公开(公告)号：CN1275232C

公开(公告)日：2006-09-13

申请号：CN200410045124.8

申请日：2004-03-17

Applicant: 株式会社东芝 ,  昭和电工株式会社

Inventor： 前田知幸 ,  彦坂和志 ,  中村太 ,  岩崎刚之 ,  酒井浩志 ,  清水谦治 ,  坂腋彰

IPC: G11B5/708

CPC classification number: G11B5/65 ,  G11B5/653 ,  G11B5/656

Abstract: 本文公开的是一种磁记录介质，其包括一衬底(11)，一底层(13，14)，以及一垂直磁记录层(15)，其中这个垂直磁记录层包括磁性晶粒和环绕该磁性晶粒的基质，并且该基质包含从Zn，Cd，Al，Ga和In中选出的一种元素，以及从P，As，Sb，S，Se和Te中选出的一种元素。

公开(公告)号：CN1802697A

公开(公告)日：2006-07-12

申请号：CN200480015635.3

申请日：2004-04-07

Applicant: 昭和电工株式会社 ,  株式会社东芝

Inventor： 坂胁彰 ,  清水谦治 ,  小林一雄 ,  酒井浩志 ,  及川壮一 ,  岩崎刚之 ,  前田知幸 ,  中村太

IPC: G11B5/66 ,  G11B5/851

Abstract: 一种磁记录介质，其在非磁性基片1上提供至少：取向控制层3，用来控制直接形成于其上的层的取向、垂直磁性层4，具有取向基本垂直于非磁性基片1的易磁化轴、以及保护层5，其特征在于，垂直磁性层4包括两个或更多个磁性层，所述磁性层中的至少一个是主要成分为Co、还包含Pt且包含氧化物的层4a，并且所述磁性层的至少另一个是主要成分为Co、还包含Cr且不包含氧化物的层4b。

公开(公告)号：CN1735932A

公开(公告)日：2006-02-15

申请号：CN200480002118.2

申请日：2004-01-14

Applicant: 昭和电工株式会社 ,  株式会社东芝

Inventor： 清水谦治 ,  坂胁彰 ,  小林一雄 ,  N·T·董 ,  酒井浩志 ,  彦坂和志 ,  及川壮一 ,  前田知幸 ,  中村太

IPC: G11B5/64

CPC classification number: G11B5/667 ,  G11B5/65 ,  G11B5/656 ,  G11B5/7325 ,  G11B5/8404

Abstract: 一种磁记录介质，其在非磁性基片上提供软磁性底涂膜、第一底涂膜、第二底涂膜、垂直磁记录膜、以及保护膜，并且所述第一底涂膜由Pt、Pd或包括Pt和Pd中至少一种的合金构成，所述第二底涂膜由Ru或Ru合金构成。

公开(公告)号：CN1551123A

公开(公告)日：2004-12-01

申请号：CN200410007300.9

申请日：2004-02-27

Applicant: 株式会社东芝 ,  昭和电工株式会社

Inventor： 彥坂和志 ,  中村太 ,  及川壮一 ,  岩崎刚之 ,  前田知幸 ,  酒井浩志 ,  清水谦治 ,  坂胁彰

IPC: G11B5/66 ,  G11B5/667

CPC classification number: G11B5/66 ,  G11B5/653 ,  G11B5/656

Abstract: 本申请公开了一种磁记录介质和磁记录/再现设备。其中形成一个多层(4)，其包括磁记录层(2)和高磁致形变层(3)，后者具有大于磁记录层(10)的磁致形变常数。

公开(公告)号：CN1538391A

公开(公告)日：2004-10-20

申请号：CN200410031901.3

申请日：2004-03-31

Applicant: 株式会社东芝 ,  昭和电工株式会社

Inventor： 及川壮一 ,  岩崎刚之 ,  酒井浩志 ,  坂脇彰 ,  清水谦治

IPC: G11B5/62 ,  G11B5/73

CPC classification number: G11B5/667 ,  G11B5/656 ,  G11B5/66 ,  G11B5/7325

Abstract: 公开了一种垂直磁记录介质(10)，包括非磁性基板(1)、包括具有39.5kA/m或更小的垂直矫顽力的铁磁底层(2)和具有50到150emu/cc的饱和磁化Ms的弱磁性底层(3)的多层底层(4)以及垂直磁记录层(5)。

公开(公告)号：CN108570666B

公开(公告)日：2020-08-28

申请号：CN201810106378.8

申请日：2018-02-02

Applicant: 昭和电工株式会社 ,  学校法人关西大学

Inventor： 谷弘词 ,  酒井浩志 ,  山川荣进 ,  进藤一树

IPC: C23C16/503 ,  C23C16/48 ,  G11B5/31 ,  G11B5/706 ,  G11B5/725 ,  B29C59/10

Abstract: 本发明提供薄膜制造装置及方法、磁盘和纳米压印用模具的制造方法，提高在工件的表面上进行制造的薄膜的膜特性。薄膜制造方法包括：将工件配置在腔内的步骤；在将腔内保持为规定的压力的状态下，向腔内供给工艺气体的步骤；向工件的表面照射具有3eV以上且10eV以下的能量的光，由此从工件的表面放出光电子的步骤；以及向工件的表面施加交流电场的步骤。这里，交流电场具有不发生辉光放电等离子体且发生汤逊放电的电场强度。此外，还公开了作为工件准备磁盘的半成品，在该半成品的表面上制造润滑膜的方法、以及作为工件准备纳米压印用模具的半成品，在该半成品的表面上制造脱模层的方法。

公开(公告)号：CN103456320B

公开(公告)日：2016-05-04

申请号：CN201310198498.2

申请日：2013-05-24

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 高星英明 ,  网屋大辅 ,  酒井浩志

IPC: G11B5/66 ,  G11B5/48

CPC classification number: G11B5/66

Abstract: 一种磁记录介质及磁存储装置，其目的在于提高记录容量。该磁记录介质具有依次堆叠取向控制层、下层记录层、中间层及上层记录层的结构，下层记录层具有比上层记录层更高的矫顽力，中间层包括含有磁性材料的饱和磁化强度大于等于50emu/cc的层，上层记录层连同构成中间层的晶体粒子均包括沿厚度方向连续的柱状晶体。

公开(公告)号：CN112102852A

公开(公告)日：2020-12-18

申请号：CN202010531584.0

申请日：2020-06-11

Applicant: 昭和电工株式会社 ,  学校法人关西大学

Inventor： 谷弘词 ,  酒井浩志 ,  山川荣进 ,  进藤一树

IPC: G11B5/84 ,  G11B5/725 ,  G11B5/72

Abstract: 提供一种磁记录介质的制造方法，其不使润滑层厚膜化，润滑层的粘合率较大，并且形成有润滑层的一侧的表面的动摩擦系数及表面能较小。该磁记录介质的制造方法具有在磁记录介质的半成品(7)的保护层(160)上形成润滑层的润滑层形成工序，磁记录介质的半成品(7)在衬底(100)上依次形成有磁记录层(150)及保护层(160)。润滑层形成工序包括：在磁记录介质的半成品(7)的保护层(160)上涂布第一有机氟化合物的工序；以及向磁记录介质的半成品(7)的保护层(160)上供应包含第二有机氟化合物的气体，并通过汤森放电和紫外线照射使第二有机氟化合物分解的工序。保护层(160)包含碳。第一有机氟化合物在末端具有官能团。

公开(公告)号：CN103514899B

公开(公告)日：2017-03-01

申请号：CN201310254394.9

申请日：2013-06-25

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 高星英明 ,  网屋大辅 ,  酒井浩志

IPC: G11B5/706 ,  G11B5/851

CPC classification number: G11B5/738 ,  G11B5/667

Abstract: 提供一种磁性记录介质及磁性记录装置。该磁性记录介质具有由第1软磁层、取向控制层、下层记录层、中间层、以及上层记录层按顺序层叠而成的结构，且在下层记录层和中间层之间设置有第2软磁层。该磁性记录介质可在提高记录容量的同时提高记录和再现特性。

公开(公告)号：CN103514899A

公开(公告)日：2014-01-15

申请号：CN201310254394.9

申请日：2013-06-25

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 高星英明 ,  网屋大辅 ,  酒井浩志

IPC: G11B5/706 ,  G11B5/851

CPC classification number: G11B5/738 ,  G11B5/667

Abstract: 提供一种磁性记录介质及磁性记录装置。该磁性记录介质具有由第1软磁层、取向控制层、下层记录层、中间层、以及上层记录层按顺序层叠而成的结构，且在下层记录层和中间层之间设置有第2软磁层。该磁性记录介质可在提高记录容量的同时提高记录和再现特性。