用于高频技术的液晶介质及其组件

    公开(公告)号:CN113528148A

    公开(公告)日:2021-10-22

    申请号:CN202010288457.2

    申请日:2020-04-14

    摘要: 本发明提出一种用于高频技术的液晶介质及其组件。其中,液晶化合物的结构通式如式(Ⅰ)所示:其中,环A为环己基或环己烯基;R1是碳原子数为1~9的直链烷基、直链烷氧基、直链氟代烷基,或碳原子数为2~9的链烯基、链烯氧基或二氟乙烯基中的一种;X1~X6为‑H或‑CH3,且至少有一个为‑CH3;m为0或1。本发明的液晶化合物具有低的熔点、低的介电损耗、高的调谐率和较低的旋转粘度的优点,将其添加到混合液晶中形成的向列相液晶组合物不仅具有低的介电损耗和高的调谐率,还具有宽的向列相温度区间、低的熔点以及较低的旋转粘度,用于高频组件可提升高频组件性能,尤其适用于智能天线液晶移相器以及5G通信网路领域。

    液晶材料离子密度的测试方法

    公开(公告)号:CN109031732B

    公开(公告)日:2021-02-26

    申请号:CN201811182018.2

    申请日:2018-10-10

    IPC分类号: G02F1/13 G01N21/59 G01N21/21

    摘要: 本发明公开了一种液晶材料中离子密度的测试方法。通过对不同类型介电常数的液晶材料,选择合适的液晶分子取向方式和液晶测试盒,对注有液晶材料的测试盒施加三角波电压,得到电压‑电流曲线,对其中离子运动电流峰面积积分,获得离子密度数值。该方法避免了液晶分子指向矢旋转带来的电流峰干扰,解决了液晶材料中残留离子的定量测试难题。本发明适用于液晶材料的质量可靠性测试评价,尤其是液晶材料中离子密度的测试评价。