公开(公告)号：CN1591906A

公开(公告)日：2005-03-09

申请号：CN200410068632.8

申请日：2004-09-03

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 木下敦宽 ,  古贺淳二

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/785 ,  H01L21/84 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/458 ,  H01L29/6653 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/66643 ,  H01L29/66772 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7833 ,  H01L29/7839 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78645

Abstract: 提供一种场效应型晶体管及其制造方法，可以降低源·漏的寄生电阻，抑制短沟道效应且降低泄露电流。该场效应型晶体管，包括：构成沟道区的第一半导体区；在上述第一半导体区上夹着栅绝缘膜形成的栅电极；对应于上述栅电极，在上述第一半导体区的两侧形成的源·漏电极；以及在上述第一半导体区和上述源·漏电极之间分别形成的、杂质浓度比上述第一半导体区高的第二半导体区，且上述第二半导体区的与上述沟道区相接的部分，在无电压施加的状态下在整个沟道长度方向上被耗尽化。沟道长度方向上的厚度小于等于10nm，且形成为比由杂质浓度决定的耗尽层宽度更薄。