公开(公告)号：CN106277064B

公开(公告)日：2017-08-25

申请号：CN201610580163.0

申请日：2016-07-22

申请人： 电子科技大学

发明人： 陈远富 ,  戚飞 ,  郑斌杰 ,  李萍剑 ,  周金浩 ,  王新强 ,  张万里

IPC分类号： C01G47/00

摘要： 本发明公开了一种制备二硫化铼纳米片的方法，属于新型二维纳米材料制备领域。本发明以高铼酸铵作为铼源、硫脲作为硫源，盐酸羟胺作为还原剂，将上述三种反应物溶解于溶剂水中，通过调节反应温度和反应时间发生化学反应，然后将产物清洗，经干燥处理后，最终合成二硫化铼纳米片。本发明操作过程简单，效率高、重复性好、成本低，可大批量制备出高质量的二硫化铼纳米片，同时，本发明为二硫化铼纳米片在电学和光学方面的应用提供了可靠的样品制备方法。

公开(公告)号：CN106277064A

公开(公告)日：2017-01-04

申请号：CN201610580163.0

申请日：2016-07-22

申请人： 电子科技大学

发明人： 陈远富 ,  戚飞 ,  郑斌杰 ,  李萍剑 ,  周金浩 ,  王新强 ,  张万里

IPC分类号： C01G47/00

CPC分类号： C01G47/00 ,  C01P2002/72 ,  C01P2002/82 ,  C01P2002/85 ,  C01P2004/04

摘要： 本发明公开了一种制备二硫化铼纳米片的方法，属于新型二维纳米材料制备领域。本发明以高铼酸铵作为铼源、硫脲作为硫源，盐酸羟胺作为还原剂，将上述三种反应物溶解于溶剂水中，通过调节反应温度和反应时间发生化学反应，然后将产物清洗，经干燥处理后，最终合成二硫化铼纳米片。本发明操作过程简单，效率高、重复性好、成本低，可大批量制备出高质量的二硫化铼纳米片，同时，本发明为二硫化铼纳米片在电学和光学方面的应用提供了可靠的样品制备方法。