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公开(公告)号:CN220307715U
公开(公告)日:2024-01-05
申请号:CN202321629464.X
申请日:2023-06-26
申请人: 福建省计量科学研究院(福建省眼镜质量检验站) , 福建江夏学院
IPC分类号: H10K30/10 , H10K30/40 , H10K30/50 , H10K30/85 , H10K30/86 , H10K30/81 , H10K71/12 , H10K71/16 , H10K71/40
摘要: 本实用新型提供一种具有双吸光层结构的钙钛矿太阳电池,所述钙钛矿太阳电池的结构为从下到上依次设置有FTO导电玻璃、TiO2电子传输层、MASnI3钙钛矿吸光层、CsGeI3钙钛矿吸光层、Spiro‑OMeTAD空穴传输层以及Ag电极,所述MASnI3钙钛矿吸光层为CH3NH3SnI3钙钛矿吸光层。本实用新型具有双吸光层结构,使电池扩宽吸光层的吸收光谱至红外波段,双层异质结结构能够提升吸光层的内部电场驱动力,从而有效地促进光生载流子的解离,显著提升了钙钛矿电池的光电转换效率。
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公开(公告)号:CN219612492U
公开(公告)日:2023-08-29
申请号:CN202320363181.9
申请日:2023-03-02
申请人: 福建省计量科学研究院(福建省眼镜质量检验站) , 福建江夏学院
摘要: 本实用新型提供了一种基于P3HT界面修饰的钙钛矿太阳电池,钙钛矿太阳电池包括从下到上依次设置有FTO导电玻璃、SnO2电子传输层、钙钛矿层、P3HT界面修饰层、Spiro‑OMeTAD空穴传输层以及Au电极。所述FTO导电玻璃的厚度为350~450nm,SnO2电子传输层的厚度为20~50nm,钙钛矿层的厚度为200~500nm,P3HT界面修饰层的厚度为1~10nm,Spiro‑OMeTAD空穴传输层的厚度为100~300nm,Au电极的厚度为80~120nm。本实用新型采用聚‑3己基噻吩(P3HT)聚合物修饰的方式在钙钛矿层和空穴传输层之间形成P3HT界面修饰层,提升钙钛矿吸光层和空穴传输层的界面质量,起到了缺陷钝化和阻隔水分的协同作用。
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公开(公告)号:CN219843920U
公开(公告)日:2023-10-17
申请号:CN202320770308.9
申请日:2023-04-10
申请人: 福建省计量科学研究院(福建省眼镜质量检验站) , 福建江夏学院
摘要: 本实用新型公开了一种钙钛矿太阳电池的封装结构,包括上LiF膜层和下LiF膜层,所述上LiF膜层设置在下LiF膜层上方,所述上LiF膜层和下LiF膜层之间设置有中间吸收层,所述中间吸收层为Au膜层。采用上述技术方案制成了一种钙钛矿太阳电池的封装结构,通过设置上LiF膜层和下LiF膜层,有效提高封装结构对于钙钛矿电池的保护性能,通过中间吸收层对于透过上LiF膜层和下LiF膜层的部分水、氧的吸收,有效防止环境中的水汽扩散进入到电池内部,适用于柔性的光伏器件,LiF以及Au均属于制备钙钛矿太阳能电池常用到的背接触电极材料,不会与电池组分发生反应,提高了封装结构的稳定性。
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