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公开(公告)号：CN114910847B
公开(公告)日：2024-04-23
申请号：CN202110183930.5
申请日：2021-02-10
摘要： 本申请涉及一种磁场增强组件以及磁场增强器件。磁场增强组件包括第一电介质层，具有相对设置的第一表面与第二表面。第一电极层设置于第一表面，靠近第二端设置。第二电极层设置于第二表面，靠近第一端设置。第一电极层在第一电介质层的正投影与第二电极层在第一电介质层的正投影部分重叠形成第一结构电容，第一结构电容靠近第一电介质层的中部。第三电极层设置于第二表面，靠近第二端，第三电极层与第二电极层间隔设置，第三电极层在第一电介质层的正投影位于第一电极层在第一电介质层的正投影中。第四电极层设置于第一表面，靠近第一端，第四电极层与第一电极层间隔设置。第四电极层在第一电介质层的正投影位于第二电极层在第一电介质层的投影中。
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公开(公告)号：CN114910844B
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN202110183924.X
申请日：2021-02-10
摘要： 本申请涉及一种磁场增强组件及磁场增强器件。磁场增强组件包括第一电介质层、第一电极层、第二电极层和第三电极层。第一电介质层包括相对的第一表面和第二表面。第一电极层设置于第一表面。第一电极层包括第一子电极层、第二子电极层和连接于第一子电极层和第二子电极层之间的第一连接层。第二电极层和第三电极层宽度相等且相对间隔设置于第二表面。第二电极层、第一电介质层和第一子电极层构成第二结构电容。第三电极层、第一电介质层和第二子电极层构成第三结构电容。第一连接层的宽度小于第一子电极层的宽度。检测部位被所述第一电极层覆盖的区域减小，第一电极层的屏蔽效果减弱，反馈信号的传输能力增强，信号质量提高。
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公开(公告)号：CN114910841B
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN202110183919.9
申请日：2021-02-10
摘要： 本申请涉及一种磁场增强组件和磁场增强器件，所述第三开关控制电路用于在射频发射阶段导通，在射频接收阶段断开。在射频发射阶段，所述磁场增强组件所在回路的谐振频率偏离磁共振系统工作频率较远，因此通过设置合适的所述第五外接电容和所述第四外接电容，能够保证在磁共振系统的射频发射阶段，有无所述磁场增强组件时磁场强度相同。此时受测区域保持原来的磁场强度，能够有效降低磁场增强对人体的不良影响。
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公开(公告)号：CN114910836A
公开(公告)日：2022-08-16
申请号：CN202110183921.6
申请日：2021-02-10
IPC分类号： G01R33/28 , G01R33/36 , G01R33/38 , G01R33/422
摘要： 本申请涉及一种磁场增强组件及磁场增强器件。所述磁场增强组件包括第一电介质层、第一电极层、第二电极层、第三电极层、第四电极层和第七控制电路。第一电极层和第二电极层设置于第一电介质层的第一表面。第三电极层和第四电极层设置于第一电介质层的第二表面。第一电极层与第三电极层构成第二结构电容。第二电极层与第四电极层构成第三结构电容。第七控制电路连接于第一电极层和第二电极层之间，且包括第三电容、第一电感和第一开关电路。第一电感和第一开关电路串联后的电路与所述第三电容并联。第一开关电路在射频发射阶段断开，使磁场增强组件所在回路与检测部位谐振，增加磁场。第一开关电路在射频发射阶段导通，不能增强磁场。
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公开(公告)号：CN114910853B
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202110183909.5
申请日：2021-02-10
摘要： 本申请涉及一种磁场增强组件和磁场增强器件，具体为一种MRI图像增强超构表面阵列单元组件。第一电极层和所述第二电极层相对设置的部分构成所述第一结构电容。所述第一电极层和所述第二电极层在所述第一电介质层的正投影不重叠的部分可以作为传输导线，起到等效电感的作用。所述第一结构电容和所述等效电感可以形成LC振荡电路。用在谐振频率较低的场合时，具有较小容值的所述第一结构电容就能使得所述磁场增强组件所在回路的谐振频率降低到磁共振系统射频线圈的频率，从而能够有效提高磁场强度。
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公开(公告)号：CN116224193A
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN202310026062.9
申请日：2023-01-09
申请人： 清华大学
IPC分类号： G01R33/389 , G01R33/385 , A61B5/055
摘要： 本申请涉及一种磁场调整装置和磁共振成像系统，该磁场调整装置包括：环阵列和多个电容电路，环阵列包括多个单环，多个单环沿轴线排布；每个单环上对应设置一个所述电容电路，在环阵列上，各电容电路的电容值呈中间向两边递增的梯度分布。这样的分布可以改变等效磁导率，对环阵列本身不均匀磁场进行了补偿，从而实现均匀化环阵列表面的磁场，当该类型的磁场调整装置应用于磁共振成像系统时，即可均匀化磁共振成像系统中的射频磁场，从而提高磁共振成像系统的成像质量。
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公开(公告)号：CN114910850A
公开(公告)日：2022-08-16
申请号：CN202110183943.2
申请日：2021-02-10
摘要： 本申请涉及一种双核MRI的图像增强超构表面器件，具体为双核磁场增强装置及磁共振系统，所述双核磁场增强装置包括第一筒形磁场增强器与第二筒形磁场增强器。所述第一筒形磁场增强器包围形成第一容纳空间。所述第一筒形磁场增强器用于增强检测部位的氢质子核的核磁信号。所述第二筒形磁场增强器设置于所述第一容纳空间内，用于增强所述检测部位的非氢质子核的核磁信号。所述第二筒形磁场增强器包围形成第二容纳空间，用于容纳检测部位。所述双核磁场增强装置实现了对氢质子核和非氢质子核的双核MRI两个信号场的同时增强。相对传统技术，所述双核磁场增强装置可以具有更高的磁场增强效果。在应用于MRI设备成像时，所述双核磁场增强装置可以辅助MRI设备获得更高质量的图像。
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公开(公告)号：CN114910849A
公开(公告)日：2022-08-16
申请号：CN202110183942.8
申请日：2021-02-10
摘要： 本申请涉及一种曲面磁场增强器件。磁场增强组件包括柔性支撑体、多个磁场增强组件、第一导电片和第二导电片。柔性支撑体能够弯折为曲面。多个磁场增强组件平行间隔设置于柔性支撑体。每个磁场增强组件包括第一电连接端和第二电连接端。第一电连接端和第二电连接端之间连接有串联连接的结构电容和电感结构。第一导电片分别与多个磁场增强组件的第一电连接端连接。第二导电片分别与多个磁场增强组件的第二电连接端连接。曲面磁场增强器件的谐振频率等于目标频率，曲面磁场增强器件与检测部位谐振，检测信号的磁场强度增加，射频线圈采集的信号质量提高。
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公开(公告)号：CN114910848A
公开(公告)日：2022-08-16
申请号：CN202110183937.7
申请日：2021-02-10
摘要： 本申请涉及一种磁场增强器件。磁场增强器件包括两个平行设置的第一平板组件。第一平板组件包括在第一平面内平行间隔排布的多个磁场增强组件、第一导电片和第二导电片。每个磁场增强组件包括第一电连接端和第二电连接端。第一电连接端和第二电连接端之间连接有电容结构和电感结构。第一导电片与多个磁场增强组件的第一电连接端连接。第二导电片分别与多个磁场增强组件的第二电连接端连接。两个第一平板组件分别设置于检测部位的两侧。第一平板组件的谐振频率等于目标频率。第一平板组件与检测部位谐振，检测信号的磁场强度增加。两个第一平板组件可以分别增强靠近各自的检测部位的磁场，增加检测部位的检测维度和趋肤深度，提高检测信号的精确度。
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公开(公告)号：CN114910851B
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202110183928.8
申请日：2021-02-10
IPC分类号： G01R33/36
摘要： 本申请涉及基于二极管的非线性响应MRI图像增强超构表面器件，具体为磁场增强组件和磁场增强器件，磁场增强组件包括第一电介质层、第一电极层、第二电极层、第四电极层和第一开关控制电路。第一电介质层包括相对的第一表面和第二表面。第一电极层设置于第一表面。第二电极层和第四电极层设置于第二表面。第一电极层分别与第二电极层和第四电极层在第一电介质层的正投影具有重叠部分。第一开关控制电路的两端分别与第一电极层和第二电极层连接。第一开关控制电路用于在射频发射阶段导通，在射频接收阶段断开。第一开关控制电路用于在射频发射阶段导通，在射频接收阶段断开。在射频发射阶段能够有效降低磁场增强对人体的不良影响，同时能够消除磁场增强组件干扰射频发射场的图像的伪影。
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