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公开(公告)号：CN103165469B
公开(公告)日：2015-09-30
申请号：CN201310039693.0
申请日：2013-01-31
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L21/336 , H01L29/786
Abstract: 本发明公开了一种基于Ni膜退火的Si衬底侧栅石墨烯晶体管制备方法，其实现步骤如下：(1)清洗Si衬底；(2)在Si衬底上先生长一层碳化层作为过渡，再在温度1200℃-1350℃下生长3C-SiC薄膜；(3)在3C-SiC样片表面淀积一层SiO2，并光刻出侧栅晶体管的侧栅极、源极、漏极和导电沟道图形窗口，露出3C-SiC；(4)将开窗后裸露的3C-SiC在800-1000℃下与气态CCl4反应，生成碳膜；(5)去除剩余的SiO2；(6)在碳膜上电子束蒸发沉积Ni膜；（7）将沉积有Ni膜的碳膜样片置于Ar气中，在1000-1200℃温度下退火15-25min，生成侧栅石墨烯晶体管图形；(8)在石墨烯样片上淀积金属Pd/Au层，并刻蚀形成金属电极。本发明制作出的侧栅石墨烯晶体管工艺步骤简单，载流子迁移率高，具有良好的输运特性，能避免顶栅石墨烯晶体管顶栅介质的散射效应。
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公开(公告)号：CN103183522A
公开(公告)日：2013-07-03
申请号：CN201310078857.0
申请日：2013-03-12
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于Cu膜退火和氯气反应的SiC衬底上制备石墨烯的方法，主要解决现有技术中制备的石墨烯面积小，不能用于规模化生产，层数不均匀，缺陷多，载流子迁移率不稳定的问题。其制作过程是：(1)对SiC样片进行清洗；(2)将清洗后的SiC样片置于石墨烯生长设备中，并对其进行氢刻蚀；（3）向反应室中通入Ar气和Cl2的混合气体，在700℃～1100℃下SiC与Cl2反应4min～10min，生成碳膜；(4)在生成的碳膜上镀一层Cu膜上；(5)再将镀有Cu膜的碳膜样片置于Ar气中，在温度为900℃～1200℃下退火15min～25min生成石墨烯；(5)将Cu膜从石墨烯样片上去除。本发明制备的石墨烯表面光滑，连续性好，孔隙率低，可用于生物、微电子、化学等许多领域。
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公开(公告)号：CN103183337A
公开(公告)日：2013-07-03
申请号：CN201310078910.7
申请日：2013-03-12
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: C01B31/04
Abstract: 本发明公开了一种基于Ni膜退火和氯气反应的SiC衬底上制备石墨烯的方法，主要解决现有技术中制备的石墨烯连续性不好、表面不光滑的问题。其实现过程是：先对SiC衬底进行RCA清洗；对清洗后的SiC进行氢刻蚀，并去除刻蚀残留物；向石英管反应室中通入Ar气和Cl2的混合气体，在700℃～1100℃下SiC与Cl2反应3min～8min，生成碳膜；然后在碳膜上电子束沉积一层Ni膜；再将沉积有Ni膜的样片置于Ar气中，在温度为950℃～1150℃下退火10min～30min生成石墨烯；最后利用盐酸和硫酸铜的混合溶液将Ni膜从石墨烯样片上去除。本发明具有生成的石墨烯表面光滑，连续性好，孔隙率低的优点，可用于制作微电子器件，生物传感器或气体和液体的密封。
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公开(公告)号：CN103151265A
公开(公告)日：2013-06-12
申请号：CN201310039692.6
申请日：2013-01-31
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L21/336 , H01L29/786
Abstract: 本发明公开了一种基于Cu膜退火的Si衬底上侧栅石墨烯场效应管制作方法，主要解决现有技术制作的石墨烯场效应管载流子散射严重和迁移率低的问题。其实现步骤是：（1）在Si衬底上生长碳化层作为过渡；（2）在1100℃-1250℃下进行3C-SiC异质外延生长；（3）在3C-SiC表面淀积SiO2，并在SiO2上光刻出侧栅图形窗口，露出3C-SiC；（4）将3C-SiC与气态CCl4在800-1000℃下反应，生成碳膜；（5）将碳膜样片置于缓冲氢氟酸溶液中，去除窗口外的SiO2；（6）将去除SiO2后的碳膜样片置于Cu膜上，并一同置于Ar气中，在温度800-1000℃下退火10-25min生成石墨烯，再取下Cu膜；（7）在石墨烯表面淀积接触电极并光刻形成金属接触。本发明制备的石墨烯场效应管具有很高的电子迁移率，并有效避免了载流子散射效应。
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公开(公告)号：CN102653885A
公开(公告)日：2012-09-05
申请号：CN201210158547.5
申请日：2012-05-22
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了在3C-SiC衬底上制备结构化石墨烯的方法，主要解决现有技术制备的石墨烯层数不均匀，且制作器件时由于光刻工艺导致石墨烯电子迁移率降低的问题。本发明采用在Si衬底基片上先生长一层碳化层作为过渡；然后在温度为1150℃-1300℃下进行3C-SiC薄膜异质外延生长，生长气源为C3H8和SiH4；再在3C-SiC样片表面淀积一层0.5-1μm厚的SiO2，并在SiO2上刻出结构化图形窗口；然后将裸露的3C-SiC在800-1000℃下与气态CCl4反应，生成双层碳膜；再在Ar气中温度为1000-1100℃下退火10-20min，在刻出的窗口位置生成双层结构化石墨烯。本发明具有双层结构化石墨烯表面光滑，孔隙率低的优点，可用于制作微电子器件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106910794B
公开(公告)日：2018-07-17
申请号：CN201710153393.3
申请日：2017-03-15
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L31/08 , H01L31/0224 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种基于氧化锌透明电极的异面型光导开关。其包括掺钒碳化硅衬底(1)、上欧姆接触电极(2)、下欧姆接触电极(3)、上薄膜电极(4)和下薄膜电极(5)，该上欧姆接触电极(2)及下欧姆接触电极(3)分别淀积在掺钒碳化硅衬底(1)的正面和背面，该上薄膜电极(4)淀积在掺钒碳化硅衬底(1)正面及上欧姆接触电极(2)的表面，该下薄膜电极(5)淀积在掺钒碳化硅衬底(1)背面及下欧姆接触电极(3)的表面；上薄膜电极和下薄膜电极均采用透明氧化锌材料，使得光导开关可在电极面光照下导通，增加了器件的受光面积，提高了导电通道的光子浓度和激光能量利用率，可用于高速脉冲系统。
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公开(公告)号：CN106910795A
公开(公告)日：2017-06-30
申请号：CN201710154172.8
申请日：2017-03-15
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L31/08 , H01L31/0224 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/08 , H01L31/0224 , H01L31/022408 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种基于铟锡氧化物透明电极的异面型光导开关。其包括钒补偿的碳化硅半绝缘衬底(1)、上欧姆接触电极(2)、下欧姆接触电极(3)、上薄膜电极(4)和下薄膜电极(5)，该上欧姆接触电极(2)及下欧姆接触电极(3)分别淀积在掺钒碳化硅衬底(1)的正面和背面，该上薄膜电极(4)淀积在掺钒碳化硅衬底(1)正面及上欧姆接触电极(2)的表面，该下薄膜电极(5)淀积在掺钒碳化硅衬底(1)背面及下欧姆接触电极(3)的表面；所述上薄膜电极和下薄膜电极均采用透明铟锡氧化物材料，使得光导开关可在电极面光照下导通，增加器件的受光面积，本发明提高了导电通道的光子浓度和激光能量利用率，可用于高速脉冲系统。
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公开(公告)号：CN105845746B
公开(公告)日：2017-06-13
申请号：CN201610203362.X
申请日：2016-04-01
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L31/0216 , H01L31/0232 , H01L31/117 , H01L31/18 , G01T1/20
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种基于碳化硅PIN二极管结构的γ射线闪烁体探测器及其制作方法，主要解决现有技术探测率低、不利于集成、抗辐射性差的问题。本发明的碳化硅PIN二极管型γ射线探测器自下而上包括N型欧姆接触电极(8)、N型SiC衬底(7)、N型缓冲层(6)、掺杂浓本征吸收层(5)；该本征吸收层(5)中间区域开有窗口，窗口内埋入掺铈溴化镧闪烁体(1)，窗口内部区域及窗口上方淀积有一层SiO2反射层(2)，本征吸收层(5)两侧上方为P+薄层(4)，P+薄层(4)上方为P型欧姆接触电极(3)。该γ射线探测器探测率高，利于集成，抗辐射型好，可用于核能中对γ射线的探测。
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公开(公告)号：CN106169514A
公开(公告)日：2016-11-30
申请号：CN201610565310.7
申请日：2016-07-18
Applicant: 西安电子科技大学
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/08 , H01L31/1804
Abstract: 本发明公开了一种高功率异面电极嵌入式台面型光导开关及其制作方法。该光导开关，包括掺钒碳化硅衬底(1)和一对欧姆接触电极(5,6)，其中掺钒碳化硅衬底(1)的一边为45°±2°的斜边，作为倾斜入射台面(2)；该掺钒碳化硅衬底(1)的上表面和斜边表面淀积有上氮化硅层(7)，掺钒碳化硅衬底(1)的下表面淀积下氮化硅层(8)，用于减少入射光在表面的反射，增加器件的耐压能力；该掺钒碳化硅衬底(1)的上部开有上凹槽(3)，掺钒碳化硅衬底(1)的下部开有下凹槽(4)，一对欧姆接触电极(5,6)分别嵌在这两个凹槽中。本发明具有边缘击穿少，载流子收集率高等优点，可用于高功率脉冲系统中。
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公开(公告)号：CN105845746A
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：CN201610203362.X
申请日：2016-04-01
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L31/0216 , H01L31/0232 , H01L31/117 , H01L31/18 , G01T1/20
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/117 , G01T1/2018 , H01L31/02161 , H01L31/02322 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种基于碳化硅PIN二极管结构的γ射线闪烁体探测器及其制作方法，主要解决现有技术探测率低、不利于集成、抗辐射性差的问题。本发明的碳化硅PIN二极管型γ射线探测器自下而上包括N型欧姆接触电极(8)、N型SiC衬底(7)、N型缓冲层(6)、掺杂浓本征吸收层(5)；该本征吸收层(5)中间区域开有窗口，窗口内埋入掺铈溴化镧闪烁体(1)，窗口内部区域及窗口上方淀积有一层SiO2反射层(2)，本征吸收层(5)两侧上方为P+薄层(4)，P+薄层(4)上方为P型欧姆接触电极(3)。该γ射线探测器探测率高，利于集成，抗辐射型好，可用于核能中对γ射线的探测。
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