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公开(公告)号：CN104685675B
公开(公告)日：2018-04-10
申请号：CN201480002138.3
申请日：2014-09-30
Applicant: 株式会社LG化学
CPC classification number: H01M4/525 , H01M4/366 , H01M4/62 , H01M10/0525
Abstract: 本发明涉及二次电池用正极活性物质涂敷溶液的制备方法及通过上述方法制备的二次电池用正极活性物质涂敷溶液，上述方法包括：使金属前体及螯合剂分散于甘醇类溶剂内，来制备混合溶液的步骤；对上述混合溶液进行一次加热的步骤；以及对上述混合溶液进行二次加热的步骤。
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公开(公告)号：CN107004841A
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：CN201580066090.7
申请日：2015-12-04
Applicant: 株式会社LG 化学
CPC classification number: H01M4/366 , B60L11/1879 , C01G25/00 , C01G25/006 , C01G53/50 , C01P2002/72 , C01P2004/03 , C01P2004/04 , C01P2004/61 , C01P2004/64 , C01P2004/84 , C01P2006/40 , H01M4/0471 , H01M4/131 , H01M4/1391 , H01M4/505 , H01M4/525 , H01M4/62 , H01M10/052 , H01M10/0525 , H01M2004/028 , H01M2220/20 , Y02E60/122 , H01M4/362 , B82Y30/00 , H01M4/48 , H01M4/58
Abstract: 本发明提供正极活性材料、制备所述正极活性材料的方法、以及包含所述正极活性材料的锂二次电池，所述正极活性材料通过包括如下步骤的制备方法制备：通过将锂复合金属氧化物粒子与陶瓷类离子导体的纳米溶胶混合并进行热处理，以在锂复合金属氧化物粒子上形成包含陶瓷类离子导体的涂层，其中以均匀的厚度在锂复合金属氧化物粒子的表面上形成包含陶瓷类离子导体的涂层，使得所述正极活性材料在用于二次电池时能够使容量下降最小化并改进寿命特性。
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公开(公告)号：CN104704656A
公开(公告)日：2015-06-10
申请号：CN201480002636.8
申请日：2014-09-30
Applicant: 株式会社LG化学
IPC: H01M4/485 , H01M4/525 , H01M4/505 , H01M4/131 , H01M10/052
CPC classification number: H01M4/0416 , H01M4/0471 , H01M4/131 , H01M4/1391 , H01M4/366 , H01M4/62 , H01M4/485 , H01M4/505 , H01M4/525 , H01M4/5825 , H01M10/052
Abstract: 本发明涉及一种二次电池用正极活性物质、其制造方法及包含所述正极活性物质的二次电池用正极，具体而言，涉及一种正极活性物质，其包括：含锂过渡金属氧化物；选自化学式1至3中的两种以上的金属复合氧化物层，其涂布在所述含锂过渡金属氧化物表面，并且涉及其制造方法、及包含所述正极活性物质的二次电池用正极。[化学式1]M(C2H5O2)n[化学式2]M(C6H(8-n)O7)[化学式3]M(C6H(8-n)O7)(C2H5O2)(在上述式中，M为从金属前驱体脱嵌的金属，为选自由Mg、Ca、Sr、Ba、Y、Ti、Zr、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Mn、Fe、Co、Ir、Ni、Zn、Al、Ga、In、Si、Ge、Sn、La、及Ce组成的组中的至少一种金属，n是1至4的整数)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104685675A
公开(公告)日：2015-06-03
申请号：CN201480002138.3
申请日：2014-09-30
Applicant: 株式会社LG化学
CPC classification number: H01M4/525 , H01M4/366 , H01M4/62 , H01M10/0525
Abstract: 本发明涉及二次电池用正极活性物质涂敷溶液的制备方法及通过上述方法制备的二次电池用正极活性物质涂敷溶液，上述方法包括：使金属前体及螯合剂分散于甘醇类溶剂内，来制备混合溶液的步骤；对上述混合溶液进行一次加热的步骤；以及对上述混合溶液进行二次加热的步骤。
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公开(公告)号：CN101959983B
公开(公告)日：2014-07-30
申请号：CN200980107520.X
申请日：2009-03-03
Applicant: 株式会社LG化学
IPC: H01L21/302 , C09G1/02
CPC classification number: H01L21/31053 , C09G1/02 , C09K3/1463 , H01L21/76229
Abstract: 本发明涉及一种当用于例如对氧化硅层进行抛光或使其平坦化时能够减少凹陷的产生的CMP浆料，并涉及一种抛光方法，所述CMP浆料包含一种抛光磨料、一种线型阴离子聚合物、一种包含磷酸基的化合物和水，且CMP对氧化硅层的抛光速度∶CMP对氮化硅层的抛光速度的比率为30∶1至50∶1。
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公开(公告)号：CN101652324B
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN200880011138.4
申请日：2008-04-30
Applicant: 株式会社LG化学
CPC classification number: C01F17/0043 , C01F17/005 , C01P2002/72 , C01P2004/03 , C01P2004/10 , C01P2004/20 , C09K3/1454 , C09K3/1463
Abstract: 本发明公开了用作磨料的氧化铈粉末；含有该粉末的CMP浆料；以及使用该CMP浆料的浅槽隔离(STI)法。至少两种通过使用具有不同晶体结构的碳酸铈制备的氧化铈以一适当比例混合，并用作CMP浆料的磨料，从而调节CMP浆料所需的抛光特性。另外，在所公开的制备碳酸铈的方法中，碳酸铈的晶体结构可简单地控制。基于在用作磨料的氧化铈中、抛光特性提高的情况取决于碳酸铈的晶体结构这一发现，至少一种抛光特性——如二氧化硅层的抛光速率、氮化硅层的抛光速率、二氧化硅层和氮化硅层之间的抛光选择性和WIWNU——可通过使用至少两种选自以下的氧化铈作为CMP浆料的磨料、并调节所述氧化铈的混合比例来调节，所述氧化铈选自(i)一种使用镧石-(Ce)晶体结构的碳酸铈制备的氧化铈；(ii)一种使用正交晶体结构的碳酸铈制备的氧化铈；以及(iii)一种使用六方晶体结构的碳酸铈制备的氧化铈。
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公开(公告)号：CN101652324A
公开(公告)日：2010-02-17
申请号：CN200880011138.4
申请日：2008-04-30
Applicant: 株式会社LG化学
IPC: C01F17/00
CPC classification number: C01F17/0043 , C01F17/005 , C01P2002/72 , C01P2004/03 , C01P2004/10 , C01P2004/20 , C09K3/1454 , C09K3/1463
Abstract: 本发明公开了用作磨料的氧化铈粉末；含有该粉末的CMP浆料；以及使用该CMP浆料的浅槽隔离(STI)法。至少两种通过使用具有不同晶体结构的碳酸铈制备的氧化铈以一适当比例混合，并用作CMP浆料的磨料，从而调节CMP浆料所需的抛光特性。另外，在所公开的制备碳酸铈的方法中，碳酸铈的晶体结构可简单地控制。基于在用作磨料的氧化铈中、抛光特性提高的情况取决于碳酸铈的晶体结构这一发现，至少一种抛光特性——如二氧化硅层的抛光速率、氮化硅层的抛光速率、二氧化硅层和氮化硅层之间的抛光选择性和WIWNU——可通过使用至少两种选自以下的氧化铈作为CMP浆料的磨料、并调节所述氧化铈的混合比例来调节，所述氧化铈选自(i)一种使用镧石-(Ce)晶体结构的碳酸铈制备的氧化铈；(ii)一种使用正交晶体结构的碳酸铈制备的氧化铈；以及(iii)一种使用六方晶体结构的碳酸铈制备的氧化铈。
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公开(公告)号：CN101641290A
公开(公告)日：2010-02-03
申请号：CN200880008484.7
申请日：2008-03-14
Applicant: 株式会社LG化学
IPC: C01F17/00
CPC classification number: C01F17/0043 , C01F17/005 , C01P2002/72 , C01P2002/76 , C09K3/1409 , C09K3/1463
Abstract: 在通过将一种铈前体溶液与一种碳酸根前体溶液混合并进行沉淀反应而制备碳酸铈粉体的方法中，其中通过使用至少一种在分子式中含至少两个羟基(OH)的有机溶剂作为所述铈前体溶液和所述碳酸根前体溶液之一或两者的溶剂，和改变所述有机溶剂的分子式中所含碳或羟基(OH)的数目，来控制碳酸铈使其具有斜方晶体结构、六方晶体结构、或斜方晶/六方晶混合晶体结构。所述方法可容易并廉价地得到具有所需晶体结构的碳酸铈粉体，而不具有由高温高压带来的危险，并且不需要水热合成的昂贵系统。
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