一种基于复合超表面的动态可调太赫兹波分束器

    公开(公告)号:CN114325898B

    公开(公告)日:2023-09-08

    申请号:CN202210034731.2

    申请日:2022-01-12

    Abstract: 本发明公开一种基于复合超表面的动态可调太赫兹波分束器,包括衬底层、复合材料层、定位标志和透射相位控制结构。复合材料层和定位标志位于衬底层的上表面;透射相位控制结构位于复合材料层的上表面。透射相位控制结构为相位梯度超表面。入射太赫兹波经过本动态可调太赫兹波分束器被分为两束出射太赫兹波;在此过程中,通过外加激励让复合材料层的复合材料条从绝缘态转为高电导状态,以控制出射太赫兹波的波束强度;其中激发为高电导状态的复合材料条的条数与出射太赫兹波的波束强度呈反比。本发明能将一束太赫兹光分为两束太赫兹波,并能动态调节两束波束的强度和分束比。此外,本发明还具有工艺简单,调控方式可靠,功能丰富等特点。

    一种基于微热板精确温控系统的超材料吸波器

    公开(公告)号:CN112713412B

    公开(公告)日:2023-06-09

    申请号:CN202011522736.7

    申请日:2020-12-21

    Abstract: 本发明提供的是一种基于微热板精确温控系统的超材料吸波器。其特征是:包括硅基微热板1和VO2超材料吸波器2;硅基微热板1由接触电极3、4、5、6,承重梁7、8、9、10,一字梁11、12,腐蚀窗口13,加热电阻14,支撑膜15组成;VO2超材料吸波器2由金属底板层16,硅基底层17,VO2层18,金属内开口环19,金属外开口环20和硅基座21组成。本发明可用于温控超材料器件,例如超材料开关、超材料分束器、超材料滤波器、超材料调制器、超材料吸波器等,可广泛用于无线通信、传感、医学检测和诊断等领域。

    一种幅频独立连续可调的四带太赫兹吸收器

    公开(公告)号:CN111817024A

    公开(公告)日:2020-10-23

    申请号:CN202010718838.X

    申请日:2020-07-23

    Abstract: 本发明提出了一种幅频独立连续可调的四带太赫兹吸收器,该器件涉及超材料及太赫兹波应用技术领域,其主要结构包括介质衬底、所述介质衬底上表面的金属反射板、所述金属反射板上表面的介质基板、所述介质基板上表面的复合谐振结构阵列。本发明使用锑化铟及光敏硅的可调谐材料,通过控制外部温度对四个吸收频点的频率进行调谐;控制外加泵浦光源的强度,对四个吸收频点的幅度进行调控,此达到吸收峰幅度和频率独立连续可调的效果,拓宽太赫兹吸收器工作频段。本发明具备功能性强,极化不敏感,结构设计简单,实用性强等优点。

    一种电压控制的太赫兹2位编码器件及方法

    公开(公告)号:CN110445553A

    公开(公告)日:2019-11-12

    申请号:CN201910795829.8

    申请日:2019-08-27

    Abstract: 本发明提出一种电压控制的太赫兹2位编码器,包括:分别设置于所述方形衬底两侧的呈周期性排列的方形结构单元;所述方形结构单元包括金属结构和半导体结构;半导体结构包括呈圆柱体的P型半导体和呈圆柱体的N型半导体,N型半导体的底面与方形衬底贴合,P型半导体设置于所述N型半导体上,形成一呈圆形区域的PN结;金属结构包括贴合于方形衬底上的环形金属层、第一金属电极和第二金属电极,每个金属结构的第一金属电极相连,每个金属结构的第二金属电极相连。所述编码器与控制端组成编码系统,通过对每个金属电极进行独立的电压控制实现太赫兹波的两位编码功能。本发明可以具有编码速度快,操作简便和实用性强等优点,具有较好的应用前景。

    一种应用在光伏遮阳棚的光伏最大功率跟踪方法

    公开(公告)号:CN119248062A

    公开(公告)日:2025-01-03

    申请号:CN202411515483.9

    申请日:2024-10-29

    Abstract: 随着可再生能源技术的迅速发展,光伏发电系统因其清洁、无污染的特点被广泛应用于发电产业。光伏遮阳棚结合了光伏发电与建筑遮阳的功能,但其效率受光照条件变化和局部阴影遮挡的影响较大。传统的最大功率点跟踪(MPPT)算法在这些情况下性能受限,无法有效提升光伏阵列的输出功率。本发明提供了一种基于改进的混合量子粒子群算法(HQPSO)的MPPT控制方法,用于光伏遮阳棚系统。该算法通过引入量子行为和莱维飞行策略,增强了对全局最大功率点的搜索能力,并提高了算法的多样性和全局收敛性。本发明的HQPSO算法具有较高的跟踪精度、快速的收敛速度和良好的稳态性能,显著提升了光伏遮阳棚的发电效率,能够有效应对光伏遮阳棚系统中的光照变化和阴影遮挡问题,提高了系统对最大功率点的跟踪精度和速度。

    一种光控的太赫兹波3比特编码器及编码方法

    公开(公告)号:CN111555814B

    公开(公告)日:2024-04-16

    申请号:CN202010537774.3

    申请日:2020-06-12

    Abstract: 本发明公开一种光控的太赫兹波3比特编码器及编码方法,包括衬底层、金属层、定位标志和编码结构。金属层和定位标志均覆于衬底层的上表面;编码结构蚀刻在金属层上。编码结构由若干个双圆结构和若干个方形结构组成;所有双圆结构呈周期性排列,所有方形结构呈周期性排列,且所有双圆结构所形成的双圆阵列与所有方形结构所形成的方形阵列相互交错设置。本发明能对太赫兹波进行操控,并能实现3比特即八个状态的编码,与之前的编码结构相比大大提升了编码能力、信息传输能力。能同时控制三个频率点的谐振响应,作用的频段更宽、编码的频率范围更广。本发明具有工艺简单、结构简单且编码速率快的特点。

    一种基于复合超表面的动态可调太赫兹波分束器

    公开(公告)号:CN114325898A

    公开(公告)日:2022-04-12

    申请号:CN202210034731.2

    申请日:2022-01-12

    Abstract: 本发明公开一种基于复合超表面的动态可调太赫兹波分束器,包括衬底层、复合材料层、定位标志和透射相位控制结构。复合材料层和定位标志位于衬底层的上表面;透射相位控制结构位于复合材料层的上表面。透射相位控制结构为相位梯度超表面。入射太赫兹波经过本动态可调太赫兹波分束器被分为两束出射太赫兹波;在此过程中,通过外加激励让复合材料层的复合材料条从绝缘态转为高电导状态,以控制出射太赫兹波的波束强度;其中激发为高电导状态的复合材料条的条数与出射太赫兹波的波束强度呈反比。本发明能将一束太赫兹光分为两束太赫兹波,并能动态调节两束波束的强度和分束比。此外,本发明还具有工艺简单,调控方式可靠,功能丰富等特点。

    一种可见光波段的高FOM生化传感器

    公开(公告)号:CN113866126A

    公开(公告)日:2021-12-31

    申请号:CN202111214318.6

    申请日:2021-10-19

    Abstract: 本发明涉及金属微纳器件领域,具体涉及一种可见光波段的高FOM生化传感器,高低折射率介质层混合结构由上层的低折射率层和下层的高折射率层构成,多个高低折射率介质层混合结构依次连接,低折射率衬底设置于多个高低折射率介质层混合结构底部,石墨烯层的高折射层设置在高低折射率介质层混合结构顶部,石墨烯层本体设置在高折射层顶部,腔结构层设置在石墨烯层顶部,周期性亚波长金属光栅阵列设置在腔结构层顶部。通过优化高/低折射率高低折射率介质层混合结构的厚度、腔结构的腔长与腔宽和光栅的宽度与高度和周期性亚波长金属光栅阵列周期的结构参数以调节传感器的灵敏度和品质因数,使传感器的综合评价指标能够达到高水平。

    一种微米级硅基微热板精确温控系统

    公开(公告)号:CN113120853A

    公开(公告)日:2021-07-16

    申请号:CN202110366294.X

    申请日:2021-04-06

    Abstract: 本发明提供的是一种微米级硅基微热板精确温控系统。其特征是:所述的微米级硅基微热板精确温控系统由硅基底座1、加热电阻2,接触电极3、4、5、6,承重梁7、8、9、10,一字梁11、12,腐蚀窗口13,绝热层14组成。本发明使用多晶硅薄膜作为加热电阻2,多晶硅薄膜相对于金属导体具有较高的电阻值,可以保证在输入0V‑5V的电压下微米级硅基微热板的表面温度控制在0‑80℃的范围内。本发明使用二氧化硅薄膜作为绝热层14,因二氧化硅的具有较高硬度,可以稳定地支撑上部的加热电阻和加热器件,同时由于二氧化硅的低热导率可以有效地减少微热板的热损耗,起到保温隔热效果,也可增加微热板的灵敏度和使用寿命。本发明适用于基于二氧化钒等相变材料所制造的温控半导体器件,以实现温度的精准控制。

    一种基于金属微纳结构的双通道全光吸收器

    公开(公告)号:CN112630874A

    公开(公告)日:2021-04-09

    申请号:CN202011620429.2

    申请日:2020-12-31

    Abstract: 本发明公开了一种吸收光谱的吸收效果较高的基于金属微纳结构的双通道全光吸收器。该基于金属微纳结构的双通道全光吸收器,包括金属衬底;所述金属衬底上方设置有三层混合介质结构;所述混合介质结构包括高折射率介质层和低折射率介质层;所述低折射率介质层位于高折射率介质层上方;最顶层的混合介质结构上的低折射率介质层上设置有阵列分布的十字臂结构;且所述十字臂结构与低折射率介质层固定连接;最底层的混合介质结构上的高折射率介质层与金属衬底固定连接。采用该基于金属微纳结构的双通道全光吸收器,在950nm和1130nm左右时,吸收率达到99.99%以上;以达到完美吸收的效果;并且在滤波与光谱传感方面具有更广泛的应用。

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