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公开(公告)号：CN105789336B
公开(公告)日：2017-06-20
申请号：CN201610203365.3
申请日：2016-04-01
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L31/0216 , H01L31/0232 , H01L31/118 , H01L31/18 , G01T1/20
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种基于碳化硅PIN二极管结构的α射线闪烁体探测器及其制作方法，主要解决现有技术探测率低、不利于集成、抗辐射性差的问题。本发明的碳化硅PIN二极管型α射线探测器自下而上包括N型欧姆接触电极(8)、N型SiC衬底(7)、N型缓冲层(6)、掺杂浓本征吸收层(5)；该本征吸收层(5)中间区域开有窗口，窗口内埋入掺银硫化锌闪烁体(1)，窗口内部区域及窗口上方淀积有一层SiO2反射层(2)，本征吸收层(5)两侧上方为P+薄层(4)，P+薄层(4)上方为P型欧姆接触电极(3)。该α射线探测器探测率高，利于集成，抗辐射型好，可用于核能中对α射线的探测。
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公开(公告)号：CN103183524A
公开(公告)日：2013-07-03
申请号：CN201310078982.1
申请日：2013-03-12
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于Ni膜退火的SiC衬底上大面积石墨烯制备方法，主要解决现有技术中制备的石墨烯连续性不好、表面不光滑、层数不均匀的问题。其实现步骤是：先依次用氨水和双氧水的混合溶液、盐酸和双氧水的混合溶液对SiC衬底进行清洗；接着对清洗后的SiC衬底进行氢刻蚀处理，并去除生成的Si的化合物；再将清洗后的SiC置于反映设备中，使SiC与气态CCl4在750℃～1150℃下反应，生成碳膜；然后在碳膜上电子束沉积一层Ni膜，并将镀有Ni膜的样片置于温度为900℃～1200℃下的Ar气中退火10min～20min生成石墨烯；最后用盐酸和硫酸铜的混合溶液将Ni膜从石墨烯样片上去除。本发明制备的石墨烯面积大，连续性好，表面光滑，孔隙率低，能够大规模批量生产。
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公开(公告)号：CN103165469A
公开(公告)日：2013-06-19
申请号：CN201310039693.0
申请日：2013-01-31
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L21/336 , H01L29/786
Abstract: 本发明公开了一种基于Ni膜退火的Si衬底侧栅石墨烯晶体管制备方法，其实现步骤如下：(1)清洗Si衬底；(2)在Si衬底上先生长一层碳化层作为过渡，再在温度1200℃-1350℃下生长3C-SiC薄膜；(3)在3C-SiC样片表面淀积一层SiO2，并光刻出侧栅晶体管的侧栅极、源极、漏极和导电沟道图形窗口，露出3C-SiC；(4)将开窗后裸露的3C-SiC在800-1000℃下与气态CCl4反应，生成碳膜；(5)去除剩余的SiO2；(6)在碳膜上电子束蒸发沉积Ni膜；（7）将沉积有Ni膜的碳膜样片置于Ar气中，在1000-1200℃温度下退火15-25min，生成侧栅石墨烯晶体管图形；(8)在石墨烯样片上淀积金属Pd/Au层，并刻蚀形成金属电极。本发明制作出的侧栅石墨烯晶体管工艺步骤简单，载流子迁移率高，具有良好的输运特性，能避免顶栅石墨烯晶体管顶栅介质的散射效应。
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公开(公告)号：CN102938368A
公开(公告)日：2013-02-20
申请号：CN201210480662.4
申请日：2012-11-23
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L21/205 , H01L21/324 , C01B31/04
Abstract: 本发明公开了一种基于Ni膜退火的Si衬底图形化石墨烯制备方法，石墨烯在制成元器件前需要利用电子束刻蚀进行形状剪裁的问题。其实现步骤如下：(1)在Si衬底上先生长一层碳化层作为过渡，再在温度为1200℃-1350℃下生长3C-SiC薄膜；(2)在3C-SiC薄膜表面淀积一层SiO2，并在SiO2上刻出图形；(3)将裸露的3C-SiC在800-1000℃下与气态CCl4反应，生成碳膜；(4)将生成的碳膜样片置于缓冲氢氟酸溶液中去除剩余的SiO2；(5)在碳膜上利用电子束沉积一层300-500nm厚的Ni膜，并将沉积有Ni膜的样片置于Ar气中，在温度为900-1100℃下退火15-25min，以在图形位置处生成图形化石墨烯。本发明制备的图形化石墨烯电子迁移率稳定，连续性好，且不用进行刻蚀，可直接用于制做基础元器件。
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公开(公告)号：CN106910795B
公开(公告)日：2018-07-27
申请号：CN201710154172.8
申请日：2017-03-15
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L31/08 , H01L31/0224 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了种基于铟锡氧化物透明电极的异面型光导开关。其包括钒补偿的碳化硅半绝缘衬底(1)、上欧姆接触电极(2)、下欧姆接触电极(3)、上薄膜电极(4)和下薄膜电极(5),该上欧姆接触电极(2)及下欧姆接触电极(3)分别淀积在掺钒碳化硅衬底(1)的正面和背面,该上薄膜电极(4)淀积在掺钒碳化硅衬底(1)正面及上欧姆接触电极(2)的表面,该下薄膜电极(5)淀积在掺钒碳化硅衬底(1)背面及下欧姆接触电极(3)的表面;所述上薄膜电极和下薄膜电极均采用透明铟锡氧化物材料,使得光导开关可在电极面光照下导通,增加器件的受光面积,本发明提高了导电通道的光子浓度和激光能量利用率,可用于高速脉冲系统。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106335272B
公开(公告)日：2018-01-12
申请号：CN201610941330.X
申请日：2016-11-01
Applicant: 西安电子科技大学 , 国家电投集团西安太阳能电力有限公司
IPC: B41F15/34 , H01L31/0224
Abstract: 本发明公开了一种太阳能电池丝网印刷网版装置及其安装方法，所述装置包括网框及碗状网布，其中，所述网框包含方形外框及圆形内框，所述网框的方形外框以内至所述圆形内框以外为实体部分，所述网框的圆形内框以内为镂空部分；所述碗状网布，包含碗状网布碗口，碗状网布碗底及连接所述碗状网布碗口及碗状网布碗底的碗状网布碗沿，所述碗状网布碗口固定于所述网框的圆形内框处，所述碗状网布碗底设有印刷图形，所述碗状网布碗沿对称分布在所述网框圆形内框内且对称分布在所述印刷图形的四周。上述技术方案有效的解决了浆料被刮到印刷图形边沿结块变干，引起印刷质量问题和浆料浪费的问题。
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公开(公告)号：CN106356414B
公开(公告)日：2018-01-02
申请号：CN201610947379.6
申请日：2016-10-26
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L31/0224 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种晶硅太阳电池二次印刷正面电极结构及其制作方法，该电极结构包括第一层网版和第二层网版，其中，该第一层网版包括第一网框，该第一网框内设置第一网布，该第一网布上设置若干根相互平行设置的主栅线，该主栅线上设置第一Mark点，该主栅线与第一网布的钢丝形成第一夹角，该第一夹角为20°至30°；该第二层网版包括第二网框，该第二网框内设置第二网布，该第二网布上设置若干根相互平行设置的副栅线，该副栅线上设置第二Mark点，且所述副栅线之间间隔且垂直设置防EL断栅，该副栅线与第二网布的钢丝形成第二夹角，该第二夹角为90°，该第二Mark点与该第一Mark点位置对应。该方案可降低晶体硅太阳电池正面栅线遮光面积，提高电池的转换效率。
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公开(公告)号：CN105738939A
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201610202811.9
申请日：2016-04-01
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G01T1/203
CPC classification number: G01T1/203
Abstract: 本发明公开了一种基于碳化硅PIN二极管结构的β射线闪烁体探测器及其制作方法，主要解决现有技术探测率低、不利于集成、抗辐射性差的问题。本发明的碳化硅PIN二极管型β射线探测器自下而上包括N型欧姆接触电极(8)、N型SiC衬底(7)、N型缓冲层(6)、掺杂浓本征吸收层(5)；该本征吸收层(5)中间区域开有窗口，窗口内埋入塑料闪烁体(1)，窗口内部区域及窗口上方淀积有一层SiO2反射层(2)，本征吸收层(5)两侧上方为P+薄层(4)，P+薄层(4)上方为P型欧姆接触电极(3)。该β射线探测器探测率高，利于集成，抗辐射型好，可用于核能中对β射线的探测。
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公开(公告)号：CN102653401B
公开(公告)日：2013-12-25
申请号：CN201210158388.9
申请日：2012-05-22
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: C01B31/04
Abstract: 本发明公开了一种基于Ni膜退火的结构化石墨烯制备方法，主要解决用现有技术制备石墨烯连续性不好、层数不均匀，导致制作器件时由于光刻工艺使石墨烯的电子迁移率降低的问题。其实现步骤如下：(1)在Si衬底上先生长一层碳化层作为过渡，再在温度为1200℃-1350℃下生长3C-SiC薄膜；(2)在3C-SiC薄膜表面淀积一层SiO2，并在SiO2上刻出图形窗口；(3)将开窗后裸露的3C-SiC在800-1000℃下与气态CCl4反应，生成双层碳膜；(4)将生成的双层碳膜样片置于缓冲氢氟酸溶液中去除剩余的SiO2；(5)将去除SiO2后的双层碳膜样片置于Ni膜上，再将它们置于Ar气中，在温度为900-1100℃下退火15-25min，以在窗口位置处生成双层结构化石墨烯。本发明制备的双层结构化石墨烯表面光滑，连续性好，孔隙率低，可用于制作微电子器件。
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公开(公告)号：CN103183335A
公开(公告)日：2013-07-03
申请号：CN201310078828.4
申请日：2013-03-12
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: C01B31/04
Abstract: 本发明公开了一种基于Cu膜退火的SiC衬底上大面积石墨烯制备方法，主要解决现有技术制备的石墨烯连续性不好、孔隙率高、层数不均匀的问题。其实现步骤是：（1）先对SiC样片进行RCA清洗；（2）对清洗后的SiC样片进行氢刻蚀处理（3）将Ar气和CCl4气体通入混气室中混合后，通入反应室，使CCl4与SiC反应，生成碳膜；（4）然后在生成的碳膜上镀一层Cu膜；（5）将镀有Cu膜的样片置于Ar气中，在温度为900-1100℃下退火15-25min，使碳膜重构成石墨烯；（6）最后将Cu膜从石墨烯样片上去除。本发明具有石墨烯连续性好，均匀性好，孔隙率低的优点，可用于生物、光学、电学和传感器等诸多领域。
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