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    永久磁铁以及电动机
    22.
    发明授权
    永久磁铁以及电动机 有权

    公开(公告)号：CN105047343B

    公开(公告)日：2018-01-02

    申请号：CN201510159582.2

    申请日：2015-04-03

    Applicant: TDK株式会社

    Inventor： 田中大介 ,  榎户靖

    IPC: H01F1/057 ,  H01F1/08 ,  B22F3/00

    CPC classification number: H02K1/02 ,  C22C28/00 ,  C22C30/02 ,  C22C33/0278 ,  C22C38/002 ,  C22C38/005 ,  C22C2202/02 ,  H01F1/0577

    Abstract: 本发明不使用重稀土并且通过形成大量含有Ce的晶界相，从而以资源丰富且廉价的材料而提供一种具有充分高的矫顽力的R‑T‑B系永久磁铁以及具备该R‑T‑B系永久磁铁的电动机。本发明提供的永久磁铁，其特征在于，含有由R2T14B结构构成的主相(R为Y、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd中的至少1种元素，T为以Fe为必须或者以Fe和Co为必须的1种以上的过渡金属元素)、和由CexM1‑x(M为Mg、Al、Si、Ti、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Ga、Y、Zr、Nb、Mo、Ag、In、Sn、La、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Hf、Ta、W、Bi中的至少1种元素，x为0.20≤x≤0.55)构成的晶界相，并且所述晶界相相对于全部磁铁结构组织的截面积比Atre为0.03＜Atre＜0.07。

    R-T-B系永久磁铁和旋转电机
    23.
    发明公开
    R-T-B系永久磁铁和旋转电机 有权

    公开(公告)号：CN105047344A

    公开(公告)日：2015-11-11

    申请号：CN201510187579.1

    申请日：2015-04-20

    Applicant: TDK株式会社

    Inventor： 桥本龙司 ,  榎户靖 ,  西川健一

    IPC: H01F1/057 ,  H01F1/08 ,  B22F3/00

    CPC classification number: H01F1/34 ,  C22C33/0278 ,  C22C38/005 ,  C22C2202/02 ,  H01F1/0577

    Abstract: 本发明提供一种R-T-B系永久磁铁，其具备高剩余磁通密度并且具备低矫顽力，由小的外部磁场就能够使磁力可逆性地变化，适合作为可变磁通电动机用的磁力可变磁铁。通过选择由Y、La、Ce中的1种以上构成的稀土元素作为R-T-B系永久磁铁中的稀土元素R中的规定量，进一步以规定量添加作为添加元素的Al、Cu、Zr、Hf、Ti中的至少1种，从而就能够制得适合作为可变磁通电动机用的可变磁铁的剩余磁通密度高并且矫顽力低的永久磁铁。

    R-T-B系烧结磁铁
    24.
    发明公开
    R-T-B系烧结磁铁 无效

    公开(公告)号：CN104112556A

    公开(公告)日：2014-10-22

    申请号：CN201410160456.4

    申请日：2014-04-21

    Applicant: TDK株式会社

    Inventor： 榎户靖 ,  大泽明弘

    IPC: H01F1/057 ,  H01F1/08

    CPC classification number: H01F1/0536 ,  H01F1/0577

    Abstract: 本发明提供一种与现有的R-T-B系磁铁相比较兼具高的耐蚀性和磁特性的永久磁铁。其是一种R-T-B系烧结磁铁（其中，R以Y（钇）和R1为必须，R1是以Nd为必须的不包含Y的稀土类元素中的至少1种，T为以Fe为必须或者以Fe和Co为必须的1种以上的过渡金属元素），通过在R中的R1:Y比以烧结体组成的摩尔比为80:20到35:65而使Y在三相点偏析，其通过氧化来防止晶界相的腐蚀。

    光子晶体的制造方法和光子晶体
    25.
    发明授权
    光子晶体的制造方法和光子晶体 失效

    公开(公告)号：CN100385256C

    公开(公告)日：2008-04-30

    申请号：CN200480000872.2

    申请日：2004-06-15

    Applicant: TDK株式会社

    Inventor： 榎户靖

    IPC: G02B1/02

    Abstract: 在含有第1电介质的坯片(11)上形成在厚度方向贯通的规定图案的孔(h)。接着，通过将形成了规定图案的孔(h)的坯片(11)进行层叠，得到周期地排列了规定图案的空隙的电介质块(13)。其次，使电介质块(13)的空隙内配置第2电介质。据此不需要特别复杂的工序就能够得到周期地配置了第1电介质、和具有与第1电介质不同的介电常数的第2电介质的光子晶体。通过使第1电介质和第2电介质均为介电陶瓷，能够得到小型且高特性的光子晶体。另外，也可以使第1电介质为介电陶瓷、使第2电介质为空气。

    2维光子晶体
    27.
    发明公开
    2维光子晶体 失效

    公开(公告)号：CN1701246A

    公开(公告)日：2005-11-23

    申请号：CN200480000910.4

    申请日：2004-01-09

    Applicant: TDK株式会社

    Inventor： 榎户靖 ,  中畑功

    IPC: G02B1/02

    CPC classification number: G02B6/1225 ,  B33Y80/00 ,  B82Y20/00

    Abstract: 本发明提供一种2维光子晶体，其在将短边(X1)的长为(x1)、长边(Y1)的长为(y1)的长方形作为单元晶格、且邻接的4个单元晶格排列成共有1个角的平面上，将具有短边(X2)的长为(x2)、长边(Y2)的长为(y2)的长方形截面的柱状的第1电介质区配置在各长方形单元晶格(L)的短边(X1)和长边(Y1)上。在该2维光子晶体中，配置第1电介质区使长方形截面的中心与短边(X1)的中点及长边(Y1)的中点大体一致；且各第1电介质区的长边(Y2)彼此大致平行。

    光子晶体的制造方法和光子晶体
    28.
    发明公开
    光子晶体的制造方法和光子晶体 失效

    公开(公告)号：CN1701245A

    公开(公告)日：2005-11-23

    申请号：CN200480000872.2

    申请日：2004-06-15

    Applicant: TDK株式会社

    Inventor： 榎户靖

    IPC: G02B1/02

    Abstract: 在含有第1电介质的坯片(11)上形成在厚度方向贯通的规定图案的孔(h)。接着，通过将形成了规定图案的孔(h)的坯片(11)进行层叠，得到周期地排列了规定图案的空隙的电介质块(13)。其次，使电介质块(13)的空隙内配置第2电介质。据此不需要特别复杂的工序就能够得到周期地配置了第1电介质、和具有与第1电介质不同的介电常数的第2电介质的光子晶体。通过使第1电介质和第2电介质均为介电陶瓷，能够得到小型且高特性的光子晶体。另外，也可以使第1电介质为介电陶瓷、使第2电介质为空气。

    R-T-B系烧结磁铁
    30.
    发明授权
    R-T-B系烧结磁铁 有权

    公开(公告)号：CN108417334B

    公开(公告)日：2020-03-03

    申请号：CN201810293094.4

    申请日：2014-04-22

    Applicant: TDK株式会社

    Inventor： 榎户靖 ,  崔京九 ,  铃木健一 ,  田中大介

    IPC: H01F1/057

    Abstract: 本发明提供一种与现有的R‑T‑B系磁铁相比较不显著降低磁特性且与镀层的密接强度优异的永久磁铁。在作为R必须有R1和Ce的R‑T‑B系磁铁中，通过对作为原料的R‑T‑B系磁铁施行长时间热处理来使主相颗粒核壳化，当令核部中的R1和Ce的质量浓度分别为αR1、αCe且令所述壳部中的R1和Ce的质量浓度分别为βR1、βCe时，所述壳部中的R1和Ce的质量浓度比率(βR1/βCe＝B)与所述核部中的R1和Ce的质量浓度比率(αR1/αCe＝A)之比(B/A)为1.1以上，由此，通过Ce添加而提高与镀层的密接强度，并且抑制矫顽力下降。

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