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公开(公告)号：CN110690103A
公开(公告)日：2020-01-14
申请号：CN201910843353.0
申请日：2019-09-06
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L21/02 , H01L21/762
Abstract: 本发明公开了一种纳米级减薄方法、直接带隙应变SOI及其制备方法，该减薄方法包括：选取衬底层；设计衬底层的厚度与应变量之间的第一预设关系模型，根据第一预设关系模型计算得到衬底层的第一预设厚度和第一预设应变量；利用化学机械抛光工艺对衬底层进行第一次减薄得到第一减薄衬底层；利用湿法刻蚀工艺对第一减薄衬底层进行第二次减薄得到第二减薄衬底层；利用湿法刻蚀工艺对第二减薄衬底层进行第三次减薄得到第一预设厚度的纳米级衬底层。本发明设计了衬底层的第一预设关系模型，通过第一预设关系模型得到衬底层的临界厚度，通过三次减薄工艺得到厚度为临界厚度的衬底层，工艺实现简单，且实现了衬底层由间接带隙到直接带隙类型的转变。
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公开(公告)号：CN109706468B
公开(公告)日：2019-10-18
申请号：CN201910071993.4
申请日：2019-01-25
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种铑掺杂钛酸锶超薄纳米层覆盖的钒酸铋光阳极及其制备方法和应用，采用电化学沉积的方式在FTO表面沉积BiOI前驱体；用0.2M的乙酰丙酮钒溶液进行交换，得到钒酸铋电极，多余的V2O5用NaOH溶液除去；BiVO4‑Rh‑SrTiO3光阳极的合成。本发明制备的铑掺杂钛酸锶超薄纳米层覆盖的钒酸铋光阳极进行了Rh掺杂之后的SrTiO3与BiVO4复合后，其光电化学性能有了明显的提升，且当Rh掺杂量为5％时光电化学性能最好，BiVO4与Rh5％‑SrTiO3之间形成的异质结的作用非常微弱，而是Rh5％‑SrTiO3起到了很好的产氧助催化的作用，有效降低了电极与电解液接触界面的反应能垒，并且接触界面的反应活性位点增多，使得钒酸铋价带上的空穴能够有效地转移到电极表面与水发生氧化反应，光生电子空穴得到了有效的分离。
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公开(公告)号：CN117904660A
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN202410065023.4
申请日：2024-01-17
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: C25B11/053 , C25B1/04 , C25B1/55 , C25B11/067 , C25B11/091 , C03C17/34
Abstract: 一种NiO/Mo:BiVO4光阳极及其制备方法，所述光阳极为层状，包括导电玻璃FTO，所述导电玻璃FTO上依次负载超薄NiO层和Mo:BiVO4层，制备方法为，首先通过原子层沉积设备在导电玻璃FTO上制备超薄NiO层，在得到的超薄NiO层上通过金属有机分解法或电沉积法制备Mo:BiVO4层，得到NiO/Mo:BiVO4光阳极；本发明可以快速导走在光照下发生分离的电子和空穴，减少复合，钝化FTO/BiVO4界面的缺陷，同时采用工艺简单且易实现的金属有机分解法和电沉积法制备Mo:BiVO4层，提高光阳极的光电性能，具有工艺简单且易实现的特点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113740399B
公开(公告)日：2022-04-26
申请号：CN202110989778.X
申请日：2021-08-26
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G01N27/327 , G01N21/27
Abstract: 本发明提供了一种BVO/CN/Co光阳极传感器的制备方法；包括：步骤1，钒酸铋基底的制备：步骤2,在钒酸铋薄膜旋涂50ul氮化碳分散液3次，在250℃下热处理30分钟，得钒酸铋氮化碳光阳极；将Co催化剂配置成0.5mM的溶液，将得到的钒酸铋氮化碳光阳极浸泡2min，退火30min，得BVO/CN/Co光阳极传感器。本发明在BVO/CN/Co光阳极传感器的搭建中，氮化碳和Co助催化剂协同作用，在减少表面态，提高载流子浓度和增加反应活性位点方面都有促进作用，使得光阳极的光电性能得到大幅度的提高；本发明引入Π‑rich材料与钒酸铋材料复合后，利用有机共轭材料吸附适配体，降低传感器的制造成本。
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公开(公告)号：CN112442705A
公开(公告)日：2021-03-05
申请号：CN202011241769.4
申请日：2020-11-09
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: C25B11/054 , C25B11/091 , C25B11/059 , C25B1/04 , C25B1/55
Abstract: 本发明提供了一种双组分复合助催化剂修饰硅基光电阴极及制备方法；包括：p‑Si基底层、表面助催化层和TiO2层；所述p‑Si基底层作为光电阴极；所述表面助催化层为MoS2和Rh‑P的双组分复合型助催化层；所述TiO2层作为调节p‑Si基底层和表面助催化层之间界面失配的连接层。本发明在p‑Si基底层上逐步沉积制备得到MoS2‑Rh‑P复合型助催化剂，MoS2和Rh‑P分别都在析氢助催化方面表现出优异的性能，而当复合之后他俩之间的协同作用更加能够加快析氢助催化反应速率，从而可显著提高复合体系的光电化学性能，所以本发明提供的复合型光电化学器件具有实际应用的潜力；本发明提供的复合器件在0V偏压下能够有效的完全解水析氢，是一种具有应用前景的光电阴极器件。
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公开(公告)号：CN111751414A
公开(公告)日：2020-10-09
申请号：CN202010524535.4
申请日：2020-06-10
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G01N27/26 , G01N27/327 , G01N27/36
Abstract: 本发明提供了一种辐照改性钒酸铋适配体光电化学传感器的制备方法及应用；本发明采用红外辐照处理BiVO4首次实现了外加偏压可调控的增强和抑制型的传感器，其具有高灵敏、高分辨的特性，同时同一体系的两种传感器，可以实现对难氧化和易氧化肿瘤标志物的检测，本发明设计的PEC适配体传感器的灵敏度是目前灵敏度最高的传感器，因此本发明设计的传感器在PSA早期的精确筛查，前列腺癌的治理过程中和术后动态检测中发挥更大的作用。同时对于其他癌症标志物AFP、CEA同样具有高灵敏的检测特性。另外本发明设计的两种传感器具有反应迅速、操作简单、检测的背景信号低等优点。
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公开(公告)号：CN110702750A
公开(公告)日：2020-01-17
申请号：CN201910856428.9
申请日：2019-09-11
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G01N27/30 , G01N27/327
Abstract: 本发明公开了一种具有高特异性和超高检测灵敏度的PEC适配体传感器及其制备方法，其中，该PEC适配体传感器包括：BiVO4薄膜(作为光阳极)、DNA适配体和g-C3N4薄膜，该PEC适配体传感器以g-C3N4薄膜作为光阳极和DNA适配体之间的界面调和体，g-C3N4薄膜的厚度为5nm～15nm。本发明的有益之处在于：BiVO4薄膜和g-C3N4薄膜之间能带结构存在差异，这种能带结构差异可促进BiVO4薄膜上的光生空穴向g-C3N4薄膜方向定向转移，从而可显著提高光生空穴向待检测物质定向输运的能力，所以该PEC适配体传感器具有超高的检测灵敏度，另外，g-C3N4薄膜对DNA适配体具有良好的π-π吸附特性，可有效固定DNA适配体，从而实现对待检测物质的高特异性捕获，所以该PEC适配体传感器具有高特异性。
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公开(公告)号：CN109706468A
公开(公告)日：2019-05-03
申请号：CN201910071993.4
申请日：2019-01-25
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种铑掺杂钛酸锶超薄纳米层覆盖的钒酸铋光阳极及其制备方法和应用，采用电化学沉积的方式在FTO表面沉积BiOI前驱体；用0.2M的乙酰丙酮钒溶液进行交换，得到钒酸铋电极，多余的V2O5用NaOH溶液除去；BiVO4-Rh-SrTiO3光阳极的合成。本发明制备的铑掺杂钛酸锶超薄纳米层覆盖的钒酸铋光阳极进行了Rh掺杂之后的SrTiO3与BiVO4复合后，其光电化学性能有了明显的提升，且当Rh掺杂量为5％时光电化学性能最好，BiVO4与Rh5％-SrTiO3之间形成的异质结的作用非常微弱，而是Rh5％-SrTiO3起到了很好的产氧助催化的作用，有效降低了电极与电解液接触界面的反应能垒，并且接触界面的反应活性位点增多，使得钒酸铋价带上的空穴能够有效地转移到电极表面与水发生氧化反应，光生电子空穴得到了有效的分离。
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