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公开(公告)号:CN105940450B
公开(公告)日:2019-07-02
申请号:CN201580005892.7
申请日:2015-02-02
申请人: HOYA株式会社
CPC分类号: B24B37/08 , C09K3/1463 , G11B5/8404
摘要: 本发明提供一种磁盘用玻璃基板的制造方法,该制造方法能够抑制研磨磨粒的清洗残留,能够充分降低基板表面缺陷。本发明中,用表面配备有研磨垫的一对定盘夹持圆板状的基板,将包含胶态二氧化硅作为研磨磨粒的研磨液供给至研磨面,从而对圆板状的基板的主表面进行研磨。上述研磨液含有具有特定的酰胺基或脲基的下述物质作为添加剂。R1‑NH‑CO‑R2式中,R1表示烷基或氢原子,R2表示烷基或‑NH‑R3,R3表示烷基。
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公开(公告)号:CN106663621B
公开(公告)日:2019-06-11
申请号:CN201580039703.8
申请日:2015-07-13
申请人: 信越半导体株式会社
发明人: 佐藤三千登
IPC分类号: H01L21/304 , H01L21/02 , H01L21/306 , B24B37/00 , B24B37/24 , C09K3/14
CPC分类号: H01L21/30625 , B24B37/044 , B24B37/24 , B24B57/02 , C09G1/02 , C09K3/1409 , C09K3/1463 , H01L21/02024
摘要: 一种精抛光方法,包括使用抛光剂与抛光布而进行精抛光,抛光剂含有硅酸胶、氨以及羟乙基纤维素,硅酸胶借由BET法所量测出的一次粒径为20nm以上且未满30nm,羟乙基纤维素的重量平均分子量在40万以上且70万以下,在将存在于抛光剂中的粒子的累积体积比例在95%的粒径予以设为D1,并且将硅酸胶分散在水中而使得与抛光剂中的硅酸胶的浓度相同时的硅酸胶的累积体积比例在95%的粒径予以设为D2之时,D1/D2在1.5以上且2.5以下,以及抛光布的使用,为将抛光布风干后进行干燥,且该滴下后经过100秒后的接触角在60°以上。因此,提供了一种硅晶圆的精抛光方法,由此得到的硅晶圆具有整体上优秀的雾度等级,在外围部分有很小的雾度不均和很少的微小缺陷。
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公开(公告)号:CN108977173A
公开(公告)日:2018-12-11
申请号:CN201810684956.6
申请日:2013-06-10
申请人: 嘉柏微电子材料股份公司
CPC分类号: H01L21/30625 , C09G1/02 , C09K3/1436 , C09K3/1463 , H01L21/3212
摘要: 本发明涉及用于抛光钼的组合物和方法,具体地说,本发明提供用于抛光含钼金属的表面的组合物和方法。本文中描述的抛光组合物(浆料)包含悬浮于包含水溶性表面活性物质和氧化剂的酸性含水介质中的无机粒状研磨剂材料(例如,氧化铝或二氧化硅)的研磨剂浓缩物。所述表面活性物质是基于所述粒状研磨剂的ζ电位选择的,使得当所述研磨剂具有正的ζ电位时,所述表面活性物质包括阳离子型物质,和当所述粒状研磨剂具有负的ζ电位时,所述表面活性物质包括阴离子型物质、非离子型物质、或其组合。
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公开(公告)号:CN108527013A
公开(公告)日:2018-09-14
申请号:CN201810494422.7
申请日:2018-05-22
申请人: 安徽全兆光学科技有限公司
CPC分类号: B24B1/00 , C09G1/02 , C09K3/1463
摘要: 本发明公开了一种蓝宝石光学镜片的磨抛制作工艺,包括如下步骤:将切割过的蓝宝石晶片放入研磨机中,加入粗磨液,粗磨;加入精磨液,精磨;加入超精磨液,超精磨,获得蓝宝石超精磨料;将蓝宝石超精磨料放置在抛光机上,加入抛光液,抛光,清洗,得到蓝宝石镜片,所述抛光液按重量百分比组成为:粒径为1-50nm的纳米二氧化硅15-35%,MgF20.1-1%,三乙醇胺油酸皂0.01-1%,硅烷聚二乙醇醚0.2-2%,六偏磷酸钠0.1-2%,二甲基胺0.1-3%,余量为去离子水。由该工艺生产的蓝宝石光学镜片,表面质量极高,表面粗糙度Ra值低至0.1nm。
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公开(公告)号:CN105593330B
公开(公告)日:2018-06-19
申请号:CN201480053941.X
申请日:2014-09-22
申请人: 福吉米株式会社
IPC分类号: C09K3/14 , B24B37/04 , H01L21/304
CPC分类号: C09K3/1463 , B24B37/00 , B24B37/044 , C09G1/02 , C09G1/04 , C09K3/1436 , H01L21/02024 , H01L21/02052
摘要: 本发明提供一种能够有效地减少表面缺陷的研磨用组合物。根据本发明,可提供包含水溶性高分子MC‑end的研磨用组合物。前述水溶性高分子MC‑end的主链包含作为主构成区域的非阳离子性区域和位于该主链的至少一个端部的阳离子性区域。前述阳离子性区域具有至少一个阳离子性基团。
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公开(公告)号:CN108026412A
公开(公告)日:2018-05-11
申请号:CN201680051105.7
申请日:2016-08-31
申请人: 嘉柏微电子材料股份公司
IPC分类号: C09G1/02 , C09K3/14 , H01L21/306 , H01L21/321
CPC分类号: C09G1/02 , C09K3/1463 , H01L21/31053
摘要: 描述了用于使用抛光组合物(亦称为“浆料”)及研磨垫来加工(抛光或平坦化)含有图案化介电材料的基板的材料及方法,例如,CMP加工。
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公开(公告)号:CN105070657B
公开(公告)日:2018-03-30
申请号:CN201510505083.4
申请日:2010-08-16
申请人: 日立化成株式会社
IPC分类号: H01L21/321 , C09K3/14 , C09G1/02
CPC分类号: H01L21/3212 , C09G1/02 , C09K3/1463 , C09K3/1472
摘要: 本发明涉及一种CMP研磨液,所述研磨液含有介质和分散在所述介质中作为磨粒的二氧化硅粒子,其中,(A1)所述二氧化硅粒子的硅烷醇基密度为5.0个/nm2以下,(B1)从利用扫描型电子显微镜观察所述二氧化硅粒子的图像中选择任意的20个粒子时的二轴平均一次粒径为25~55nm,(C1)所述二氧化硅粒子的缔合度为1.1以上。由此,可提供阻挡膜的研磨速度高、并且磨粒的分散稳定性良好、能够高速研磨层问绝缘膜的CMP研磨液,以及提供微细化、薄膜化、尺寸精度、电特性优异、可靠性高且低成本的半导体基板等的制造中的研磨方法。
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公开(公告)号:CN107690463A
公开(公告)日:2018-02-13
申请号:CN201680029446.4
申请日:2016-05-20
申请人: 3M创新有限公司
发明人: 丹尼斯·V·阿加皮金
IPC分类号: C09G1/02
CPC分类号: C09G1/04 , C09G1/02 , C09K3/1463 , C11D7/20 , C11D7/24 , C11D11/0041
摘要: 本发明公开了在低温下具有改善的稳定性的抛光组合物,所述抛光组合物包含10重量%至50重量%的水、10重量%至60重量%的烃、0.5重量%至5重量%的一种或多种有机酸且包含其盐,其中所述有机酸具有1至10个碳原子,还包含添加剂,其中各成分的总量为100重量%。
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公开(公告)号:CN106103637B
公开(公告)日:2018-01-30
申请号:CN201580012677.X
申请日:2015-02-04
申请人: 信越化学工业株式会社
发明人: 野岛义弘
IPC分类号: C09K3/14 , B24B37/00 , H01L21/304
CPC分类号: C09G1/02 , B24B37/044 , C09K3/1409 , C09K3/1445 , C09K3/1463 , H01L21/3212
摘要: 本发明提供一种研磨组合物,其包含结晶性的金属氧化物颗粒作为磨粒,所述研磨组合物的特征在于,所述金属氧化物颗粒在粉末X射线衍射图案中的衍射强度达到最大的峰部分的半宽度不足1°。由此,提供一种研磨组合物及研磨方法以及研磨组合物的制造方法,所述研磨组合物在半导体基板的研磨步骤、特别是具有钨等金属层的半导体基板的化学机械研磨步骤中,具有高研磨速度,并且可抑制产生会导致半导体装置的可靠性降低的划痕和碟型凹陷等缺陷。
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公开(公告)号:CN105940076B
公开(公告)日:2017-12-29
申请号:CN201580006561.5
申请日:2015-01-19
申请人: 旭日化成工业株式会社
IPC分类号: C09K3/14 , B24B1/00 , B24B37/00 , C09G1/02 , H01L21/304
CPC分类号: B24B37/245 , B24B37/044 , C09G1/02 , C09K3/1463 , C09K3/1472 , H01L21/02024
摘要: 本发明是以湿式研磨法研磨被研磨材。浆料是将研磨用磨粒分散于纯水中而成。研磨用磨粒是使发挥机械化学作用的成分、或对研磨被研磨材时产生的摩擦热起反应的成分等以全体一体化成粒子状。各成分是分别保持各成分的物质固有的性质的状态,通过机械合金化处理而相互直接结合而成。蓝宝石或碳化硅或氮化镓等摩擦工序中使用该浆料时,可比过去大幅缩短研磨时间,可大幅改善加工成本。研磨面为高质量。研磨用磨粒可重复使用于研磨处理。由于浆料的pH为3~9左右,所以不会对研磨作业场环境造成影响,废液的处理也简单。
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