-
公开(公告)号：CN109086558B
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN201811145910.3
申请日：2018-09-29
申请人： 杭州电子科技大学
IPC分类号： G06F30/36
摘要： 本发明公开了一种对数型局部有源忆阻器仿真器。本发明包括集成运算放大器U1、集成运算放大器U2、乘法器U3、乘法器U4、乘法器U5、乘法器U6和元器件电阻、电容、二极管。集成运算放大器U1用于反相加法运算、积分运算和反相放大运算；集成运算放大器U2用于实现反相加法运算、反相放大运算和对数运算；乘法器U3、U4、U5、U6用于实现信号的乘法运算。该仿真器模型利用集成运算放大器和乘法器等器件构建了满足局部有源忆阻器特性的模拟电路，可应用于忆阻器基础电路特性的研究。
-
公开(公告)号：CN118193913A
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202410407883.1
申请日：2024-04-07
申请人： 北京华大九天科技股份有限公司
IPC分类号： G06F17/15 , G06F18/2131 , G06F30/36
摘要： 一种Nport建模过程中计算时域信号卷积的方法，包括以下步骤：通过插值的方法对离散的冲激响应频谱进行插值，得到均匀频点上的频谱；对所述均匀频点上的频谱加窗函数调制，得到加窗后的频谱；对加窗后的频谱进行频率延拓后，通过傅里叶逆变换得到时域的冲激响应函数；修正所述时域的冲激响函数在零点时刻的值，得到修正后的冲激响应函数；对输入信号和所述修正后的冲激响应函数进行卷积计算，获得输出信号。本发明的方法，通过对频域的冲激响应进行频域加窗以及修正傅里叶逆变换后得到的时域冲激响应在零点时刻的值，获得较为准确的时域冲激响应函数，从而提升计算输出信号的精度。
-
公开(公告)号：CN116306432B
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202310291761.6
申请日：2023-03-23
申请人： 北京士模微电子有限责任公司
IPC分类号： G06F30/36 , G06F119/10
摘要： 本公开涉及一种采样电路，该采样电路的输入端用于接收输入信号，其输出端与负载电路的输入端连接，该采样电路包括：变阻电路，其输入端用于接收输入信号，其输出端与负载电路的输入端连接，用于在接收到所述输入信号后的预设时间内，增加阻值。本公开提供的采样电路能够实现在保证负载电路输入端的信号的建立精度的情况下，进一步降低负载电路输入端的信号中的噪声信号的目的。
-
公开(公告)号：CN118153499A
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202410259018.7
申请日：2024-03-06
申请人： 黄飞勇
IPC分类号： G06F30/36 , G06F30/27 , G06N3/0442
摘要： 本发明公开了一种基于条件策略梯度的模拟电路端到端的自动设计方法，通过利用基于条件策略梯度的深度强化学习对模拟电路进行自动序列化决策设计，包括电路自回归生成模型、电路仿真评估模块以及设计策略控制模块；本自动设计方法通过采用结合LSTM网络和使用链式关联结构的多输出决策链的双重自回归模型得到具体元件及其位置节点，同时实现拓扑结构设计和元件尺寸参数优化；电路仿真评估模块利用SPICE电路仿真模拟程序作为监督器会根据采样电路进行性能评估；利用设置了奖励阈值的条件策略梯度来更新模型的策略参数，让其对齐以完成符合设计目标的电路自动设计；本设计方法可以自动设计经典的无源RLC滤波器，采样电路特性曲线很好地拟合了设计目标。
-
公开(公告)号：CN118153498A
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202410227996.3
申请日：2024-02-29
申请人： 浙江兆丰机电股份有限公司
IPC分类号： G06F30/36 , H02M3/00 , H02M3/335 , H02M1/08 , H02M1/38 , G06F17/10 , G06F119/06 , G06F111/04
摘要： 本发明涉及一种双向对称CLLC谐振变换器参数设计方法，所述方法包括：根据不同的应用场景，选择合适的设计目标，量化谐振参数的数学表达式；分析电感比、谐振阻抗对电压增益的影响；考虑最恶劣工况，构建多个k‑Zr可行域，取其交集，得到最终解集域；基于变换器功率损耗为出发点，确定谐振电感、励磁电感和谐振电容的值。本发明提供的双向对称CLLC谐振变换器参数设计方法在可行域的设计中，分别考虑了死区时间、变换器增益要求和软开关技术，避免了传统的过程中的反复迭代等问题，降低了CLLC谐振变换器参数设计难度的同时，在一定程度上提高了设计的精度。
-
公开(公告)号：CN118133751A
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202410253036.4
申请日：2024-03-06
申请人： 南京理工大学
IPC分类号： G06F30/36 , G06F111/04 , G06F119/08
摘要： 本发明公开了一种基于时域谱元法的GaN HEMT电热耦合高效模拟方法，结合不同的连续性条件和边界条件，利用时域谱元法推导了漂移扩散方程、泊松方程和热传导方程的具体离散格式，并引入表面电荷密度表征AlGaN/GaN异质结上的二维电子气，在固定的偏置电压下，在漏极施加正弦周期信号，通过引入温度缩放因子，实现热累积效应的加速模拟。本发明用来提升电热耦合的仿真效率，温度缩放因子取值为500时，在保证电热模拟精度的前提下，本发明所提出的模拟方法可以获得超过8倍的仿真效率。
-
公开(公告)号：CN118133747A
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202410096650.4
申请日：2024-01-23
申请人： 广州地铁集团有限公司 , 广州地铁建设管理有限公司 , 广州白云电器设备股份有限公司
IPC分类号： G06F30/36 , G06F30/39 , G06F111/08 , G06F119/08
摘要： 本发明公开了一种基于机器学习的低压开关状态评价方法，包括：S1、采集低压开关运行时的电流、功率、设备温度、环境温度和环境湿度的数据；S2、对电流、功率、环境温度和环境湿度的数据分别进行分区处理和标准化处理；S3、使用处理后的数据构建电流、功率、环境温度和环境湿度与低压开关真实温度之间关系的低压开关负荷温度模型；S4、将电流、功率、环境温度和环境湿度的新数据进行处理后输入低压开关负荷温度模型，得到低压开关的预测温度值，将其与低压开关的真实温度值进行对比，评价低压开关的运行状态。本发明可实现在设备故障初期就对低压开关开展检修排除，降低低压开关故障发生概率及影响，提升低压开关的维保效率与质量。
-
公开(公告)号：CN118100907A
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202410289036.X
申请日：2024-03-14
申请人： 电子科技大学(深圳)高等研究院
IPC分类号： H03K19/094 , H03K19/20 , G06F30/36
摘要： 本发明属于电子电路技术领域，具体涉及一种适用于GaN半桥驱动芯片分地设计的电平位移电路。本发明主要是通过分地设计，设计驱动芯片逻辑部分的参考地为SGNG，驱动芯片功率回路部分的参考地为PGND，并且参照SGND的5V电源轨为VDD5，参照PGND的5V电源轨为VDDL，输入电源VCC为9～20V电源轨，通过设计的电流镜在各自稳固的电压域中，对IN信号和其产生的电流信息进行处理，避免SGND和PGND之间的压差对信号处理造成干扰。本发明能在高地弹的GaN半桥栅驱动芯片中稳定工作。
-
公开(公告)号：CN118094851A
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202310945088.3
申请日：2023-07-28
申请人： 富士通株式会社
发明人： 渡部康弘
IPC分类号： G06F30/20 , G06F30/36 , G06F111/06
摘要： 公开了数据处理设备、数据处理方法和可读存储介质。数据处理设备被配置成：针对包括在评价函数中的多个状态变量中的每个状态变量，获取组合优化问题的评价函数的值的改变量，每次多个状态变量中的一个状态变量被改变时，更新多个状态变量中的该一个状态变量的局部字段的值，获取改变量的累积值，基于累积值确定是否接受等于或大于2的第一数目的多个状态变量的值的改变，并且在不接受第一数目的值的改变的情况下，将局部字段的经更新的值恢复为特定时间点处的局部字段的值。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
749 条记录 (耗时 0.017 秒)
