-
公开(公告)号：CN105981172B
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：CN201480067178.6
申请日：2014-11-28
申请人： 浜松光子学株式会社
IPC分类号： H01L27/144 , G01T1/24 , H01L27/146 , H04N5/32
摘要： 放射线影像传感器(1A)包含电荷产生部(4)、将电荷产生部(4)中产生的电荷存储并传送的电路基板(3)。电路基板(3)具有半导体基板(10)、存储电荷产生部(4)中产生的电荷的电容部(5)、及配置于半导体基板(10)上的MOS型晶体管(7)。MOS型晶体管(7)包含连接于电容部(5)的一端、及与用以传送电荷的配线连接的另一端。电容部(5)包含半导体基板(10)的一部分的区域(10b)、配置于一部分的区域(10b)上且与电荷产生部(4)电连接的导电体层(31)、及夹于一部分的区域(10b)与导电体层(31)的绝缘层(22)。
-
公开(公告)号：CN110800288A
公开(公告)日：2020-02-14
申请号：CN201880043333.9
申请日：2018-06-26
申请人： 富士胶片株式会社
摘要： 本发明提供一种在检测放射线的照射开始的照射开始检测动作中能够减少信号处理电路所消耗的电力的放射线图像检测装置及其工作方法。电子暗盒(16)的控制部(54)具有将向ADC(77)的电力的供给状态在供给第1电力的相当于第1状态的运转状态与供给每单位时间的电力比第1电力低的第2电力的相当于第2状态的非运转状态之间进行切换的功能。与输出供诊断的X射线图像的图像读出动作时相比，控制部(54)减少检测X射线的照射开始的AED动作时的每单位时间T的运转状态的ADC(77)的个数。
-
公开(公告)号：CN106454166B
公开(公告)日：2019-12-06
申请号：CN201610920075.0
申请日：2016-10-21
申请人： 奕瑞影像科技(太仓)有限公司
摘要： 本发明提供一种降低探测器图像串扰的方法，从多个途径抑制图像的串扰，途径一是在现有技术的基础上延长了复位信号的复位时间，至少延长至最小复位时间；途径二是在产生的高电平的曝光使能信号结束之后且在读取第一行图像信号之前，除了提供一次长的复位信号，间隔一定时间后还提供一短的复位信号，并给剩下的每行图像信号的读取之前都有一次短的复位信号；途径三是在待机状态持续提供高电平的复位信号，同时每间隔一定时间逐行接通各行薄膜晶体管，从而复位光电二极管中的暗电流；途径四是在曝光过程中保持电荷积分运算放大器处于复位状态，使得与之相连的数据通道的电压也处于一个固定的参考电压，这样在曝光期间避免在数据通道上产生感应电荷。
-
公开(公告)号：CN106529115B
公开(公告)日：2019-10-15
申请号：CN201610807491.X
申请日：2016-09-07
申请人： 佳能株式会社
IPC分类号： G06T7/11 , G06T7/162 , G06T11/60 , G06K9/32 , G06K9/34 , H04N5/232 , H04N5/32 , A61B5/00 , A61B6/00
摘要： 本发明提供一种信息处理装置、信息处理方法以及信息处理系统。所述信息处理装置包括：报告获取单元，其适于获取报告信息，所述报告信息包括医用图像中的关注区域和与所述关注区域相关联的注释信息；相关区域获取单元，其适于获取与所述医用图像中的所述关注区域相关的区域；确定单元，其适于确定所述注释信息的显示区域的显示位置，以便不使所述注释信息的所述显示区域与所述相关区域交叠；以及显示控制单元，其适于显示包括所述注释信息的医用图像，使得在显示单元上的所述显示区域的所确定的显示位置处显示所述注释信息。
-
公开(公告)号：CN109983761A
公开(公告)日：2019-07-05
申请号：CN201780072440.X
申请日：2017-11-16
申请人： 浜松光子学株式会社
摘要： 本实施方式涉及一种光子检测器，其具备前置放大器，该前置放大器具有可防止放大器饱和的构造。前置放大器具有放大器，并且还具有分别配置于将该放大器的输入端侧与输出端侧电连接的多条配线的电容元件、n型MOSFET、及p型MOSFET。n型MOSFET的控制电极设定为第1固定电位(V1)，另一方面，p型MOSFET的控制电极设定为第2固定电位(V2)。
-
公开(公告)号：CN104299977B
公开(公告)日：2019-06-07
申请号：CN201410315832.2
申请日：2014-07-03
申请人： 索尼半导体解决方案公司
IPC分类号： H01L27/146 , H04N5/32
CPC分类号： H01L27/14643 , H01L27/14632
摘要： 本发明提供了放射线摄像装置和放射线摄像显示系统，以抑制晶体管特性劣化且实现高可靠性。该放射线摄像装置包括：多个像素，所述多个像素中的各者分别被构造成生成基于放射线的信号电荷；以及场效应晶体管，其用于从所述多个像素读出所述信号电荷。所述晶体管包括：半导体层，其包括活性层；第一栅极电极，其被设置成面对所述半导体层；第一栅极绝缘膜，其被设置于所述半导体层与所述第一栅极电极之间，且包括第一硅氧化物膜；源极电极和漏极电极，它们二者与所述半导体层电连接；以及第二硅氧化物膜，其被设置于与所述第一栅极绝缘膜不同的层中。所述第一栅极绝缘膜的所述第一硅氧化物膜是膜密度低于所述第二硅氧化物膜的膜密度的多孔膜。
-
公开(公告)号：CN106131463B
公开(公告)日：2019-05-28
申请号：CN201610728312.3
申请日：2016-08-25
申请人： 上海奕瑞光电子科技股份有限公司
摘要： 本发明提供一种非晶硅平板探测器及其图像处理方法、DR设备，所述非晶硅平板探测器应用于自动曝光探测模式下，其图像处理方法至少包括：获取曝光响应延迟时的曝光丢失信息；采集完成曝光后的原始亮场图像；利用所述曝光丢失信息对所述原始亮场图像进行丢失信息补偿。本发明在曝光感应延迟时，通过补偿初始曝光行和/或过渡带上被清空的数据信息，保证完整的曝光信息落入曝光窗口内，实现全信息的采集。另外，本发明在完成曝光后，通过拼图的方式采集原始亮场图像时，保证采集的每一行数据线上的像素点的曝光窗口一致，不会出现曝光行上下分界的阴阳现象，使得采集到的图像可以正确、有效地进行后续校正处理。
-
公开(公告)号：CN105830432B
公开(公告)日：2019-05-10
申请号：CN201480067271.7
申请日：2014-11-18
申请人： 浜松光子学株式会社
IPC分类号： H04N5/32 , G01T1/24 , H01L27/144 , H01L27/146 , H04N5/378
摘要： 相加部(53)将与配置于某像素电极部的周围的像素电极部中的特定的像素电极部连接的信号生成部(51)中生成的输入信号、和与上述某像素电极部连接的信号生成部(51)中生成的输入信号相加。载流子输入图案判别部(56)判别按每个像素电极部表示向上述某像素电极部及配置于该某像素电极部的周围的上述像素电极部的载流子的输入的有无的载流子输入图案是否与多个判别图案的任一个一致。在载流子输入图案判别部(56)中判别为载流子输入图案与多个判别图案的任一个一致且自相加部(53)输出的相加后的输入信号的大小超过规定的阈值的情况下，计数部(57)对光子数进行相加。
-
公开(公告)号：CN109716526A
公开(公告)日：2019-05-03
申请号：CN201780057582.9
申请日：2017-09-19
申请人： 夏普株式会社
发明人： 美崎克纪
IPC分类号： H01L27/146 , G01T1/20 , H01L27/144 , H04N5/32 , H04N5/374
摘要： 提供能抑制截止漏电流的X射线的摄像面板及其制造方法。摄像面板具备光电二极管，上述光电二极管包括：下部电极；光电转换层(15)，其设置于下部电极之上；以及上部电极(14b)，其设置在光电转换层(15)之上。光电转换层(15)包括第1非晶质半导体层(151)、本征非晶质半导体层(152)以及第2非晶质半导体层(153)。光电转换层(15)具有至少第2非晶质半导体层(153)的上端部(1531)比本征非晶质半导体层(152)的上端部(1521)更向光电转换层(15)的外侧突出而成的突起部(15a)。
-
公开(公告)号：CN105763818B
公开(公告)日：2019-04-16
申请号：CN201610210729.0
申请日：2016-04-06
申请人： 上海奕瑞光电子科技股份有限公司
摘要： 本发明提供一种基于FPGA的具有图像校正功能的平板探测器，所述基于FPGA的具有图像校正功能的平板探测器包括FPGA，所述FPGA内包括：原始图像获取模块，适于获取所述平板探测器采集到的原始图像；图像校正模块，与所述原始图像获取模块相连接，适于接收所述原始图像获取模块获取的原始图像，并对所述原始图像进行校正。本发明的基于FPGA的具有图像校正功能的平板探测器，图像的整个校正过程均在所述平板探测器内部完成，无需将图像模板传送至工作站，降低了FPD与工作站之间的交互流程的复杂度，从而提高了稳定性，图像保密度高，降低工作站软件开发、集成的难度；同时，大大提升了图像校正的速度，进而提升了整个图像获取流程的速度。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
711 条记录 (耗时 0.024 秒)
