基于单宁酸和铁(Ⅲ)配位化合物的电存储材料及其制备方法与电存储器件

    公开(公告)号:CN109545965B

    公开(公告)日:2022-05-13

    申请号:CN201811362521.6

    申请日:2018-11-15

    申请人: 苏州大学

    发明人: 路建美 贺竞辉

    IPC分类号: H01L51/05 H01L51/30 H01L51/40

    摘要: 本发明公开了基于单宁酸和铁(Ⅲ)配位化合物的电存储材料及器件的制备。针对目前制备过程复杂、有机化合物分子不易成膜及在柔性器件应用受限等问题,本发明利用单宁酸和铁(Ⅲ)配位化合物制成简单的三明治有机电存储器件,成功实现了有机电存储行为。在制备实验过程中,实现了分子的合成和器件的制备过程,而且所制备的柔性基底器件对于有机电存储在未来柔性器件的应用方面具有很大的实用价值,这大大拓宽了有机电存储器件的应用领域。

    Pt@Ti3C2TX MXene催化材料及其电极与制备方法和在还原氯霉素中的应用

    公开(公告)号:CN113862718A

    公开(公告)日:2021-12-31

    申请号:CN202111266688.4

    申请日:2021-10-28

    申请人: 苏州大学

    发明人: 路建美 贺竞辉

    摘要: 本发明公开了一种Pt@Ti3C2Tx MXene催化材料及其电极与制备方法和在电化学还原氯霉素中的应用,将H2PtCl6溶液与Ti3C2Tx MXene溶液混合后,进行还原,然后离心处理,洗涤沉淀,得到Pt@Ti3C2Tx MXene催化材料,与导电基底复合,得到电化学还原氯霉素用电极。与已有的电化学还原氯霉素的报道相比,本发明制备的电极材料能高效地降解氯霉素,并且能够将氯霉素还原为更低毒性的产物,同时还具备优秀的循环稳定性和低的铂析出量。

    稠环方酰胺聚合物、基于稠环方酰胺聚合物的湿敏传感器及其制备方法

    公开(公告)号:CN110702746B

    公开(公告)日:2021-12-10

    申请号:CN201911033755.0

    申请日:2019-10-28

    申请人: 苏州大学

    发明人: 路建美 贺竞辉

    IPC分类号: G01N27/12

    摘要: 本发明公开了稠环方酰胺聚合物、基于稠环方酰胺聚合物的湿敏传感器及其制备方法,具体而言,本发明的湿敏传感器包含叉指电极和覆于叉指电极表面的镀膜材料,镀膜材料为稠环聚合物1,5‑PDAS,其被刷涂在叉指电极上。本发明的湿敏传感器具有如下优点:制备便捷,操作简单;响应时间短,小于2秒;回复时间短,小于1秒;器件性能稳定;在高湿度环境下,器件湿度滞后小,为6%。

    常温常压下以MCOF催化CO2为碳源制备甲酰胺类化合物的方法

    公开(公告)号:CN112920071A

    公开(公告)日:2021-06-08

    申请号:CN202110127803.3

    申请日:2021-01-29

    申请人: 苏州大学

    发明人: 路建美 贺竞辉

    摘要: 本发明提供了一种常温常压下以MCOF催化CO2为碳源制备甲酰胺类化合物的方法,属于化学及化学工程技术领域。在常温常压条件下,以CO2作为碳源实现多种胺类底物的N‑甲酰化反应。本发明的优点是:该反应体系使用掺杂金属离子的二维共价有机框架MCOF为催化剂,常温常压下对CO2进行还原提供酰基,避免了使用高压氢气和有毒的CO,反应条件温和(常温常压)。本发明所述的制取甲酰胺的方法,以温室气体二氧化碳作为碳源、成本较低、操作简单、反应条件温和(常温常压),制备甲酰胺产品的收率优良(99%),为N‑酰化反应提供了一种绿色的合成方法。

    可用于低浓度二氧化氮的克酮酸菁聚合物传感器及其制备方法

    公开(公告)号:CN112268936A

    公开(公告)日:2021-01-26

    申请号:CN202011105313.5

    申请日:2020-10-15

    申请人: 苏州大学

    发明人: 路建美 贺竞辉

    IPC分类号: G01N27/12

    摘要: 本发明公开了可用于低浓度二氧化氮的克酮酸聚合物传感器及其应用,公开了基于含共轭双离子结构的联苯二胺基克酮酸菁聚合物的二氧化氮电阻式传感器;公开的基于含共轭双离子结构的联苯二胺基克酮酸菁聚合物的二氧化氮传感器包括叉指电极以及覆于叉指电极上的镀膜材料;镀膜材料为含共轭双离子结构的联苯二胺基克酮酸菁聚合物,显示出对二氧化氮的优异的传感选择性,并且该传感器可在高温高湿下稳定工作,其最低检测限低至20 ppb,响应/回复时间为218 s/114 s;同时基于含共轭双离子结构的联苯二胺基克酮酸菁聚合物的二氧化氮传感器具有优异的选择性,可以有效排除其他气体的干扰。

    基于方酸菁聚合物的氨气/一氧化氮双组份传感器及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN108535333B

    公开(公告)日:2020-06-19

    申请号:CN201810108596.5

    申请日:2018-02-02

    申请人: 苏州大学

    发明人: 路建美 贺竞辉

    IPC分类号: G01N27/12

    摘要: 本发明公开了基于方酸菁聚合物的氨气/一氧化氮双组份传感器及其制备方法和应用,对传感器制备方式条件进行了优化;本发明基于含偶氮官能团的方酸菁聚合物的氨气/一氧化氮双组份传感器包括叉指电极以及覆于叉指电极上的镀膜材料;镀膜材料为含偶氮官能团的方酸菁聚合物,显示出对氨气与一氧化氮的优异的传感选择性;同时其最低检测限低至1 ppb,响应/回复时间为82s/185s。本发明还测试了器件对一氧化氮的传感性能,其最低检测线可达到40 ppb,响应/回复时间112s/921s。

    一种基于钙钛矿Cs2PdBr6的湿敏传感器及其制备方法和用途

    公开(公告)号:CN110887874A

    公开(公告)日:2020-03-17

    申请号:CN201911144604.2

    申请日:2019-11-20

    申请人: 苏州大学

    IPC分类号: G01N27/12

    摘要: 本发明公开了一种基于钙钛矿Cs2PdBr6的湿敏传感器及其制备方法和用途。具体而言,本发明的湿敏传感器包含镀膜材料和叉指电极,镀膜材料为钙钛矿Cs2PdBr6,其被刷图在叉指电极上,厚度为100~400 μm。本发明的湿敏传感器具有如下优点:制备便捷,操作简单;响应时间短,对于湿度变化响应高于常见的金属氧化物;回复时间短,器件性能稳定;在高湿度环境下,器件滞湿性强。

    稠环方酰胺聚合物、基于稠环方酰胺聚合物的湿敏传感器及其制备方法

    公开(公告)号:CN110702746A

    公开(公告)日:2020-01-17

    申请号:CN201911033755.0

    申请日:2019-10-28

    申请人: 苏州大学

    发明人: 路建美 贺竞辉

    IPC分类号: G01N27/12

    摘要: 本发明公开了稠环方酰胺聚合物、基于稠环方酰胺聚合物的湿敏传感器及其制备方法,具体而言,本发明的湿敏传感器包含叉指电极和覆于叉指电极表面的镀膜材料,镀膜材料为稠环聚合物1,5-PDAS,其被刷涂在叉指电极上。本发明的湿敏传感器具有如下优点:制备便捷,操作简单;响应时间短,小于2秒;回复时间短,小于1秒;器件性能稳定;在高湿度环境下,器件湿度滞后小,为6%。

    Ag掺杂纳米金属氧化物复合材料及其在光催化降解四环素中的应用

    公开(公告)号:CN110180540A

    公开(公告)日:2019-08-30

    申请号:CN201910364433.8

    申请日:2019-04-30

    申请人: 苏州大学

    发明人: 路建美 贺竞辉

    摘要: 本发明公开了一种Ag掺杂纳米金属氧化物复合材料及其在光催化降解四环素中的应用;先合成沸石咪唑酯骨架结构材料,然后在其表面掺杂银纳米粒子,所得固体在高温下进行还原,得到银掺杂纳米金属氧化物复合材料。本发明构建了一系列载体材料,通过引入银和高温煅烧的方法,合成了六种不同的复合材料,其中,使用50mg Ag@ZnO(8)或Ag@ZnO(90)降解100ml 10mg/L的四环素溶液,暗吸附30分钟后置于模拟太阳光光源下进行光催化降解,120分钟后溶液浓度可降低至暗反应结束时浓度的16.4%,光催化降解率可达83.6%,说明其光降解效率高效,通过回收重复使用多次,证明其可重复性。

    无铅杂化钙碳矿材料电存储器件及其制备方法

    公开(公告)号:CN108649118A

    公开(公告)日:2018-10-12

    申请号:CN201810482334.5

    申请日:2018-05-18

    申请人: 苏州大学

    IPC分类号: H01L45/00

    摘要: 本发明公开了一种无铅杂化钙碳矿材料电存储器件及其制备方法,成功实现了忆阻、忆容的电存储行为;同时由于制备过程简单、器件性能稳定可靠、重复性/柔性好,让人印象深刻。本发明提供了忆阻器件、尤其是忆容器件的一种全新设计思路,利用本发明技术方案不仅可以制备忆阻器件,更能得到全新概念的忆容器件。不仅拓展了无铅杂化钙碳矿MASnBr3在各类存储器件元件中的应用,更促进包括电路模型分析、基础电路设计、高性能集成电路、生物记忆行为仿真、混沌理论、工业智能PID控制器等各学科的快速发展。