-
公开(公告)号：CN113363377B
公开(公告)日：2022-12-06
申请号：CN202110540745.7
申请日：2021-05-18
申请人： 杭州电子科技大学
摘要： 本发明涉及纳米自旋电子器件领域，针对铁磁斯格明子的纳米振荡器振荡频率低的问题，提供一种基于铁磁斯格明子手性转换的微波振荡器，微波振荡器为柱状多层膜结构，包括将垂直穿过的电流极化生成极化电流的固定层，设置在固定层下面的隧穿绝缘层和设置在隧穿绝缘层下面的自由层；所述自由层为承载斯格明子的铁磁纳米盘，磁矩方向与多层纳米磁盘所在平面垂直。本发明以斯格明子的手性转换及呼吸模式输出振荡信号，振荡信号到达几十GHz；运算器以能发生手性转换的斯格明子为基础，极大地缩小了器件的尺寸，提高了输出频率；输出频率可通过调控电流密度或自由层的材料参数进行调节。
-
公开(公告)号：CN111969954B
公开(公告)日：2022-10-21
申请号：CN202010804256.3
申请日：2020-08-12
申请人： 北京航空航天大学合肥创新研究院
摘要： 本发明公开了一种基于滤波器的自旋纳米振荡器同步方法，包括磁性薄膜组成的耦合薄膜和位于耦合薄膜之上的非磁性重金属薄膜，至少两组以上所述自旋纳米振荡器以并联的形式连接并在所述自旋纳米振荡器的信号输出端设置带通滤波器，将多个所述自旋纳米振荡器发射出的信号进行滤波，所述带通滤波器的输出端通过电磁线圈产生平行于自旋纳米振荡器固定层磁矩的磁场，通过该磁场对分别对所述自旋纳米振荡器产生反馈作用，实现多个自旋纳米振荡器的同步。本发明通过设置滤波器可以对不同频率的信号产生稳定的相移，不需要产生很强的反馈磁场即可使自旋纳米振荡器同步，由于相移对于同步的影响较大，产生稳定的相移可以极大的降低热噪声的影响。
-
公开(公告)号：CN108292703B
公开(公告)日：2022-03-29
申请号：CN201680068769.4
申请日：2016-11-25
申请人： TDK株式会社
IPC分类号： H01L43/08 , G11B5/39 , H01L21/8246 , H01L27/105 , H01L29/82 , H03B15/00
摘要： 本发明提供一种自旋流磁化反转元件，具备：第一铁磁性金属层，可改变磁化方向；自旋轨道转矩配线，沿着相对于上述第一铁磁性金属层的法线方向即第一方向交叉的第二方向延伸，且与第一铁磁性金属层接合，上述自旋轨道转矩配线的材料为以式AxB1‑x表示的二元合金、金属碳化物或金属氮化物，上述A为选自Al、Ti、及Pt的元素，上述B为选自Al、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Y、Ru、Rh、及Ir的元素，且为具有空间群Pm‑3m或Fd‑3m的对称性的立方晶结构，或上述A为选自Al、Si、Ti、Y、及Ta的元素，上述B为选自C、N、Co、Pt、Au及Bi的元素，且为具有空间群Fm‑3m的对称性的立方晶结构。
-
公开(公告)号：CN113363377A
公开(公告)日：2021-09-07
申请号：CN202110540745.7
申请日：2021-05-18
申请人： 杭州电子科技大学
摘要： 本发明涉及纳米自旋电子器件领域，针对铁磁斯格明子的纳米振荡器振荡频率低的问题，提供一种基于铁磁斯格明子手性转换的微波振荡器，微波振荡器为柱状多层膜结构，包括将垂直穿过的电流极化生成极化电流的固定层，设置在固定层下面的隧穿绝缘层和设置在隧穿绝缘层下面的自由层；所述自由层为承载斯格明子的铁磁纳米盘，磁矩方向与多层纳米磁盘所在平面垂直。本发明以斯格明子的手性转换及呼吸模式输出振荡信号，振荡信号到达几十GHz；运算器以能发生手性转换的斯格明子为基础，极大地缩小了器件的尺寸，提高了输出频率；输出频率可通过调控电流密度或自由层的材料参数进行调节。
-
公开(公告)号：CN107104181B
公开(公告)日：2020-01-03
申请号：CN201710096991.1
申请日：2017-02-22
申请人： TDK株式会社
摘要： 本发明公开了一种磁阻效应器件，旨在提供一种能够实现利用了磁阻效应元件的高频滤波器等高频器件的磁阻效应器件。本发明的技术要点是，磁阻效应器件(100)的特征在于，具备：具有磁化固定层(2)、隔离层(3)及磁化自由层(4)的磁阻效应元件(1a)、第一端口(9a)、第二端口(9b)、与第一端口(9a)连接，供与输入至第一端口(9a)的高频信号相对应的高频电流流动的第一信号线路(7a)、第二信号线路(7b)、直流电流输入端子(11)，磁阻效应元件(1a)以由第一信号线路(7a)产生的高频磁场施加在磁化自由层(4)的方式配置，磁阻效应元件(1a)和第二端口(9b)经由第二信号线路(7b)相连接，直流电流输入端子(11)与磁阻效应元件(1a)连接。
-
公开(公告)号：CN108292705A
公开(公告)日：2018-07-17
申请号：CN201680068794.2
申请日：2016-11-25
申请人： TDK株式会社
IPC分类号： H01L43/08 , G11B5/39 , H01L21/8246 , H01L27/105 , H01L29/82 , H03B15/00
CPC分类号： G11B5/39 , H01L27/105 , H01L29/82 , H01L43/08 , H03B15/00
摘要： 本发明的自旋流磁化反转元件中，具备：磁化方向可变的第二铁磁性金属层(1)；向相对于上述第二铁磁性金属层(1)的垂直于平面的方向交叉的方向延伸，且接合于上述第二铁磁性金属层(1)的自旋轨道力矩配线(2)，上述自旋轨道力矩配线层(2)的、接合于上述第二铁磁性金属层(1)的接合部分的自旋电阻比上述第二铁磁性金属层(1)的自旋电阻大。
-
公开(公告)号：CN107919434A
公开(公告)日：2018-04-17
申请号：CN201710914552.7
申请日：2017-09-30
申请人： TDK株式会社
发明人： 柴田龙雄
摘要： 本发明旨在提供一种频率特性稳定且工作能量被大幅度降低了的频率可变磁电阻效应元件及利用该元件的器件。本发明的频率可变磁电阻效应元件包括：磁电阻效应元件、对所述磁电阻效应元件施加磁场的磁场施加机构、对所述磁电阻效应元件施加电场的电场施加机构、及与所述电场施加机构连接并向所述电场施加机构供给大小及/或极性不同的电压的控制端子。所述磁电阻效应元件包含具有电磁效应的反铁磁性物质或亚铁磁性物质。所述磁电阻效应元件通过改变从所述控制端子供给的电压的大小及/或极性，控制所述磁电阻效应元件的自旋扭矩振荡频率或自旋扭矩共鸣频率。
-
公开(公告)号：CN107104181A
公开(公告)日：2017-08-29
申请号：CN201710096991.1
申请日：2017-02-22
申请人： TDK株式会社
摘要： 本发明公开了一种磁阻效应器件，旨在提供一种能够实现利用了磁阻效应元件的高频滤波器等高频器件的磁阻效应器件。本发明的技术要点是，磁阻效应器件(100)的特征在于，具备：具有磁化固定层(2)、隔离层(3)及磁化自由层(4)的磁阻效应元件(1a)、第一端口(9a)、第二端口(9b)、与第一端口(9a)连接，供与输入至第一端口(9a)的高频信号相对应的高频电流流动的第一信号线路(7a)、第二信号线路(7b)、直流电流输入端子(11)，磁阻效应元件(1a)以由第一信号线路(7a)产生的高频磁场施加在磁化自由层(4)的方式配置，磁阻效应元件(1a)和第二端口(9b)经由第二信号线路(7b)相连接，直流电流输入端子(11)与磁阻效应元件(1a)连接。
-
-
公开(公告)号：CN101300735B
公开(公告)日：2011-11-09
申请号：CN200680040970.8
申请日：2006-10-31
发明人： 贝纳德·迪耶尼 , 阿利娜-马里亚·德亚克-伦纳
CPC分类号： H01L43/08 , B82Y25/00 , H01F10/3268 , H03B15/006 , Y10T428/1121
摘要： 本发明公开了一种射频振荡器，包括自旋极化电流在其中流动的磁阻器件。该器件包括至少如下层的叠层：第一所谓的“锚定”磁层(1)，其具有固定的磁化方向；第二磁层(2)；非磁层(3)，其插入在上述两个层之间，旨在保证所述层的磁去耦合。该振荡器还包括使所述层中电子的流动垂直于这些层、并且如果可应用对该结构施加外部磁场的装置。对于波长等于或小于流过构成磁阻器件的叠层的电流的圆锥或圆柱范围的磁激励，第二磁层(2)具有比在具有相同几何形状的相同材料的单一层中测得的阻尼因子至少大10％的高激励阻尼因子。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
61 条记录 (耗时 0.026 秒)
