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公开(公告)号：CN109741960B
公开(公告)日：2021-01-05
申请号：CN201811606987.6
申请日：2018-12-27
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明涉及超级电容器电极材料技术领域，尤其涉及一种超级电容器用卵壳结构Ni3P及其制备方法，包括非晶Ni‑P纳米球的制备‑中间产物的制备‑中间产物的制备步骤，制备所得到的Ni3P具有卵壳结构。本发明的一种超级电容器用卵壳结构Ni3P及其制备方法，制备方法简单、成本低廉，可用于工业生产，同时制备所得卵壳结构Ni3P作为超级电容器电极材料，可表现出高的比容量等优异的电化学性能。
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公开(公告)号：CN110176586A
公开(公告)日：2019-08-27
申请号：CN201910408044.0
申请日：2019-05-15
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明提供了一种复合型钛酸锂薄膜及其制备方法与应用。所述复合型钛酸锂薄膜的制备方法包括的步骤有：将钛酸锂靶材和能量密度贡献主体元素靶材在惰性气氛下进行共溅射处理，在基体上生长复合型钛酸锂薄膜。本发明复合型钛酸锂薄膜的制备方法将钛酸锂靶材和能量密度贡献主体元素靶材直接采用共溅射法沉积形成。使得生长的复合型钛酸锂薄膜具有丰富的通道结构，且结构稳定，可以提供高的锂离子传输速率，提供了良好的循环可逆性，保持了较高的比容量；同时有效阻止电解液与纳米级能量密度贡献主体元素的直接接触，可以减少和阻止电解液与能量密度贡献主体之间的不可逆副反应，减少固体电解质膜(SEI)的产生。
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公开(公告)号：CN110104677A
公开(公告)日：2019-08-09
申请号：CN201910255251.7
申请日：2019-04-01
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C01G23/00 , H01M4/36 , H01M4/485 , H01M4/60 , H01M10/0525
Abstract: 本发明提供了一种复合钛酸锂材料及其制备方法与应用。所述复合钛酸锂材料制备方法包括如下步骤：配制含有锂源、钛源和次氯酸盐的混合溶液；对所述混合溶液40～90℃并进行保温处理，再对所述混合溶液烘干处理后进行烧结处理，得到前驱体；将所述前驱体于惰性气氛中进行煅烧处理，后进行研磨处理，获得烧结粉体；将所述烧结粉体于含氮气氛中进行氮掺杂热处理，得到复合钛酸锂材料。本发明复合钛酸锂材料的制备方法利用氮取代了钛酸锂中的氧以及生成氮化的次氯酸盐改善材料的界面电导，使得锂离子传输通道更为通畅，利用氮化的钛酸锂提高所述复合钛酸锂材料表面的电子电导，提高所述复合钛酸锂材料中电子的传输速率。
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公开(公告)号：CN110098388A
公开(公告)日：2019-08-06
申请号：CN201910255220.1
申请日：2019-04-01
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01M4/36 , H01M4/38 , H01M4/48 , H01M10/0525
Abstract: 本发明提供了一种氧化硅复合材料及其制备方法与应用。所述氧化硅复合材料制备方法包括如下步骤：将硅粉和二氧化硅粉进行球磨混合处理，获得混合粉体；将所述混合粉体与次氯酸盐混合处理后，获得混合前驱体；将所述混合前驱体在含有氮源的气氛中进行梯度烧结处理，获得氧化硅复合材料。本发明氧化硅复合材料的制备方法制备的氧化硅复合材料具有良好的电子导电网络，从而提高了锂离子传导速率，改善了硅系负极材料的导电性，提高其结构稳定性和容量保持率。
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公开(公告)号：CN109786130A
公开(公告)日：2019-05-21
申请号：CN201910019467.3
申请日：2019-01-09
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明涉及超级电容器电极材料技术领域，尤其涉及一种超级电容器用MnFe2O4纳米片阵列及其制备方法，所述MnFe2O4纳米片的厚度为5-10nm，高度为3-5μm。本发明的一种超级电容器用MnFe2O4纳米片阵列及其制备方法，工艺简单、操作容易、原料来源丰富、成本较低，同时所制备的MnFe2O4纳米片阵列具有良好的电化学性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109319778A
公开(公告)日：2019-02-12
申请号：CN201811114752.5
申请日：2018-09-25
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C01B32/324 , C01B32/348 , H01G11/44 , H01G11/34 , H01G11/86
Abstract: 本发明公开了一种氮掺杂松子壳基多孔碳材料的制备方法及应用，其特征在于由松子壳制备的碳前驱体，经低温碳化处理后，与含氮化合物和采用碱性无机物煅烧活化制备而成。制备步骤为：步骤1：松子壳经过水洗、烘干、打磨成粉、低温碳化得到碳前驱体；步骤2：将碳前驱体、含氮化合物和碱性无机物混合、搅拌、烘干、煅烧得到氮掺杂多孔碳材料；步骤3：将氮掺杂多孔碳材料酸洗、过滤、烘干、研磨得到比表面积为1359-2524m2g-1，孔径分布为1.60-2.40 nm的氮掺杂松子壳基多孔碳材料。该材料应用到超级电容器电极材料，当电流密度为0.5Ag-1时，可实现比电容值为278-380Fg-1。
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公开(公告)号：CN104167297B
公开(公告)日：2018-01-30
申请号：CN201410424428.9
申请日：2014-08-26
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01G11/24
CPC classification number: Y02E60/13
Abstract: 本发明公开了一种超级电容器用管状介孔四氧化三钴及其制备方法。所述的管状介孔四氧化三钴是以棉花为模板制备获得的。所述的管状介孔四氧化三钴粉体的制备方法是把棉花浸泡在硝酸钴的水溶液中，待干燥后将吸附硝酸钴的棉花在空气中煅烧得到四氧化三钴粉体。所述的管状介孔四氧化三钴孔径为9‑25 nm、管径为8‑20μm、内外径比大于1、长径比大于10的四氧化三钴。所述管状介孔四氧化三钴因具有良好的电容特性及较高的储能特性，可用作为超级电容器的电极材料。本发明同现有技术相比，工艺简单、操作容易、环保、原料来源丰富、低成本及性能好等优点，适合工业化生产。
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公开(公告)号：CN102867655B
公开(公告)日：2015-08-05
申请号：CN201210392323.0
申请日：2012-10-16
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01G11/84
CPC classification number: Y02E60/13
Abstract: 本发明公开了一种管状介孔二氧化锰的超级电容器及其制备方法，其特征在于：管状介孔二氧化锰的超级电容器，是具有孔径分布为2－50nm、管径为0.5－10μm、内外径比>0.9、长径比>10的α、β、或γ相二氧化锰，或三种晶相中两两混合，或三种晶相混合的二氧化锰，其制备方法是把棉花浸泡在高锰酸钾的水溶液中，待干燥后将吸附高锰酸钾的棉花在空气中煅烧，再将煅烧后的产物进行水洗及干燥得到氧化锰粉体，具有良好的电容特性及较高的储能特性，可用作为超级电容器的电极材料，本发明简单、环保、低成本且性能好等优点。
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公开(公告)号：CN104466149A
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201410788967.0
申请日：2014-12-19
Applicant: 桂林电子科技大学
CPC classification number: H01M4/48 , B82Y40/00 , C01G39/02 , H01M10/0525
Abstract: 本发明公开了一种晶面择优生长的单晶MoO3锂离子电池正极材料的制备方法，其特征在于：将收集好的甘蔗渣用去离子水清洗，烘干，再将所得甘蔗渣模板放入1-10％的钼酸铵水溶液中浸渍，甘蔗渣和钼酸铵水溶液的重量比为1-7∶93-99，待模板完全浸透后取出，并于60℃烘干；再将干燥后的吸附有钼酸铵的甘蔗渣模板在空气气氛中，控制温度400-600℃，煅烧时间2-5小时，得到MoO3锂离子电池正极粉体材料。本发明方法简单、成本低、环保性好，制备的晶面择优生长的单晶MoO3，单晶及择优生长材料可提高材料的电导性及改善其循环稳定性，具有很好的经济效益和社会效益，绿色环保。
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公开(公告)号：CN104051599A
公开(公告)日：2014-09-17
申请号：CN201410249279.7
申请日：2014-06-07
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01L33/50
CPC classification number: H01L33/502 , H01L33/505 , H01L2933/0041
Abstract: 一种基于3D打印技术的白光LED荧光薄膜的制备方法，包括如下步骤：（1）配制荧光粉浆料；（2）导入3D打印机，由计算机控制在LED芯片或其它透明基片上进行荧光薄膜的打印；（3）打印的过程中，选取热风吹扫或紫外光固化等方式对打印出来的薄层进行同步固化；（4）根据胶体性质按优化的加热工艺或紫外光固化方式进行整体再固化，即获得所需要的荧光薄膜。本发明具有打印精度和自动化程度高，物料浪费少，并可随心所欲地在各种基片或物体上打印各种形状和厚度的三维物体，是一种先进的制造技术，且现已有成熟的3D打印机，并可以实现自动化的生产，十分适合于荧光薄膜的制备。
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