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公开(公告)号：CN103562549B
公开(公告)日：2016-06-15
申请号：CN201280026884.7
申请日：2012-05-23
申请人： 斯奈克玛公司
发明人： 斯蒂芬·约瑟夫·苏尔巴什 , 弗雷德里克·马尚迪斯 , 迈克尔·奥贝格
IPC分类号： F03H1/00
CPC分类号： F03H1/0018 , F03H1/0062 , F03H1/0068 , F03H1/0075 , F03H1/0087
摘要： 本发明涉及霍耳效应推进器，其包括：至少一个高压气体罐（101）；压力控制模块（103）；用于控制气体流速的设备（105）；电离通道；布置成邻近电离通道的出口的阴极（40A，40B）；与电离通道相连的阳极；电源单元（110）；电滤波器（120）；和用于生成围绕电离通道的磁场的线圈。霍耳效应推进器还包括用于在阳极与阴极（40A，40B）之间施加脉冲电压的附加的电源单元（125）。
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公开(公告)号：CN103562549A
公开(公告)日：2014-02-05
申请号：CN201280026884.7
申请日：2012-05-23
申请人： 斯奈克玛公司
发明人： 斯蒂芬·约瑟夫·苏尔巴什 , 弗雷德里克·马尚迪斯 , 迈克尔·奥贝格
IPC分类号： F03H1/00
CPC分类号： F03H1/0018 , F03H1/0062 , F03H1/0068 , F03H1/0075 , F03H1/0087
摘要： 本发明涉及霍耳效应推进器，其包括：至少一个高压气体罐（101）；压力控制模块（103）；用于控制气体流速的设备（105）；电离通道；布置成邻近电离通道的出口的阴极（40A，40B）；与电离通道相连的阳极；电源单元（110）；电滤波器（120）；和用于生成围绕电离通道的磁场的线圈。霍耳效应推进器还包括用于在阳极与阴极（40A，40B）之间施加脉冲电压的附加的电源单元（125）。
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公开(公告)号：CN101999042B
公开(公告)日：2013-09-04
申请号：CN200880115839.2
申请日：2008-09-12
申请人： 塔莱斯电子设备有限公司
IPC分类号： F03H1/00 , B64G1/40 , C09K5/14 , H01J23/033
CPC分类号： F03H1/0062 , B64G1/405 , B64G1/50 , C09K5/14 , F03H1/0031 , H01J23/033
摘要： 本发明涉及一种包括电离室的离子加速器装置，所述电离室由室壁和布置在所述室壁外部的磁铁装置环绕。采取步骤导出所述室壁上产生的损耗热量，且提供有利的解决方案以用于保护所述磁铁装置的永磁元件。
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公开(公告)号：CN102439305A
公开(公告)日：2012-05-02
申请号：CN201080021990.7
申请日：2010-05-19
申请人： 斯奈克码 , 波兰科学院基础技术研究所 , 法国国家太空研究中心 , 国家科学研究中心
IPC分类号： F03H1/00
CPC分类号： F03H1/0075 , F03H1/0062 , H01J27/143 , H05H1/54
摘要： 一种霍尔效应等离子推进器，包括用于电离和加速的带有下游开口端(129)的主环形通道(120)、至少一个阴极(140)、与所述主环形通道(120)同轴的环形阳极(125)、用于将电离气体输入所述通道(120)的管(126)与集合管和用于在所述主环形通道(120)中产生磁场的磁路(131到136)，所述主环形通道(120)具有位于所述开口端(129)临近区域的内环壁部分(127)和外环壁部分(128)，该每个环壁部分均包括以层压形式形成的并置的导体或半导体环(150)，所述导体或半导体环通过绝缘细层(152)隔开。
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公开(公告)号：CN100369529C
公开(公告)日：2008-02-13
申请号：CN200380108571.7
申请日：2003-12-13
申请人： 泰雷兹电子器件有限公司
IPC分类号： H05H1/54
CPC分类号： F03H1/0062 , H05H1/54
摘要： 一种离子加速器系统，具有特殊磁场结构，其具有主要沿纵向交替和横向行进的磁力线。本发明提出了一种电离室的几何形状，它具有可以与磁力线行进适配的非圆柱形室壁。
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