公开(公告)号：CN118104412A

公开(公告)日：2024-05-28

申请号：CN202180103283.0

申请日：2021-10-21

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 米村祥吾 ,  柴田龙雄 ,  大田实

IPC: H10B61/00 ,  H01L27/105 ,  G11C11/16 ,  H01L29/82 ,  H10N50/10

Abstract: 本实施方式的磁畴壁移动元件具备：包含第一铁磁性层且沿第一方向延伸的配线层、第二铁磁性层、以及被所述配线层与所述第二铁磁性层夹着的间隔层。在用与所述第一方向正交的面切断所述配线层而得的任一个剖面中，宽度方向的中央处的所述配线层的第一厚度比与所述中央相比靠所述宽度方向的外侧的第一外周部处的所述配线层的第二厚度薄。

公开(公告)号：CN117642055A

公开(公告)日：2024-03-01

申请号：CN202310831474.X

申请日：2023-07-07

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 米村祥吾 ,  柴田龙雄 ,  山田章悟

IPC: H10N50/10 ,  H10N50/85 ,  H10N59/00 ,  H10B61/00

Abstract: 该磁畴壁移动元件具备：第一铁磁性层、非磁性层、第二铁磁性层、第一磁化固定部、第二磁化固定部、第一表面层、第二表面层，所述第一铁磁性层和所述第二铁磁性层夹持所述非磁性层，所述第二铁磁性层具有在内部形成有磁畴壁的区域，所述第一磁化固定部与所述第二铁磁性层相接，所述第二磁化固定部在不同于所述第一磁化固定部的位置与所述第二铁磁性层相接，所述第一磁化固定部比所述第二磁化固定部厚，所述第一表面层与所述第一磁化固定部的第一面相接，所述第二表面层与所述第二磁化固定部的第一面相接，所述第一表面层的与所述第一磁化固定部相接的部分的结构原子与所述第二表面层的与所述第二磁化固定部相接的部分的结构原子不同。

公开(公告)号：CN117597748A

公开(公告)日：2024-02-23

申请号：CN202280007863.4

申请日：2022-06-09

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 佐佐木智生 ,  柴田龙雄 ,  中田胜之

IPC: H01F17/00

Abstract: 该自旋电感器具备具有第一电感器层、间隔层、以及第二电感器层的层叠体。所述第一电感器层具备第一配线层和与所述第一配线层相接的第一铁磁性层。所述第二电感器层具备第二配线层和与所述第二配线层相接的第二铁磁性层。所述间隔层被所述第一铁磁性层和所述第二配线层夹持。

公开(公告)号：CN111512311B

公开(公告)日：2023-10-13

申请号：CN201880082896.9

申请日：2018-12-12

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 柴田龙雄

IPC: G06G7/60 ,  G06N3/065 ,  H10B61/00 ,  H10N50/10

Abstract: 本发明提供在应用于神经网络的情况下，能够正确地检测可能大幅损坏神经网络的性能的故障的积和运算器。积和运算器(1)具备积运算部(10)、和运算部(11)、故障判断部(12)，积运算部(10)具备多个积运算元件(10AA～10AC)，多个积运算元件(10AA)～(10AC)各自为电阻变化元件。和运算部(11)具备检测来自多个积运算元件(10AA)～(10AC)的输出的合计值的输出检测器(11A)。故障判断部(12)在输出检测器(11)检测的上述合计值超过规定值的情况下，判断为故障产生。上述规定值是在多个积运算元件(10AA～10AC)全部正常动作的情况下，输出检测器(11)能够检测的上述合计值的最大值以上的值。

公开(公告)号：CN113793896A

公开(公告)日：2021-12-14

申请号：CN202110565671.2

申请日：2021-05-24

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 芦田拓也 ,  柴田龙雄

IPC: H01L43/08 ,  H01L27/22

Abstract: 本发明提供一种可靠性高的磁畴壁移动元件及磁存储阵列。本实施方式的磁畴壁移动元件从靠近基板的一侧起依次层叠有第一铁磁性层、非磁性层、第二铁磁性层，从层叠方向俯视，在沿着与所述第一铁磁性层延伸的第一方向正交的第二方向切断的切断面上，所述第一铁磁性层的所述第二方向的最短宽度比所述非磁性层的所述第二方向的宽度短。

公开(公告)号：CN112913003A

公开(公告)日：2021-06-04

申请号：CN201980066337.3

申请日：2019-10-03

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 大田实 ,  柴田龙雄

IPC: H01L21/8239 ,  H01L27/105

Abstract: 本实施方式涉及的磁记录层在内部具有磁畴壁且含有稀有气体元素。

公开(公告)号：CN110797059A

公开(公告)日：2020-02-14

申请号：CN201910593777.6

申请日：2019-07-03

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 山田章悟 ,  佐佐木智生 ,  寺崎幸夫 ,  柴田龙雄

IPC: G11C11/15 ,  G11C11/56 ,  H01L43/08

Abstract: 本发明提供一种磁壁移动型磁记录元件，其具备：在第一方向上层叠的第一磁化固定部、在与所述第一方向交叉的第二方向上延伸且包含磁壁的磁记录层、夹持于所述第一磁化固定部和所述磁记录层之间的非磁性层、和与所述磁记录层电连接的第一通孔部，从所述第一方向俯视，所述第一通孔部的至少一部分位于在所述第二方向上从所述第一磁化固定部离开的位置，从所述第一方向俯视，所述磁记录层具有包含与所述第一磁化固定部重叠的位置的第一部分，在与所述第二方向正交的第三方向上，所述第一通孔部的宽度比所述磁记录层的第一部分的所述位置的宽度宽。

公开(公告)号：CN110268515A

公开(公告)日：2019-09-20

申请号：CN201880002746.2

申请日：2018-01-12

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 柴田龙雄

IPC: H01L21/8239 ,  H01L27/105 ,  H01L43/08

Abstract: 一种磁壁移动型磁记录元件，其中，具备：第一铁磁性层，其包含铁磁性体；磁记录层，其沿与所述第一铁磁性层的层叠方向交叉的第一方向延伸，并且包含磁壁；非磁性层，其夹持于所述第一铁磁性层和所述磁记录层之间，所述第一铁磁性层在所述第一方向的至少第一端部具有磁通供给区域。

公开(公告)号：CN107919434A

公开(公告)日：2018-04-17

申请号：CN201710914552.7

申请日：2017-09-30

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 柴田龙雄

IPC: H01L43/08 ,  H03B15/00

Abstract: 本发明旨在提供一种频率特性稳定且工作能量被大幅度降低了的频率可变磁电阻效应元件及利用该元件的器件。本发明的频率可变磁电阻效应元件包括：磁电阻效应元件、对所述磁电阻效应元件施加磁场的磁场施加机构、对所述磁电阻效应元件施加电场的电场施加机构、及与所述电场施加机构连接并向所述电场施加机构供给大小及/或极性不同的电压的控制端子。所述磁电阻效应元件包含具有电磁效应的反铁磁性物质或亚铁磁性物质。所述磁电阻效应元件通过改变从所述控制端子供给的电压的大小及/或极性，控制所述磁电阻效应元件的自旋扭矩振荡频率或自旋扭矩共鸣频率。

公开(公告)号：CN113793896B

公开(公告)日：2025-02-25

申请号：CN202110565671.2

申请日：2021-05-24

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 芦田拓也 ,  柴田龙雄

IPC: H10N50/10 ,  H10B61/00

Abstract: 本发明提供一种可靠性高的磁畴壁移动元件及磁存储阵列。本实施方式的磁畴壁移动元件从靠近基板的一侧起依次层叠有第一铁磁性层、非磁性层、第二铁磁性层，从层叠方向俯视，在沿着与所述第一铁磁性层延伸的第一方向正交的第二方向切断的切断面上，所述第一铁磁性层的所述第二方向的最短宽度比所述非磁性层的所述第二方向的宽度短。