一种液晶化合物及其组合物以及包含其的高频组件

    公开(公告)号:CN113528149A

    公开(公告)日:2021-10-22

    申请号:CN202010288462.3

    申请日:2020-04-14

    Abstract: 本发明提出一种液晶化合物及包含此化合物的组合物以及包含该组合物的高频组件。其中,液晶化合物的结构通式如式(Ⅰ)所示:其中,环A为环己基或环己烯基;R1是碳原子数为1~9的直链烷基、直链烷氧基、直链氟代烷基,或碳原子数为2~9的链烯基、链烯氧基或二氟乙烯基中的一种;X1~X6为‑H或‑Cl,且至少有一个为‑Cl;m为0或1。本发明的液晶化合物具有低的熔点、低的介电损耗、高的调谐率和较低的旋转粘度的优点,将其添加到混合液晶中形成的向列相液晶组合物不仅具有低的介电损耗和高的调谐率,还具有宽的向列相温度区间、低的熔点以及较低的旋转粘度,用于高频组件可提升高频组件性能,尤其适用于智能天线液晶移相器以及5G通信网路领域。

    基于环戊烷并噻吩骨架的液晶化合物及其合成方法

    公开(公告)号:CN110372662A

    公开(公告)日:2019-10-25

    申请号:CN201910724305.X

    申请日:2019-08-07

    Abstract: 本发明公开了一种含有环戊烷并噻吩环骨架的液晶化合物,其特征在于结构通式如(1)所示:其中,R1为碳数1~9的直链烷基、烯基;n,m分别为=0、1;A1、A2、A3为氢原子或氟原子;环B为苯环或反式-环己烷;R2为F原子(F)、氯原子(Cl)、氰基(CN)、异硫氰基(NCS)、三氟甲氧基(OCF3)、三氟甲基(CF3)、碳数1~9的直链烷基。本发明同时提供这类液晶化合物的合成方法,该方法具有原料易得、条件简单、易于操作、收率较高等特点,完全可以适用于工业化大规模生产。本发明得到的液晶单体具有较低的熔点、较宽的向列相液晶和较高的双折射率,适合应用于TFT液晶显示器及使用高双折射率液晶材料的其它光学器件。

    一种液晶化合物及其组合物以及包含其的高频组件

    公开(公告)号:CN113528149B

    公开(公告)日:2023-08-11

    申请号:CN202010288462.3

    申请日:2020-04-14

    Abstract: 本发明提出一种液晶化合物及包含此化合物的组合物以及包含该组合物的高频组件。其中,液晶化合物的结构通式如式(Ⅰ)所示:其中,环A为环己基或环己烯基;R1是碳原子数为1~9的直链烷基、直链烷氧基、直链氟代烷基,或碳原子数为2~9的链烯基、链烯氧基或二氟乙烯基中的一种;X1~X6为‑H或‑Cl,且至少有一个为‑Cl;m为0或1。本发明的液晶化合物具有低的熔点、低的介电损耗、高的调谐率和较低的旋转粘度的优点,将其添加到混合液晶中形成的向列相液晶组合物不仅具有低的介电损耗和高的调谐率,还具有宽的向列相温度区间、低的熔点以及较低的旋转粘度,用于高频组件可提升高频组件性能,尤其适用于智能天线液晶移相器以及5G通信网路领域。

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