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公开(公告)号：CN113871212B
公开(公告)日：2022-12-27
申请号：CN202111200907.9
申请日：2021-11-29
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种具有核壳结构的二氧化锰/碳膜复合材料，通过静电纺丝制备聚丙烯腈膜，通过高温碳化制备聚丙烯腈碳膜，在高锰酸钾溶液中淬火处理获得快速生长的MnO2纳米片，得到核壳结构；所述壳核结构由碳纤维为核，MnO2纳米片阵列为壳。其制备方法包括以下步骤：1）聚丙烯腈膜的制备；2）聚丙烯腈碳膜的制备；3）高钾含量水钠锰矿/碳膜复合材料的制备。作为超级电容器电极材料的应用，在0–1.3 V范围内充放电，在电流密度为4 mA cm–2时，比容量达到了700‑800 mF cm–2。本发明使用KMnO4作为前驱体溶液，通过淬火处理，不仅可以原位捕获KMnO4溶液中的钾离子，省去钾离子的预嵌入过程，大幅提高材料的比电容；有利于工业大规模生产制备，实现柔性器件的开发。
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公开(公告)号：CN115313051A
公开(公告)日：2022-11-08
申请号：CN202210925151.2
申请日：2022-08-03
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明涉及平面漏波天线技术领域，具体涉及一种微带线耦合馈电的开口谐振环漏波天线，相对于现有技术，具有结构简单、体积小、宽带宽、辐射效率高和宽角度扫描的特点。天线结构的馈电结构仅仅为一条微带线，没有复杂的馈电网络，且开口谐振环为耦合馈电方式；同时采用两个端口，一个端口用于端口馈电，另一个端口接匹配负载用于吸收未辐射的能量，防止电磁能量反射回去对天线辐射造成影响，形成宽带宽的特点，天线结构在带宽范围内，扫描的波束角度可以从正向到反向，扫描角度超过60°，由于I型开口谐振环距离微带传输线足够近，还可以产生较大的耦合效率。
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公开(公告)号：CN114824810A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202210315126.2
申请日：2022-03-28
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01Q15/00
Abstract: 本发明公开了一种阴面相位梯度超表面结构，包括馈电结构和阴面相位梯度超表面单元结构，所述阴面相位梯度超表面单元结构嵌入所述馈电结构的顶部。根据巴比涅原理，阴面相位梯度超表面单元结构与常规相位梯度超表面单元结构互补，将原本非金属部分填充为金属，利用缝隙辐射的原理引入相位梯度超表面，可以对辐射的电磁波进行调控。所述阴面相位梯度超表面单元结构由不同尺寸的单元组成，结果表明阴面相位梯度超表面具有传统相位梯度超表面相似的特征，即在阻抗带宽范围内方向图随着频率的变化而具有扫描特性，若合理组成阵列可提高缝隙单元辐射的方向性。
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公开(公告)号：CN113270723A
公开(公告)日：2021-08-17
申请号：CN202110620577.2
申请日：2021-06-03
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种类矩形腔体馈电的超材料结构天线，所述腔体波导的侧方开设有贯通的长缝隙，所述匹配段和所述相位梯度超表面均嵌设在所述长缝隙内，所述腔体波导、所述匹配段和所述相位梯度超表面的中线重合，电磁能量主要通过腔体波导两侧长缝隙进行辐射，通过辐射出来的能量来激励相位梯度超表面，再通过超表面单元辐射的原理，设置相位梯度的方向与能量辐射的方向相反，从而使得相位梯度超表面向自由空间辐射能量，通过调整超材料单元的排布即可任意控制波束的角度。所述类矩形腔体馈电的超材料结构天线结构较为简单，且易于加工，既能实现天线的高增益，又能扩展天线的带宽。
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公开(公告)号：CN111323391A
公开(公告)日：2020-06-23
申请号：CN202010255624.3
申请日：2020-04-02
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G01N21/41
Abstract: 本发明公开了一种基于二维简单超材料结构的微纳折射率传感器，通过所述基于二维简单超材料结构的维纳折射率传感器是由周期性结构单元构成；所述周期性单元结构由一维介质光栅阵列叠放在SiO2-Al2O3薄膜层上所构成。利用结构产生的导模共振和腔模，对周围的介质环境十分敏感的特性，可以将结构表面临近物质的折射率的微小变化转换成可测量的透射峰的位移，设计实现高灵敏度的微纳尺度折射率传感测量，该传感器具有优越的折射率灵敏度(410.2nm/RIU)和超高的品质因子(4769.8)，也可用于亚波长范围内的气体密度的检测。该传感器既能明显降低半峰全宽，提高传感器的灵敏度，又能有效防止结构的腐蚀及氧化，延长产品的使用寿命。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111342239B
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN202010266889.3
申请日：2020-04-07
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01Q15/00
Abstract: 本发明公开了一种全介质透射型超表面全相位调控器，包括所述周期性排列粒子、所述涂层和所述基底，位置从上往下依次重叠设置的是所述涂层、周期性排列的所述周期性排列粒子以及所述基底，所述周期性排列粒子包括所述水平臂和所述竖直臂，通过改变所述水平臂的长度观察透射谱的分布，最终确定所述水平臂长从而得到的透射谱，平均透射率高达80.3％，如此通过简单的结构可以具有较高的透射效率，可实现0～2π的相位调控。
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公开(公告)号：CN112909532B
公开(公告)日：2024-11-19
申请号：CN202110222208.8
申请日：2021-02-28
Abstract: 本发明公开了一种平面偶极子二元寄生阵列天线，通过在平面偶极子天线两侧增加寄生金属单元，并适当的调整金属单元的长度和位置，便能够较大的增加天线增益，解决了天线尺寸较大和天线结构复杂的问题。此外，所述平面偶极子二元寄生阵列仅有一个馈电端口，通过调整寄生条带金属单元的长度和位置可以改善天线的阻抗匹配程度，提高天线的增益，结构简单，易于加工，可利用PCB工艺生产，成本低，精度高，适合大批量生产，解决了现有技术中的偶极子阵列天线馈电网络设计结构复杂的技术问题。
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公开(公告)号：CN114583455A
公开(公告)日：2022-06-03
申请号：CN202210128355.3
申请日：2022-02-11
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于螺旋馈电结构的超宽带圆极化超表面贴片天线，包括上层介质基板、下层介质基板、第一金属层、第二金属层和第三金属层，所述第一金属层、所述上层介质基板、所述第二金属层、所述下层介质基板和所述第三金属层从上至下依次堆叠。第一金属层设计超表面贴片结构，第二金属层蚀刻十字型缝隙，第三金属层设计螺旋状的微带馈电结构。为了实现高效率辐射性能，上层介质基板与下层介质基本均设置为一定厚度，从而能量能够在介质基板中高效率辐射出去。将超表面与微带天线结合，在实现低剖面的同时，提高了天线的辐射效率并且实现超宽带的性能。
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公开(公告)号：CN113745835A
公开(公告)日：2021-12-03
申请号：CN202111060646.5
申请日：2021-09-10
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种n型立体缺陷金属墙方向图修正的去耦结构，其结构包括平行于E面放置的n型缺陷金属墙和两组贴片天线。所述缺陷金属墙贯穿所述介质基板并与所述金属地板相连，两组所述贴片天线的间距为λ0/20，采用微带线馈电，并用四分之一波长阻抗变换器调整阻抗匹配。该结构在满足去耦和匹配要求的前提下，还修正了H面的辐射方向图，提高了E面的实际增益，从而较好的解决了现有紧间距去耦结构中存在的方向图偏移问题。
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公开(公告)号：CN113594662A
公开(公告)日：2021-11-02
申请号：CN202110825514.0
申请日：2021-07-21
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于人工磁材料定向辐射的纽扣天线，所述顶部圆形介质和所述底部圆形介质相对设置，所述底部圆形介质、所述金属柱、所述介质柱和所述顶部圆形介质依次连接，呈工字纽扣形状设置，所述AMC结构设置在所述顶部圆形介质和所述底部圆形介质之间，相对于现有技术，该天线实现了整体高度为10mm的纽扣型结构，且在不额外增加纽扣天线横向尺寸的条件下，通过添加所述AMC结构使纽扣天线由原来的全向辐射变为了定向辐射，并提高了可穿戴纽扣天线的增益。
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