公开(公告)号：CN1946871A

公开(公告)日：2007-04-11

申请号：CN200580013068.2

申请日：2005-01-24

Applicant: 株式会社昭和真空

Inventor： 泷本昌行 ,  布施丰 ,  阿部辰弥 ,  小室弘之 ,  青名端一仁

IPC: C23C14/24 ,  F25D17/02

CPC classification number: C23C14/22 ,  F25D23/061

Abstract: 在真空蒸镀等成膜中使用的真空槽的致冷剂路径的构成中，通过减少冷却管的使用量缩短施工期间，通过缩短致冷剂路径抑制致冷剂流量的下降，其中，在包括被槽壁覆盖的槽、配置在槽内部的内部机构或配置在槽外部的外部机构、和用于冷却内部机构或外部机构的至少一个以上的致冷剂路径的装置中，其构成为，致冷剂路径的至少一部分形成槽壁的一部分。

公开(公告)号：CN203159709U

公开(公告)日：2013-08-28

申请号：CN201320122884.9

申请日：2013-03-18

Applicant: 株式会社昭和真空

Inventor： 吉田武史 ,  石塚勇史

IPC: C23C16/44 ,  C23C16/52

Abstract: 本实用新型提供原子层沉积装置。其具有光特性测定装置（41）和ALD成膜室。光特性测定装置（41）具有电源（42）、探头（43）、测定装置（44）、承载台（45）和控制部（48）。探头（43）为接受来自发光装置（10）的光的受光体。测定装置（44）测定探头（43）接受的光的同时，输出作为测定结果的色度。控制部（48）控制光特性测定装置（41）的动作整体。

公开(公告)号：CN300932370D

公开(公告)日：2009-05-27

申请号：CN200830009718.2

申请日：2008-04-03

Applicant: 株式会社昭和真空

Designer： 盐野忠久

公开(公告)号：CN300970068D

公开(公告)日：2009-07-29

申请号：CN200830009717.8

申请日：2008-04-03

Applicant: 株式会社昭和真空

Designer： 长田佑介 ,  盐野忠久 ,  伊藤诚

公开(公告)号：CN300920396D

公开(公告)日：2009-05-06

申请号：CN200830009716.3

申请日：2008-04-03

Applicant: 株式会社昭和真空

Designer： 长田佑介 ,  盐野忠久 ,  伊藤诚