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公开(公告)号：CN114910838B
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202110183910.8
申请日：2021-02-10
摘要： 本申请涉及一种磁场增强组件以及磁场增强器件。第一电极层设置于第一表面，靠近第二端设置。第二电极层设置于第一表面，并与第一电极层间隔设置，且靠近第一端设置。第三电极层设置于第二表面，并靠近第二端设置，第三电极层在第一电介质层的正投影和第一电极层在第一电介质层的正投影部分重合，形成第二结构电容。第四电极层设置于第二表面，并与第三电极层间隔设置，且靠近第一端设置，第四电极层在第一电介质层的正投影和第二电极层在第一电介质层的正投影部分重合，形成第三结构电容。第三谐振电路的一端与第二电极层远离第一端的一端电连接，第三谐振电路的另一端与第一电极层远离第二端的一端电连接。
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公开(公告)号：CN114910840B
公开(公告)日：2024-04-23
申请号：CN202110183918.4
申请日：2021-02-10
摘要： 本申请涉及一种磁场增强组件及磁场增强器件。所述磁场增强组件包括第一电介质层、第一电极层、第二电极层、第三电极层和输出匹配电路。第一电极层设置于第一电极层的第一表面。第二电极层和第三电极层相对间隔设置于第一电极层的第二表面。第二电极层与第一电极层部分重叠。第三电极层与第一电极层部分重叠。输出匹配电路连接于所述第一电极层与第二电极层之间。输出匹配电路还用于与信号采集装置连接。输出匹配电路用于调节信号采集装置两端的阻抗值和谐振频率，以直接取出检测信号，减小与其他线圈配合引起的耦合伪影和噪声，检测信号质量较高，图像质量较高。
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公开(公告)号：CN114910851A
公开(公告)日：2022-08-16
申请号：CN202110183928.8
申请日：2021-02-10
IPC分类号： G01R33/36
摘要： 本申请涉及基于二极管的非线性响应MRI图像增强超构表面器件，具体为磁场增强组件和磁场增强器件，磁场增强组件包括第一电介质层、第一电极层、第二电极层、第四电极层和第一开关控制电路。第一电介质层包括相对的第一表面和第二表面。第一电极层设置于第一表面。第二电极层和第四电极层设置于第二表面。第一电极层分别与第二电极层和第四电极层在第一电介质层的正投影具有重叠部分。第一开关控制电路的两端分别与第一电极层和第二电极层连接。第一开关控制电路用于在射频发射阶段导通，在射频接收阶段断开。第一开关控制电路用于在射频发射阶段导通，在射频接收阶段断开。在射频发射阶段能够有效降低磁场增强对人体的不良影响，同时能够消除磁场增强组件干扰射频发射场的图像的伪影。
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公开(公告)号：CN114910847A
公开(公告)日：2022-08-16
申请号：CN202110183930.5
申请日：2021-02-10
摘要： 本申请涉及一种磁场增强组件以及磁场增强器件。磁场增强组件包括第一电介质层，具有相对设置的第一表面与第二表面。第一电极层设置于第一表面，靠近第二端设置。第二电极层设置于第二表面，靠近第一端设置。第一电极层在第一电介质层的正投影与第二电极层在第一电介质层的正投影部分重叠形成第一结构电容，第一结构电容靠近第一电介质层的中部。第三电极层设置于第二表面，靠近第二端，第三电极层与第二电极层间隔设置，第三电极层在第一电介质层的正投影位于第一电极层在第一电介质层的正投影中。第四电极层设置于第一表面，靠近第一端，第四电极层与第一电极层间隔设置。第四电极层在第一电介质层的正投影位于第二电极层在第一电介质层的投影中。
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公开(公告)号：CN114910844A
公开(公告)日：2022-08-16
申请号：CN202110183924.X
申请日：2021-02-10
摘要： 本申请涉及一种磁场增强组件及磁场增强器件。磁场增强组件包括第一电介质层、第一电极层、第二电极层和第三电极层。第一电介质层包括相对的第一表面和第二表面。第一电极层设置于第一表面。第一电极层包括第一子电极层、第二子电极层和连接于第一子电极层和第二子电极层之间的第一连接层。第二电极层和第三电极层宽度相等且相对间隔设置于第二表面。第二电极层、第一电介质层和第一子电极层构成第二结构电容。第三电极层、第一电介质层和第二子电极层构成第三结构电容。第一连接层的宽度小于第一子电极层的宽度。检测部位被所述第一电极层覆盖的区域减小，第一电极层的屏蔽效果减弱，反馈信号的传输能力增强，信号质量提高。
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公开(公告)号：CN114910840A
公开(公告)日：2022-08-16
申请号：CN202110183918.4
申请日：2021-02-10
摘要： 本申请涉及一种磁场增强组件及磁场增强器件。所述磁场增强组件包括第一电介质层、第一电极层、第二电极层、第三电极层和输出匹配电路。第一电极层设置于第一电极层的第一表面。第二电极层和第三电极层相对间隔设置于第一电极层的第二表面。第二电极层与第一电极层部分重叠。第三电极层与第一电极层部分重叠。输出匹配电路连接于所述第一电极层与第二电极层之间。输出匹配电路还用于与信号采集装置连接。输出匹配电路用于调节信号采集装置两端的阻抗值和谐振频率，以直接取出检测信号，减小与其他线圈配合引起的耦合伪影和噪声，检测信号质量较高，图像质量较高。
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公开(公告)号：CN114910837A
公开(公告)日：2022-08-16
申请号：CN202110183927.3
申请日：2021-02-10
摘要： 本申请涉及一种磁场增强组件和磁场增强器件，在射频发射阶段，由于所述第二结构电容上的压差较大，所述第二开关控制电路导通。所述第二外接电容被短路。只有所述第三外接电容连接在所述第一电极层和所述第二电极层之间。通过设置合适的所述第三外接电容可以降低或避免所述磁场增强组件所在的回路在射频发射阶段的失谐程度。通过所述第三外接电容可以使在使用所述磁场增强组件时和使用所述磁场增强组件前，磁共振系统中的受测区域磁场强度相同。因此在射频发射阶段，磁共振系统中的受测区域的磁场强度保持前后一致，能够有效降低磁场增强对人体的不良影响。
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公开(公告)号：CN109490803A
公开(公告)日：2019-03-19
申请号：CN201811201222.4
申请日：2018-10-16
申请人： 清华大学
摘要： 本发明公开了用于核磁共振成像系统的超构表面器件及制备方法、核磁共振成像系统。该超构表面器件包括：印刷线路板，印刷线路板包括电介质板和分别设置在电介质板正面和背面的第一电极和第二电极，第一电极沿第一方向延伸，第二电极沿第二方向延伸，第一方向垂直于第二方向，且第二电极在电介质板上的正投影，位于第一电极在电介质板上正投影的两端，以构成平行板电容器；可变电容器，可变电容器与平行板电容器并联连接。由此，该超构表面器件具有结构简单，占用空间小的优点，且该超构表面器件的谐振频率具有可调谐性，使得该超构表面器件的谐振频率与核磁共振成像系统的工作频率能够较好的匹配，提高核磁共振成像系统的测试精度和使用性能。
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公开(公告)号：CN114910839B
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202110183916.5
申请日：2021-02-10
摘要： 本发明涉及一种双核磁场增强装置及磁共振系统。第一筒形支架具有第一外表面与第一内表面。第一外表面环绕第一内表面，并且与第一内表面间隔相对设置，第一内表面包围形成第一容纳空间。第一磁场增强组件的延伸方向与第一筒形支架的第一中心轴线的延伸方向相同，并环绕第一中心轴线间隔设置于第一外表面。第一环形导电片和第二环形导电片分别设置于第一筒形支架相对的两端，并环绕第一中心轴线设置，第一环形导电片的两端的连接处具有第一相位调控缺口，第二环形导电片的两端的连接处具有第二相位调控缺口。每个第一磁场增强组件的两端分别与第一环形导电片和第二环形导电片连接。第二筒形磁场增强器设置于第一容纳空间内。
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公开(公告)号：CN114910850B
公开(公告)日：2024-04-23
申请号：CN202110183943.2
申请日：2021-02-10
摘要： 本申请涉及一种双核MRI的图像增强超构表面器件，具体为双核磁场增强装置及磁共振系统，所述双核磁场增强装置包括第一筒形磁场增强器与第二筒形磁场增强器。所述第一筒形磁场增强器包围形成第一容纳空间。所述第一筒形磁场增强器用于增强检测部位的氢质子核的核磁信号。所述第二筒形磁场增强器设置于所述第一容纳空间内，用于增强所述检测部位的非氢质子核的核磁信号。所述第二筒形磁场增强器包围形成第二容纳空间，用于容纳检测部位。所述双核磁场增强装置实现了对氢质子核和非氢质子核的双核MRI两个信号场的同时增强。相对传统技术，所述双核磁场增强装置可以具有更高的磁场增强效果。在应用于MRI设备成像时，所述双核磁场增强装置可以辅助MRI设备获得更高质量的图像。
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