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公开(公告)号：CN108604887A
公开(公告)日：2018-09-28
申请号：CN201780008734.6
申请日：2017-01-27
申请人： 杜比实验室特许公司
IPC分类号： H03F3/217 , H04S7/00 , H04R5/00 , H04R29/00 , H03G3/30 , H03G3/00 , H03F3/68 , H04R5/04 , H02M1/32 , H02M1/42 , H05B37/02 , H02M1/00 , H03F3/181
CPC分类号： H04R5/04 , H02M1/32 , H02M1/4225 , H02M1/4241 , H02M2001/007 , H02M2001/325 , H03F1/301 , H03F3/183 , H03F3/2173 , H03F3/45475 , H03F3/68 , H03F2200/03 , H03F2200/447 , H03F2200/468 , H03F2203/45512 , H03F2203/45522 , H03F2203/45528 , H03G3/007 , H03G3/3005 , H03G2201/208 , H03G2201/708 , H04R29/007 , H04R2420/05 , H04R2430/01 , H04S7/308 , H05B37/029
摘要： 一种连续时间D类调制器，在前向路径中具有嵌入式可编程逻辑装置。FPGA经配置以：通过导出用于所述调制器的同步时钟且监测1位PWM信号是否有同步锁定状态而提供同步控制；监测PWM占空比以检测过量状况且降低音频水平以消除硬削波事件；针对后续输出级实施死区带定时；使用可编程延迟线动态地控制所述1位PWM所见的净环路延迟；监测放大器输出状况以提供与所述1位PWM的比较或确定负载特性；监测前端积分器以为了最优失真(THD+N)进行修整。音频放大器的输出电路，其具有：模拟滤波器级，其包括电感器/电容器LC电路；物理连接器，其用于连接扬声器；经调谐谐振电路，其经配置以在所述输出电路上的开放负载的情况下通过提供所述LC电路的自然谐振或所述输出电路中的高频振荡的阻尼而提供用于所述输出电路的低阻抗负载；以及谐振频率检测，其耦合到所述LCR电路的输出以检测自然谐振振荡或所述高频振荡状况中的一个。所述经调谐谐振电路对在所述输出滤波器之后具有反馈的闭环D类放大器提供调制控制。
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公开(公告)号：CN108055014A
公开(公告)日：2018-05-18
申请号：CN201810058571.9
申请日：2014-04-28
申请人： 慧荣科技股份有限公司
发明人： 王巧星
CPC分类号： G05F3/16 , H03F1/301 , H03F3/45183 , H03F2200/447 , H03F2203/45286 , H03F2203/45612
摘要： 本发明公开了一种差动运算放大器以及带隙参考电压产生电路，所述差动运算放大器包含：电压调整模块，耦接在第一预定电压源与第二预定电压源之间，以第一电压调整值调整第一电压而产生第一调整后电压，并以第二电压调整值调整第二电压而产生第二调整后电压，其中所述第一电压调整值以及所述第二电压调整值相对应于温度而变化；以及差动信号运算模块，耦接在所述第一预定电压源与所述第二预定电压源之间，根据所述第一调整后电压以及所述第二调整后电压产生输出电压。差动信号运算模块可包含第一级放大器以及第二级放大器。
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公开(公告)号：CN104954035B
公开(公告)日：2018-03-30
申请号：CN201510369651.2
申请日：2015-06-29
申请人： 英特尔公司
CPC分类号： H03F1/301 , H03F3/193 , H03F3/45183 , H03F3/45659 , H03F2200/294 , H03F2200/451
摘要： 本发明公开一种直流偏压电路及使用此直流偏压电路的射频接收器电路。该直流偏压电路包括第一偏压电路和第二偏压电路。第一偏压电路包括第一偏压晶体管，以提供第一直流偏压至混频器电路的输出晶体管。第一偏压晶体管和输出晶体管为同类型的晶体管，且具有相同沟道长度。第二偏压电路包括第二偏压晶体管，以提供第二直流偏压至下一级的共栅极放大器电路的输入晶体管。第二偏压晶体管和输入晶体管为同类型的晶体管，且具有相同沟道长度。当输出晶体管和输入晶体管皆操作在饱和区时，混频器电路所输出的交流电流信号的电流值与输出晶体管的临界电压的电压值和输入晶体管的临界电压的电压值无关。
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公开(公告)号：CN107680964A
公开(公告)日：2018-02-09
申请号：CN201711084235.3
申请日：2017-11-07
申请人： 苏州科技大学
CPC分类号： H01L27/0211 , H01L23/367 , H03F1/301 , H03F1/3205 , H03F3/193 , H03F3/21
摘要： 本发明提供了一种改善功率单元温度均匀性的微波功率放大器。所述改善功率单元温度均匀性的微波功率放大器包括并联设置的多个功率单元，每个所述功率单元包括多个晶体管，相邻两个所述功率单元中晶体管的集电极均通过第一连接单元电性连接；所述第一连接单元包括从下向上依次设置的第一金属层、绝缘介质层和第二金属层，所述第一连接单元的第一层金属与降热装置相连通，所述第一连接单元的第二金属层与相邻两个所述功率单元中晶体管的集电极相连；在所述第一连接单元内，根据所述功率单元内晶体管的温度分布方向，所述第二金属层的面积沿温度降低方向逐渐减小。
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公开(公告)号：CN107134983A
公开(公告)日：2017-09-05
申请号：CN201710350481.2
申请日：2017-05-18
申请人： 华南理工大学
CPC分类号： H03F1/301 , H03F3/45179 , H03F3/45479 , H03F2200/447 , H03G3/30
摘要： 本发明公开了一种运算放大器，包括输入级电路、偏置电路及输出级电路，所述输入级电路包括差分输入模块、第一及第二增益自举模块，所述偏置电路包括偏置模块和共模反馈模块，所述输出级电路包括差分转单端模块；共模反馈模块为差分输入模块提供一个偏置电压，且具有共模反馈功能，反馈信号通过控制差分输入模块的尾电流源来消除失调电压，差分转单端模块将输入级电路输出的两个差分信号反相叠加后以单端口输出。本发明能有效提高运算放大器的增益。
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公开(公告)号：CN107112957A
公开(公告)日：2017-08-29
申请号：CN201580061296.0
申请日：2015-09-30
申请人： 高通股份有限公司
CPC分类号： H04L27/0002 , H03F1/223 , H03F1/26 , H03F1/301 , H03F1/3205 , H03F3/68 , H03F3/72 , H03F2200/111 , H03F2200/294 , H03F2200/492 , H03F2200/541 , H03F2203/7209 , H04B1/006 , H04L5/0042 , H04L27/2649
摘要： 公开了一种用于带内载波聚合的接收器前端架构。在示例性实施例中，一种装置包括第一晶体管，第一晶体管具有接收输入信号的栅极端子、输出放大信号的漏极端子、以及通过源极退化电感器连接至信号地的源极端子。该装置还包括第二晶体管，第二晶体管具有连接至第一晶体管的漏极端子的源极端子和连接至第一负载的漏极端子。该装置还包括第三晶体管，第三晶体管具有连接至第一晶体管的漏极端子的栅极端子、连接至第二负载的漏极端子和连接至信号地的源极端子。
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公开(公告)号：CN104253589B
公开(公告)日：2017-08-22
申请号：CN201310275012.0
申请日：2013-06-27
申请人： 快捷半导体(苏州)有限公司
摘要： 本发明公开了一种输出级电路，包括：供电电源、静态电流控制电路及输出端电路，所述输出级电路还包括：静态电流均衡电路，配置为检测到所述供电电源的电压发生变化时，减小或增大流经静态电流控制电路中的静态电流偏置电路的静态电流，使流经输出端电路的静态电流保持恒定。本发明同时公开了一种静态电流均衡方法、AB类放大器及电子设备，采用本发明，当供电电源的电压升高时，能使流经输出级电路的输出端电路的静态电流保持恒定，如此，能有效地升高输出端电路电流的电源抑制比(PSRR)、降低设备的功耗。
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公开(公告)号：CN107026200A
公开(公告)日：2017-08-08
申请号：CN201610833881.4
申请日：2016-09-19
申请人： 安普林荷兰有限公司
发明人： 约翰内斯·A·M·德波特
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/336
CPC分类号： H03F1/301 , H01L21/26513 , H01L21/324 , H01L27/092 , H01L29/0865 , H01L29/0878 , H01L29/0882 , H01L29/0886 , H01L29/1095 , H01L29/402 , H01L29/456 , H01L29/66681 , H01L29/7816 , H01L29/7835 , H03F3/195 , H03F3/245 , H03F2200/451
摘要： 一种半导体器件和制造半导体器件的方法。所述器件包括具有主要表面的半导体衬底。所述器件还包括位于所述主要表面的栅极。所述器件进一步包括具有第一导电类型的漏极区域。所述器件还包括具有第一导电类型的源极区域，其中，所述源极区域位于具有第二导电类型的区域内。所述器件进一步包括沟道区域，由具有第二导电类型的区域位于所述栅极之下的一部分组成。所述漏极区域沿着所述衬底的主要表面背离所述栅极横向延伸。所述漏极还在栅极、源极区域和具有第二导电类型的区域之下延伸，以便将源极区域和具有第二导电类型的区域与所述衬底的下方区域隔离开。
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公开(公告)号：CN106330119A
公开(公告)日：2017-01-11
申请号：CN201610744356.5
申请日：2016-08-26
申请人： 浙江芯迈电子科技有限公司
CPC分类号： H03F3/45179 , H03F1/301 , H03F1/3211 , H03F3/45843
摘要： 本发明涉及到提供低温度漂移特性的跨导运放电路，包括第一、第二晶体管，它们各自的第一端间连接有一对电阻，一对电阻间的互连节点和电源电压间连有主电流源。第三晶体管和第三电流源串联在第一晶体管的第一端和参考电位之间，第一电流输出晶体管的第一端耦合到第三电流源。第四晶体管和第四电流源串联在第二晶体管的第一端和参考电位间，第二电流输出晶体管的第一端耦合到第四电流源。由第一电压跟随电路输出的电压钳制第一晶体管的第一和第二端之间的漏源电压波动，由第二电压跟随电路输出的电压钳制第二晶体管的第一和第二端之间的漏源电压波动。藉由流经第一和第二电流输出晶体管各自的电流来提供一组差分输出电流。
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公开(公告)号：CN102170270B
公开(公告)日：2016-06-29
申请号：CN201110048769.7
申请日：2011-02-25
申请人： 瑞萨电子株式会社
CPC分类号： H03F3/45475 , H03F1/0266 , H03F1/301 , H03F1/56 , H03F3/195 , H03F3/245 , H03F2200/222 , H03F2200/27 , H03F2200/318 , H03F2200/387 , H03F2200/408 , H03F2200/447 , H03F2200/451 , H03F2200/453 , H03F2203/45528 , H03F2203/45594 , H03F2203/45604
摘要： 本发明提供一种高频功率放大器，其在半导体芯片上具有：与偏置控制电路(112)电流镜连接的偏置晶体管(516)和放大晶体管(513)；以及具有复制晶体管(421)的栅极长度监视电路(101)。放大晶体管(513)放大RF信号，并向偏置晶体管(516)供给偏置控制电路(112)的偏置电流。偏置晶体管(516)、放大晶体管(513)、复制晶体管(421)通过相同的半导体制造过程形成，具有相同的栅极长度偏差。栅极长度监视电路(101)生成依赖于栅极长度L的检测电压Vmon，偏置控制电路(112)根据检测电压来控制偏置电流，补偿放大晶体管(513)的跨导对栅极长度的依赖性。根据本发明，能够减轻功率放大场效应晶体管的对栅极长度的依赖性导致的功率增益变动。
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