所述方法不包括在退火步骤之前在涂层上形成氧化物封盖层的步骤。

公开(公告)号：CN106463366A

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：CN201580023013.3

申请日：2015-04-17

申请人： 赢创德固赛有限公司

发明人： C.马德 ,  C.京特 ,  J.埃尔茨 ,  S.马滕斯 ,  J.莱姆库尔 ,  S.特劳特 ,  O.旺尼克

IPC分类号： H01L21/22 ,  H01L21/228 ,  H01L31/18

CPC分类号： H01L31/1804 ,  H01L21/2225 ,  H01L21/228 ,  H01L31/1864 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

摘要： 本发明涉及用于掺杂半导体衬底的液相法，其特征在于将含有至少一种第一掺杂剂的第一组合物施加到半导体衬底的表面的一个或多个区域上，以制造半导体衬底的表面的被第一组合物涂覆的一个或多个区域；将含有至少一种第二掺杂剂的第二组合物施加到半导体衬底的表面的一个或多个区域上，以制造半导体衬底的表面的被第二组合物涂覆的一个或多个区域，其中所述被第一组合物涂覆的一个或多个区域和所述被第二组合物涂覆的一个或多个区域不同并且没有显著重叠，且其中第一掺杂剂是n型掺杂剂且第二掺杂剂是p型掺杂剂或反之亦然；将半导体衬底的表面的被第一组合物和被第二组合物涂覆的区域各自完全或部分活化；任选地，将半导体衬底的表面的被第一组合物和被第二组合物涂覆的未活化区域各自氧化；和将半导体衬底加热到使掺杂剂从所述涂层扩散到所述半导体衬底中的温度。本发明还涉及可通过该方法获得

公开(公告)号：CN103688341B

公开(公告)日：2016-09-28

申请号：CN201280035500.8

申请日：2012-07-17

申请人： 日立化成株式会社

发明人： 町井洋一 ,  吉田诚人 ,  野尻刚 ,  岩室光则 ,  织田明博 ,  足立修一郎 ,  佐藤铁也

IPC分类号： H01L21/225 ,  H01L31/04 ,  H01L31/18

CPC分类号： H01L21/2255 ,  H01L21/2225 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/1864 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

摘要： 一种n型扩散层形成用组合物，其包括：含有P2O5、SiO2及CaO的玻璃粉末，以及分散介质。通过将该n型扩散层形成用组合物涂布于半导体基板上并实施热扩散处理，从而制造n型扩散层、及具有n型扩散层的太阳能电池元件。

公开(公告)号：CN105870002A

公开(公告)日：2016-08-17

申请号：CN201610321787.0

申请日：2016-05-13

申请人： 江苏佑风微电子有限公司

发明人： 郏金鹏 ,  陈诚 ,  王平 ,  王峰 ,  张各海 ,  袁超 ,  张凌鹓

IPC分类号： H01L21/223

CPC分类号： H01L21/2225 ,  H01L21/223

摘要： 本发明涉及半导体晶片制造领域，特别是一种制造半导体晶片用硅片的杂质源扩散方法，包括以下步骤，将硅片放入密闭的高温扩散炉中，向高温扩散炉中通入氮气和磷源，使携带磷源的氮气经高温热分解和硅片表面反应，还原出杂质原子并向硅片内部扩散，从而使得硅片上、下表面的杂质浓度和杂质扩散结深得到控制。本发明利用氮气携带磷源进行磷源气态扩散，采用对硅片的上、下表面同时通气的方法，使得硅晶片上、下表面进行扩散形成PN结，有效地控制半导体硅片最外层表面的杂质浓度和杂质扩散结深，以达到硅晶片正反方向击穿电压一致，保证了半导体电压瞬变双向保护器件的晶片的质量和良率。

公开(公告)号：CN102194672B

公开(公告)日：2016-07-06

申请号：CN201110030986.3

申请日：2011-01-25

申请人： 日立化成工业株式会社

发明人： 町井洋一 ,  吉田诚人 ,  野尻刚 ,  冈庭香 ,  岩室光则 ,  足立修一郎 ,  青柳拓也

IPC分类号： H01L21/22 ,  C03C12/00 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/18

CPC分类号： H01L21/2255 ,  H01L21/2225 ,  H01L31/068 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

摘要： 本发明提供一种用于形成n型扩散层的组合物和方法，以及制备广泛电池的方法。所述组合物能够在使用硅基板的光伏电池的制造工艺中，在基板的某个部分上形成n型扩散层，而且不形成不必要的n型扩散层。根据本发明的用于形成n型扩散层的组合物包含含给体元素的玻璃粉末和分散介质。n型扩散层和具有n型扩散层的光伏电池通过下列方法制备：涂敷用于形成n型扩散层的组合物，随后进行热扩散处理。

公开(公告)号：CN105489662A

公开(公告)日：2016-04-13

申请号：CN201510849338.9

申请日：2012-07-17

申请人： 日立化成株式会社

发明人： 町井洋一 ,  吉田诚人 ,  野尻刚 ,  岩室光则 ,  织田明博 ,  足立修一郎 ,  佐藤铁也

IPC分类号： H01L31/0224 ,  H01L31/18 ,  H01L21/22 ,  H01L21/225

CPC分类号： H01L21/2255 ,  H01L21/2225 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/1864 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

摘要： 一种n型扩散层形成用组合物，其包括：含有P2O5、SiO2及CaO的玻璃粉末，以及分散介质。通过将该n型扩散层形成用组合物涂布于半导体基板上并实施热扩散处理，从而制造n型扩散层、及具有n型扩散层的太阳能电池元件。

公开(公告)号：CN102468439B

公开(公告)日：2015-09-30

申请号：CN201110365158.5

申请日：2011-11-11

申请人： 东京应化工业株式会社

发明人： 森田敏郎 ,  神园乔

IPC分类号： H01L51/00 ,  H01L31/18 ,  H01L21/225

CPC分类号： H01L31/186 ,  H01L21/2225 ,  H01L21/2254 ,  H01L21/228 ,  H01L31/0682 ,  H01L31/1804 ,  H01L51/0096 ,  H01L51/448 ,  H01L51/5253 ,  Y02E10/547 ,  Y02E10/549 ,  Y02P70/521

摘要： 本发明提供扩散剂组合物，该扩散剂组合物含有缩合产物(A)和杂质扩散成分(B)。缩合产物(A)是水解烷氧基硅烷而得到的反应产物。杂质扩散成分(B)是磷酸单酯、磷酸二酯或它们的混合物。