公开(公告)号：CN118265421A

公开(公告)日：2024-06-28

申请号：CN202410259242.6

申请日：2024-03-07

申请人： 福建江夏学院

发明人： 熊浩 ,  王煜 ,  邱羽 ,  江琳沁 ,  孙文贤

IPC分类号： H10K85/50 ,  H10K30/40 ,  H10K30/50 ,  H10K71/12 ,  H10K71/30

摘要： 本发明提供一种铅锡混合钙钛矿太阳能电池及其制备方法，太阳能电池包括一铅锡混合钙钛矿膜层，所述铅锡混合钙钛矿膜层为FA0.8MA0.2Pb0.5Sn0.5I3钙钛矿薄膜，所述FA0.8MA0.2Pb0.5Sn0.5I3钙钛矿薄膜的制备方法如下：将甲脒氢碘酸盐、甲胺氢碘酸盐、甲胺盐酸盐、碘化亚锡、碘化铅和氟化亚锡溶解于溶剂中，再加入一定量的异辛酸亚锡，混合均匀后，将溶液旋涂于基底表面，再在80‑120℃温度下进行退火，即得到FA0.8MA0.2Pb0.5Sn0.5I3钙钛矿薄膜；所述甲脒氢碘酸盐、甲胺氢碘酸盐和甲胺盐酸盐摩尔比为0.8:0.1:0.1，所述添加剂异辛酸亚锡的含量为1‑10mg/ml。本发明可增强铅锡混合钙钛矿薄膜结晶以及提高铅锡混合钙钛矿太阳能电池效率，增强电池稳定性。

公开(公告)号：CN115124994A

公开(公告)日：2022-09-30

申请号：CN202210574710.X

申请日：2022-05-25

申请人： 福建江夏学院 ,  福建省计量科学研究院(福建省眼镜质量检验站)

发明人： 江琳沁 ,  许泽尧 ,  邱羽 ,  熊浩 ,  李平 ,  林灵燕 ,  孙文贤 ,  杨爱军 ,  黎健生

IPC分类号： C09K11/61 ,  C01G3/00

摘要： 本发明提供一种荧光增强的新型铯铵铜碘钙钛矿材料的合成方法及其产品，所述铯铵铜碘钙钛矿材料的化学式为(NH4)3‑xCsxCu2I5，其中，0

公开(公告)号：CN108114678B

公开(公告)日：2020-10-16

申请号：CN201711389673.0

申请日：2017-12-21

申请人： 福建江夏学院

发明人： 颜峰坡 ,  邱羽 ,  江琳沁 ,  范宝殿 ,  李平 ,  严琼 ,  林灵燕

IPC分类号： B01J19/08 ,  B01J19/00

摘要： 本发明属于无机非金属材料领域，涉及一种强电场水热生长系统及其使用方法，可在高温高压条件下同时获得强电场环境。该系统包括直流可调高压电源模块，加热装置和水热釜装置；所述直流可调高压电源模块通过将其正极和接地极上连接的导线引入加热装置，与加热装置内的水热釜装置连接使电路连通。通过控制温度和电压，研究强电场条件对水热纳米或单晶非极性材料生长的影响，从而获得新的纳米材料形貌和性能。本发明所述直流可调高压电源模块能够提供高达5万伏的大小可调的电压，加热装置可提供热环境，并支持将直流高压电导入加热腔内，而水热釜装置则可以保证材料的制备处于高压的水热环境同时又处于强电场环境当中。

公开(公告)号：CN108889324A

公开(公告)日：2018-11-27

申请号：CN201810641395.1

申请日：2018-06-21

申请人： 福建江夏学院

发明人： 江琳沁 ,  邱羽 ,  林灵燕 ,  李平 ,  严琼 ,  颜峰坡 ,  范宝殿

IPC分类号： B01J27/24 ,  B01J35/08

摘要： 本发明涉及一种二硫化钼-氮化碳复合光催化材料的合成，包括如下步骤：（1）在马弗炉中煅烧尿素，获得氮化碳粉体材料；（2）将步骤（1）所获得的氮化碳与阳离子型分散剂PEI超声分散（；3）将步骤（2）得到的氮化碳悬浮液，与水合钼酸钠、半胱氨酸在水溶剂中搅拌；（4）将步骤（3）的混合溶液置于高压釜中进行水热反应，获得的固体产物经无水乙醇抽滤洗涤（；4）将干燥所得的固体产物在氮气炉中煅烧，得到二硫化钼-氮化碳复合材料。本发明使用一种新型的阳离子型分散剂，获得的二硫化钼-氮化碳复合材料具有球形结构，具有很好的可见光催化效果，是一种新型的具有潜在应用前景的可见光催化材料。

公开(公告)号：CN108091765A

公开(公告)日：2018-05-29

申请号：CN201711426701.1

申请日：2017-12-26

申请人： 福建江夏学院

发明人： 范宝殿 ,  邱羽 ,  颜峰坡 ,  江琳沁 ,  李平 ,  林灵燕 ,  严琼

IPC分类号： H01L51/42 ,  H01L51/48

摘要： 本发明涉及激光晶化及钙钛矿太阳电池材料，尤其涉及到一种利用激光辐照制备钙钛矿太阳电池电子传输层的方法。包括致密TiO2和介孔TiO2的电子传输层，利用激光分别对致密TiO2和介孔TiO2薄膜进行晶化得到电子传输层。利用这种方法可以获得高取向、大晶粒的钙钛矿电子传输层材料，减少晶界等缺陷，提高电子传输层的电导率，进而提高电池效率。该方法只需要在钙钛矿太阳电池流水线上布置激光对材料进行扫描即可，适合与产业化应用。

公开(公告)号：CN104447349A

公开(公告)日：2015-03-25

申请号：CN201410755388.6

申请日：2014-12-11

申请人： 福建江夏学院

发明人： 邱羽 ,  关翔锋 ,  江琳沁 ,  颜峰坡 ,  严琼

IPC分类号： C07C209/00 ,  C07C211/63 ,  C07C211/04 ,  C07C211/05 ,  C07C211/08 ,  C07C211/55 ,  H01L51/46

CPC分类号： Y02E10/549

摘要： 本发明公开了一种高稳定的杂化钙钛矿材料，其是由有机胺阳离子RnNH4-n、金属阳离子M和卤素阴离子所组成的ABO3型钙钛矿结构，其通式为：RnNH4-nM(IyX1-y)3，其中n=2或3或4；0

公开(公告)号：CN219612492U

公开(公告)日：2023-08-29

申请号：CN202320363181.9

申请日：2023-03-02

申请人： 福建省计量科学研究院(福建省眼镜质量检验站) ,  福建江夏学院

发明人： 杨爱军 ,  黄孝坤 ,  黎健生 ,  何翔 ,  陈彩云 ,  邱羽 ,  江琳沁 ,  熊浩 ,  李平 ,  林灵燕

IPC分类号： H10K30/88 ,  H10K30/15 ,  H10K30/50

摘要： 本实用新型提供了一种基于P3HT界面修饰的钙钛矿太阳电池，钙钛矿太阳电池包括从下到上依次设置有FTO导电玻璃、SnO2电子传输层、钙钛矿层、P3HT界面修饰层、Spiro‑OMeTAD空穴传输层以及Au电极。所述FTO导电玻璃的厚度为350～450nm,SnO2电子传输层的厚度为20～50nm，钙钛矿层的厚度为200～500nm，P3HT界面修饰层的厚度为1～10nm，Spiro‑OMeTAD空穴传输层的厚度为100～300nm，Au电极的厚度为80～120nm。本实用新型采用聚‑3己基噻吩(P3HT)聚合物修饰的方式在钙钛矿层和空穴传输层之间形成P3HT界面修饰层，提升钙钛矿吸光层和空穴传输层的界面质量，起到了缺陷钝化和阻隔水分的协同作用。

公开(公告)号：CN220307715U

公开(公告)日：2024-01-05

申请号：CN202321629464.X

申请日：2023-06-26

申请人： 福建省计量科学研究院(福建省眼镜质量检验站) ,  福建江夏学院

发明人： 杨爱军 ,  黄孝坤 ,  黎健生 ,  邱羽 ,  江琳沁 ,  李平 ,  熊浩

IPC分类号： H10K30/10 ,  H10K30/40 ,  H10K30/50 ,  H10K30/85 ,  H10K30/86 ,  H10K30/81 ,  H10K71/12 ,  H10K71/16 ,  H10K71/40

摘要： 本实用新型提供一种具有双吸光层结构的钙钛矿太阳电池，所述钙钛矿太阳电池的结构为从下到上依次设置有FTO导电玻璃、TiO2电子传输层、MASnI3钙钛矿吸光层、CsGeI3钙钛矿吸光层、Spiro‑OMeTAD空穴传输层以及Ag电极，所述MASnI3钙钛矿吸光层为CH3NH3SnI3钙钛矿吸光层。本实用新型具有双吸光层结构，使电池扩宽吸光层的吸收光谱至红外波段，双层异质结结构能够提升吸光层的内部电场驱动力，从而有效地促进光生载流子的解离，显著提升了钙钛矿电池的光电转换效率。

公开(公告)号：CN219843920U

公开(公告)日：2023-10-17

申请号：CN202320770308.9

申请日：2023-04-10

申请人： 福建省计量科学研究院(福建省眼镜质量检验站) ,  福建江夏学院

发明人： 杨爱军 ,  黄孝坤 ,  黎健生 ,  邱羽 ,  江琳沁 ,  熊浩 ,  李平

IPC分类号： H10K30/88 ,  H10K30/81 ,  H10K30/80

摘要： 本实用新型公开了一种钙钛矿太阳电池的封装结构，包括上LiF膜层和下LiF膜层，所述上LiF膜层设置在下LiF膜层上方，所述上LiF膜层和下LiF膜层之间设置有中间吸收层，所述中间吸收层为Au膜层。采用上述技术方案制成了一种钙钛矿太阳电池的封装结构，通过设置上LiF膜层和下LiF膜层，有效提高封装结构对于钙钛矿电池的保护性能，通过中间吸收层对于透过上LiF膜层和下LiF膜层的部分水、氧的吸收，有效防止环境中的水汽扩散进入到电池内部，适用于柔性的光伏器件，LiF以及Au均属于制备钙钛矿太阳能电池常用到的背接触电极材料，不会与电池组分发生反应，提高了封装结构的稳定性。