公开(公告)号：CN109286444B

公开(公告)日：2022-09-20

申请号：CN201810789986.3

申请日：2018-07-18

Applicant: 住友电工光电子器件创新株式会社

Inventor： 寺西良太

IPC: H04B10/291 ,  H04B10/293 ,  G02B6/42

Abstract: 本发明公开了一种控制光放大系统的方法，其处理具有PAM4模式的光信号。光放大系统包括可变光衰减器(VOA)和半导体光放大器(SOA)。VOA衰减光信号使得对应于PAM4信号的物理层级之一的该光信号的最大光功率变为等于预设光层级，SOA针对该预设光层级可以线性操作。SOA可以因此利用固定的光增益来放大经过衰减的光信号。

公开(公告)号：CN114649412A

公开(公告)日：2022-06-21

申请号：CN202210278490.6

申请日：2018-09-28

Applicant: 住友电工光电子器件创新株式会社

Inventor： 中野拓真

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/40 ,  H01L21/335

Abstract: 披露了一种主要由氮化物半导体材料制成的场效应晶体管(FET)类型的半导体器件。该FET包括氮化物半导体层叠件，其设置了：主有源区和辅助有源区以及包围有源区的无源区；源电极、漏电极和栅电极；覆盖各电极和半导体层叠件的绝缘膜；以及绝缘膜上的场板。本发明的FET的特征在于所述场板通过设置在绝缘膜中的开口与辅助有源区电接触。

公开(公告)号：CN112997296A

公开(公告)日：2021-06-18

申请号：CN202080006086.2

申请日：2020-02-13

Applicant: 住友电工光电子器件创新株式会社

Inventor： 井上真吾 ,  蛯原要

IPC: H01L23/02 ,  H01L23/04 ,  H01L23/12

Abstract: 本发明公开了一种半导体装置用的封装。这一例子的封装具备：基座，具有金属制的主面；电介质的侧壁，具有与主面对向的底面；接合材料，含有银(Ag)，将基座的主面与侧壁的底面相互接合；金属制的引线，接合于与侧壁的底面相反侧的上面；及不含银(Ag)的导电层。导电层在侧壁的底面与上面之间设置于从主面的法线方向观察时与引线重合的位置。导电层与接合材料电连接，沿着底面延伸,并且从侧壁的侧面露出。

公开(公告)号：CN112912779A

公开(公告)日：2021-06-04

申请号：CN202080005819.0

申请日：2020-07-01

Applicant: 住友电工光电子器件创新株式会社

Inventor： 金丸圣

IPC: G02B6/42 ,  G02B1/00

Abstract: 光模块具备：第一光分支元件，将包含各自的偏光方向互相正交的第一偏光成分及第二偏光成分的信号光分支成所述第一偏光成分和所述第二偏光成分；第一元件，具有第一导入口，从所述第一导入口输入所述第一偏光成分；第二元件，具有第二导入口，从所述第二导入口输入所述第二偏光成分；第一聚光部，配置于所述第一光分支元件与所述第一导入口之间，朝向所述第一导入口会聚所述第一偏光成分；及第二聚光部，配置于所述第一光分支元件与所述第二导入口之间，朝向所述第二导入口会聚所述第二偏光成分。从所述第一光分支元件到所述第一聚光部为止的所述第一偏光成分的光路长度比从所述第一光分支元件到所述第二聚光部为止的所述第二偏光成分的光路长度长，所述第二聚光部的光轴方向的平均折射率比所述第一聚光部的光轴方向的平均折射率大。

公开(公告)号：CN112768520A

公开(公告)日：2021-05-07

申请号：CN202110157003.6

申请日：2018-10-16

Applicant: 住友电工光电子器件创新株式会社

Inventor： 中野拓真

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/335 ,  H01L29/20

Abstract: 公开了一种形成氮化物半导体器件的工艺。该工艺首先在一温度下通过低压化学气相沉积(LPCVD)技术在半导体层上沉积氮化硅(SiN)膜，然后在SiN膜中形成用于欧姆电极的开口。在SiN膜上制备光刻胶，其中光刻胶提供完全覆盖SiN膜中的开口的开口，该工艺将围绕SiN膜的开口的外围区域暴露于可以蚀刻半导体层的氯(Cl)等离子体以在其中形成凹槽。将用于欧姆电极的金属填充在半导体层中的凹槽内和SiN膜的外围区域。最后，在低于SiN膜的沉积温度的温度下对金属进行合金化。

公开(公告)号：CN107306009B

公开(公告)日：2021-04-13

申请号：CN201710273581.X

申请日：2017-04-24

Applicant: 住友电工光电子器件创新株式会社

Inventor： 平山雅裕

IPC: H01S5/042 ,  H01S5/024

Abstract: 本发明公开了一种具有半导体元件的光学组件以及配备有光学组件的光发射设备，光学组件具有安装在承载体上的半导体元件，该半导体元件将半导体激光二极管与电吸收调制器集成在一起。光学组件的承载体具有通过设置在承载体的侧表面中的金属与承载体顶部上的接地线连接但与光发射设备的机壳接地线电隔离的背面金属。光发射设备将多个光学组件安装在热电冷却器(TEC)的顶板上。顶板与机壳接地线电隔离。

公开(公告)号：CN112635422A

公开(公告)日：2021-04-09

申请号：CN202011379930.4

申请日：2019-09-12

Applicant: 住友电工光电子器件创新株式会社

Inventor： 松田庆太

IPC: H01L23/485 ,  H01L23/488 ,  H01L21/60

Abstract: 本发明涉及半导体器件，包括：半导体区域；位于半导体区域的表面上的金属配线；位于半导体区域的表面上的有机绝缘层，所述有机绝缘层具有第一开口，以露出金属配线的一部分；种金属层，其覆盖金属配线从第一开口露出的一部分以及有机绝缘层的第一开口的内侧面和周缘部；掩模，其覆盖种金属层的边缘，所述掩模具有第二开口，以露出种金属层的一部分；和阻挡金属层，其位于从掩模的第二开口露出的种金属层上，阻挡金属层具有与掩模的第二开口的内侧面相接触的外侧面，掩模主要包含无机介电材料，并且在平面图中，阻挡金属层位于由掩模限定的区域内，以及焊球，所述焊球位于阻挡金属层和得以保留而不被移除的掩模上。

公开(公告)号：CN107526137B

公开(公告)日：2021-03-26

申请号：CN201710475654.3

申请日：2017-06-21

Applicant: 住友电工光电子器件创新株式会社

Inventor： 日野正登

IPC: G02B6/42

Abstract: 一种光收发器包括壳体、内盖板和外盖板。壳体包括侧部和底部。内盖板与壳体组装起来，而外盖板与壳体装配起来。与壳体一起形成腔体的外盖板借助于被插入到螺孔中的螺钉与内盖板紧固起来。

公开(公告)号：CN107611773B

公开(公告)日：2021-03-09

申请号：CN201710560187.4

申请日：2017-07-11

Applicant: 住友电工光电子器件创新株式会社

Inventor： 田中宏和

IPC: H01S5/0683 ,  H01S5/0687

Abstract: 本发明公开了一种确定用于调整波长可调谐激光器的发射波长的初始参数和目标值的方法，该波长可调谐激光器能够发射大波长范围内的激光。该方法按预定次序重复对目标波长处的初始参数和目标值的评估。该评估包括如下步骤：向t‑LD提供凭经验获得的参数，确认t‑LD是否产生光束，当t‑LD产生光束时通过执行AFC和APC的反馈环来确定初始参数和目标值，或者当t‑LD不产生光束时使波长范围偏移以排除当前目标波长。

公开(公告)号：CN112103200A

公开(公告)日：2020-12-18

申请号：CN202010552960.4

申请日：2020-06-17

Applicant: 住友电工光电子器件创新株式会社

Inventor： 小栗裕之

IPC: H01L21/66 ,  G01N21/55 ,  G01N21/84 ,  G01N21/95

Abstract: 本发明涉及晶片表面检查方法、晶片表面检查装置及电子元件制造方法。所述检查晶片的表面的方法包括以下步骤：用具有三个或更多个不同波长的激光束照射晶片的表面；当晶片的表面被激光束照射时，检测来自晶片的表面的反射光；以及基于晶片的表面关于具有三个或更多个不同波长的激光束的反射率，确定晶片的表面上是否存在异物，其中，确定是否存在异物的步骤包括确定异物是金属还是非金属的步骤。