具有两种调制模式的发射器及其工作方法

    公开(公告)号:CN1838546A

    公开(公告)日:2006-09-27

    申请号:CN200610067948.4

    申请日:2006-03-14

    Inventor: 潘蒙安

    Abstract: 本发明涉及一种发射器,该发射器包括双模调制器以及连接到该双模调制器的放大器。在调制器的第一调制模式下,双模调制器执行线性调制方案以产生可变包络调制信号。在调制器的第二调制模式下,双模调制器执行非线性调制方案以产生恒定包络调制信号。在第一调制模式下,将该放大器作为线性放大器加偏压,在第二调制模式下,作为非线性放大器加偏压。双模调制器和放大器之间的前馈连接用于指示调制模式的变化以调整放大器的偏压。增加恒定包络调制信号的功率,以在调制器的第一和第二模式下都能保持恒定的放大器工作点。

    高频功率放大器电路与用于高频功率放大器的电子部件

    公开(公告)号:CN1610251A

    公开(公告)日:2005-04-27

    申请号:CN200410085267.1

    申请日:2004-10-18

    Abstract: 在使用一种电流镜方法向放大FET提供偏压的高频功率放大器电路中,能够自动校正因FET沟道杂质浓度的耗散所导致的临界电压Vth的耗散、以及因短沟道效应所导致的临界电压Vth和沟道长度调制系数λ的耗散所产生的一个偏压点的偏移,并且能够减小高频功率放大特性的耗散。在使用一种电流镜方法向放大放大FET提供偏压的高频功率放大器电路中,电流模拟晶体管拥有与放大晶体管相同的沟道长度或基极宽度,并且按与放大晶体管相同的工艺加以形成。一个偏压生成电路,用于把一个根据施加于晶体管的电流所形成的一个电压与一个由把来自恒流电路的电流转换成电压的电流-电压转换元件所生成的一个参考电压加以比较,并向所述放大晶体管和电流模拟晶体管提供一个能够禁止放大晶体管的无功电流因短沟道效应或早期效应而变化的偏压。

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