一种制备氯化钛料分级研磨装置

    公开(公告)号:CN114100812B

    公开(公告)日:2022-12-06

    申请号:CN202111324920.5

    申请日:2021-11-10

    摘要: 本发明公开了一种制备氯化钛料分级研磨装置,涉及工业冶炼技术领域。本发明包括第一处理装置、第二处理装置和第三处理装置,第一处理装置和第二处理装置通过连接通管分别安装在第三处理装置的两端,第一处理装置由第一底座、第一顶板、第一液压升降臂、第一扣合体和第一承接体组成,第一底座一端的上表面固定有第一液压升降臂。本发明通过对结构设计,使得装置能够对物料进行分级处理,通过第一处理装置可对氯化钛料进行预处理混合搅拌,通过第三处理装置可对氯化钛料进行第一分级研磨,通过第二处理装置处理装置可对氯化钛料进行第二分级研磨,能够便于对不同粗细的氯化钛颗粒粒径进行研磨,操作更加方便。

    一种制备氯化钛料分级研磨装置

    公开(公告)号:CN114100812A

    公开(公告)日:2022-03-01

    申请号:CN202111324920.5

    申请日:2021-11-10

    申请人: 宜宾学院

    摘要: 本发明公开了一种制备氯化钛料分级研磨装置,涉及工业冶炼技术领域。本发明包括第一处理装置、第二处理装置和第三处理装置,第一处理装置和第二处理装置通过连接通管分别安装在第三处理装置的两端,第一处理装置由第一底座、第一顶板、第一液压升降臂、第一扣合体和第一承接体组成,第一底座一端的上表面固定有第一液压升降臂。本发明通过对结构设计,使得装置能够对物料进行分级处理,通过第一处理装置可对氯化钛料进行预处理混合搅拌,通过第三处理装置可对氯化钛料进行第一分级研磨,通过第二处理装置处理装置可对氯化钛料进行第二分级研磨,能够便于对不同粗细的氯化钛颗粒粒径进行研磨,操作更加方便。

    一种利用光伏硅废料制备氮化硅的方法

    公开(公告)号:CN117800296A

    公开(公告)日:2024-04-02

    申请号:CN202311708669.1

    申请日:2023-12-13

    IPC分类号: C01B21/068

    摘要: 本发明公开了一种利用光伏硅废料制备氮化硅的方法,涉及无机非金属材料技术领域。所述原料来源于光伏行业报废退役组件或者质量不合格的组件及边角料,本发明至少包括以下步骤:S1:硅废料的收集预处理,用于将硅废料进行收集,从而进行预处理,获得硅粉体材料;S2:预处理硅废料与改性剂的混料处理,将预处理后的硅废料与改性剂进行混合,从而便于后续的低温超临界氮化;S3:低温超临界氮化过程处理,制备氮化硅;S4:产品的后处理,对氮化硅进行后处理。本发明方法的氮化反应温度低于1200℃,氮化转化率高,反应时间小于30min,氮化硅的纯度达到99.9%以上,还可以实现光伏行业退役或者不合格的光伏组件或者光伏组件边角料的高值化利用,减少硅废料对于环境的污染,实现资源循环和高值化利用。

    应用在深海极端环境下的放射源盒子及封装结构、电池

    公开(公告)号:CN115512869B

    公开(公告)日:2024-08-30

    申请号:CN202211236866.3

    申请日:2022-10-10

    摘要: 本发明公开了应用在深海极端环境下的放射源盒子及封装结构、电池。所述深海极端环境指:在200MPa压强下,同时承受所述放射源500~800℃的工况温度。所述盒子为多层结构,由内而外依次为:稀贵金属及合金体系层、钽钨基合金层、碳基材料层、镍铜基合金层。稀贵金属及合金体系层包括钌Ru、铑Rh、钯Pd、锇Os、铱Ir、铂Pt、钍Th及合金体系,合金的组成为其中任意几种的组合。钽钨基合金层为钽或钨合金或者是含有难熔金属元素的合金。碳基材料层为碳纤维结构或者石墨烯结构复合材料或者碳成分为主的复合材料。镍铜基合金层包含锆Zr、钛Ti、铌Nb、钒V强化剂中的至少一种。该结构同时具有熔点高、强度高、耐腐蚀性良好、力学性能高等优点。

    一种硅废料制备氮化硅的方法
    29.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117800297A

    公开(公告)日:2024-04-02

    申请号:CN202311708670.4

    申请日:2023-12-13

    IPC分类号: C01B21/068

    摘要: 本发明公开了一种硅废料制备氮化硅的方法,涉及无机非金属材料技术领域。本发明包括硅废料原料,所述硅废料原料来源于光伏行业全流程中产生的废料,至少包括以下步骤:S1:硅废料原料的收集预处理,获得硅粉体材料;S2:硅粉原料与改性剂的混料处理;S3:低温超临界氮化过程处理;S4:产品的后处理。本发明氮化反应温度低于1200℃,氮化转化率高,反应时间小于30min,氮化硅的纯度达到99.9%以上,还可以实现光伏行业多种来源硅废料的高值化利用,减少硅废料对于环境的污染,实现资源循环和高值化利用。

    应用在深海极端环境下的放射源盒子及封装结构、电池

    公开(公告)号:CN115512869A

    公开(公告)日:2022-12-23

    申请号:CN202211236866.3

    申请日:2022-10-10

    摘要: 本发明公开了应用在深海极端环境下的放射源盒子及封装结构、电池。所述深海极端环境指:在200MPa压强下,同时承受所述放射源500~800℃的工况温度。所述盒子为多层结构,由内而外依次为:稀贵金属及合金体系层、钽钨基合金层、碳基材料层、镍铜基合金层。稀贵金属及合金体系层包括钌Ru、铑Rh、钯Pd、锇Os、铱Ir、铂Pt、钍Th及合金体系,合金的组成为其中任意几种的组合。钽钨基合金层为钽或钨合金或者是含有难熔金属元素的合金。碳基材料层为碳纤维结构或者石墨烯结构复合材料或者碳成分为主的复合材料。镍铜基合金层包含锆Zr、钛Ti、铌Nb、钒V强化剂中的至少一种。该结构同时具有熔点高、强度高、耐腐蚀性良好、力学性能高等优点。