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公开(公告)号：CN113168845A
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN202080006575.8
申请日：2020-03-19
Applicant: 西部数据技术公司
Abstract: 本公开的实施方案整体涉及采用磁记录装置的磁介质驱动器。该磁记录装置包括邻近主极的第一表面设置的后间隙、邻近该主极的第二表面设置的第一侧间隙、邻近该主极的第三表面设置的第二侧间隙以及邻近该主极的第四表面设置的前间隙。侧屏蔽件围绕该主极并且包括重金属第一层和磁性第二层。该第一层围绕主极的第一表面、第二表面和第三表面，或主极的第二表面、第三表面和第四表面。该第二层围绕主极的第二表面和第三表面，并且还可围绕主极的第四表面。
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公开(公告)号：CN108008326B
公开(公告)日：2020-11-24
申请号：CN201610957180.1
申请日：2016-10-31
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种通过改变MgO/CoFeB/Ta生长顺序来调节CoFeB薄膜阻尼因子的方法。该结构不仅表现出较好的垂直各向异性，而且阻尼因子可调性好，因此是一种可用于生产磁性随机存储(MRAM)器件的关键材料。本发明利用磁控溅射生长出Ta/CoFeB/MgO和MgO/CoFeB/Ta两种超薄膜并利用时间分辨磁光克尔效应(TRMOKE)测试材料的阻尼因子。Ta/CoFeB/MgO的阻尼因子(α)的值是0.017，而MgO/CoFeB/Ta的是0.027，由于阻尼因子改变大，这种材料很适合提高磁存储介质的读写速度。本发明中涉及到的样品结构依次是衬底、缓冲层、磁性层和覆盖层。飞秒脉冲激光重复频率为1000Hz，脉冲宽度为50fs，泵浦功率密度为3.54mJ/cm2。
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公开(公告)号：CN105244043B
公开(公告)日：2018-09-21
申请号：CN201410330469.1
申请日：2014-07-11
Abstract: 本发明提供一种磁性存储轨道和磁性存储器，包括多个堆叠的存储轨道单元，相邻两个存储轨道单元之间设置有过渡层，且该过渡层由在绝缘材料上淀积的半导体材料构成，包括选通电路和读写装置。由于磁性存储轨道包括多个堆叠的存储轨道单元，从而磁性存储轨道的轨道长度由多个存储轨道单元的轨道长度构成，因此，当增大磁性存储轨道的轨道长度时，可通过增加存储轨道单元实现，避免增加存储轨道单元的轨道长度，从而解决了在提高磁性存储轨道存储能力时，由于磁性存储轨道的轨道长度增长导致工艺难度增大的技术问题。
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公开(公告)号：CN105244043A
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：CN201410330469.1
申请日：2014-07-11
CPC classification number: G11C11/161 , G11B5/02 , G11C11/15 , G11C11/1659 , G11C11/1673 , G11C11/1675 , G11C11/1697 , H01L27/228 , H01L43/02
Abstract: 本发明提供一种磁性存储轨道和磁性存储器，包括多个堆叠的存储轨道单元，相邻两个存储轨道单元之间设置有过渡层，且该过渡层由在绝缘材料上淀积的半导体材料构成，包括选通电路和读写装置。由于磁性存储轨道包括多个堆叠的存储轨道单元，从而磁性存储轨道的轨道长度由多个存储轨道单元的轨道长度构成，因此，当增大磁性存储轨道的轨道长度时，可通过增加存储轨道单元实现，避免增加存储轨道单元的轨道长度，从而解决了在提高磁性存储轨道存储能力时，由于磁性存储轨道的轨道长度增长导致工艺难度增大的技术问题。
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公开(公告)号：CN104054128A
公开(公告)日：2014-09-17
申请号：CN201280067388.6
申请日：2012-12-20
Applicant: 希捷科技有限公司
Abstract: 具有增强的磁稳定性的垂直记录介质(102、200、300)。根据一些实施例，多层记录结构(204,304,306,308)形成在底部衬底(202,302)上并适于在基本垂直于所述层的畴内磁性地存储磁位序列。薄的磁稳定层(206,310)被形成在多层记录衬底上以使记录结构的上部磁稳定。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103035255B
公开(公告)日：2014-09-03
申请号：CN201210366632.0
申请日：2012-09-28
Applicant: HOYA株式会社 , HOYA玻璃磁盘(泰国)公司
Inventor： 西森贤一
CPC classification number: G11B5/7315 , G11B5/72 , G11B5/725 , G11B5/82 , Y10T428/1157
Abstract: 本发明提供一种在做成HDD时，能够实现稳定地读出记录于磁盘中的包含跟踪信息的伺服信息的磁记录介质用玻璃基板。本发明的玻璃基板（1）的通过沿着内孔的整周的形状轮廓算出的Sk和/或Ku、或考虑了偏度的修正同轴度（AC）的值在规定的范围内。
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公开(公告)号：CN103087111A
公开(公告)日：2013-05-08
申请号：CN201210524298.7
申请日：2012-12-10
Applicant: 天津师范大学
Abstract: 本发明涉及5-甲基-1H-四氮唑和间苯二甲酸混合配体钴(II)配位聚合物磁性材料及其制备方法和应用。本发明所述的配位聚合物磁性材料的化学式为{[Co7(H2O)2(µ3-OH)4(mtz)2(ip)4]·13/4H2O}，其中mtz是5-甲基四氮唑负一价阴离子，ip是间苯二甲酸的负二价阴离子。配位聚合物磁性材料采用溶剂热方法制备，产率较高，重现性好。该配位聚合物磁性材料是同时含有5-甲基-1H-四氮唑和间苯二甲酸混合配体的三维钴(II)化合物，在不同外加磁场下呈现出连续的两步场诱导的由反铁磁有序到弱的自发磁化态的变磁转变和自旋转向转变行为，可以作为分子基磁性材料在材料科学领域具有巨大的应用价值。
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公开(公告)号：CN103021422A
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201210353278.8
申请日：2012-09-19
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: G11B5/1278 , G11B5/3146 , G11B2005/0024
Abstract: 用于微波辅助记录的自旋力矩振荡器包括在垂直于膜表面的方向上具有磁各向异性轴线的垂直自由层，以及由在膜表面上有效地具有易磁化面的磁膜组成的面内自由层。当电流从面内自由层侧向垂直自由层侧流动时，两个自由层交换自旋信息，并且从而几乎反平行于彼此并且沿着边界面以高速旋转它们各自的磁化。优选地，垂直自由层比面内自由层更薄。还优选地，归因于材料的垂直自由层的磁各向异性场应当在相反的方向上与在垂直方向上的有效退磁场平衡。此外，垂直自由侧优选地放置在主磁极侧。
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公开(公告)号：CN102993222A
公开(公告)日：2013-03-27
申请号：CN201210559155.X
申请日：2012-12-20
Applicant: 南开大学
Abstract: 一种具有溶剂分子磁响应的镝配位聚合物材料，为具有单分子磁体行为的镝(III)配位聚合物，其化学式为{[Dy(INO)2(NO3)]}，不对称单元含有一种配位环境的镝离子和存有三种连接模式的HINO配体，双核镝单元之间通过两个配体进一步连接形成三维孔状结构；其制备方法是：将Dy(NO3)3·6H2O与HINO混合并在溶剂中溶解，加热反应后经过滤、洗涤所得固体，再与乙腈混合，加热反应后除去乙腈即可。本发明的优点是：该镝配位聚合物材料结构新颖，为基于异烟酸氮氧化物配体且含有纳米孔洞的三维配位聚合物，展现出慢磁弛豫行为，可用作信息存储材料；其制备方法工艺简单、易于实施，产率高，有利于大规模推广应用。
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公开(公告)号：CN102898022A
公开(公告)日：2013-01-30
申请号：CN201210262082.8
申请日：2012-07-26
Applicant: 旭硝子株式会社
Abstract: 本发明提供适合于高记录密度化的不容易破裂的基板用玻璃。本发明的基板用玻璃，以下述氧化物基准的摩尔％表示，含有66～77％的SiO2、7～17％的Al2O3、0～7％的B2O3、0～9％的Li2O、0～8％的Na2O、0～3％的K2O、0～13％的MgO、0～6％的CaO、0～5％的TiO2、0～5％的ZrO2，SiO2、Al2O3及B2O3的含量之和SiO2+Al2O3+B2O3为81～92％，Li2O、Na2O及K2O的含量之和Li2O+Na2O+K2O为3～9％，MgO及CaO的含量之和MgO+CaO为4～13％，Na2O、K2O及CaO的含量之和Na2O+K2O+CaO为0～10％，TiO2及ZrO2的含量之和TiO2+ZrO2为0～5％。
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