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公开(公告)号：CN112959212A
公开(公告)日：2021-06-15
申请号：CN202110299881.1
申请日：2021-03-22
申请人： 万华化学集团电子材料有限公司
IPC分类号： B24B37/26
摘要： 本发明公开了一种带有优化沟槽的化学机械抛光垫及其应用，所述抛光垫包括抛光层，其具有环形抛光轨迹区、位于抛光轨迹区内的圆形中间区及抛光轨迹区外部的环形外缘区；以及位于抛光层表面的沟槽，包括圆周向沟槽及径向沟槽，所述径向沟槽呈放射状由最靠近抛光垫圆心方向的沟槽处沿半径方向向外延伸，至抛光轨迹区与环形外缘区交界处的沟槽处，由一条沟槽发散为至少两条放射状沟槽。本发明的沟槽能够在最大量存储抛光液的情况下不降低抛光碎屑的排出，从而能得到稳定的抛光速率，提高产品良率，延长抛光垫使用寿命。
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公开(公告)号：CN112757153A
公开(公告)日：2021-05-07
申请号：CN202110257516.4
申请日：2021-03-09
申请人： 万华化学集团电子材料有限公司
摘要： 本发明公开了一种多结构体化学机械抛光垫、制造方法及其应用，包括：主结构体，表面改性的次级结构体，保护结构体以及将主结构体与表面改性的次级结构体粘接起来的上连接体，和将表面改性的次级结构体与保护结构体粘接起来的下连接体。本发明表面改性的次级结构体具有优异的断裂伸长率、拉伸强度等力学性能，其厚度也更为均匀，且与连接体的粘接剥离强度更为优异，使得由所述表面改性的次级结构体制成的化学机械抛光垫的组合性能更佳。
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公开(公告)号：CN118700038A
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202411201485.0
申请日：2024-08-29
申请人： 万华化学集团电子材料有限公司
摘要： 本发明涉及化学机械抛光垫技术领域，提供一种化学机械抛光垫的抛光层及其制备方法和应用，基于本发明的制备方法制备的抛光层，能有效改善抛光过程中Profile的Edge速率，利于改善晶圆各处抛光速率的一致性。所述制备方法包括如下步骤：配制用于制备各个所述抛光层区域的多种浇注料；提供模具，所述模具的浇注腔包括多个与各个所述抛光层区域相适配的浇注区域；将所述多种浇注料分别浇注于相对应的所述浇注区域中，经固化和后处理，得到所述包括多个密度和硬度不同的抛光层区域的抛光层。
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公开(公告)号：CN116787323A
公开(公告)日：2023-09-22
申请号：CN202210264570.6
申请日：2022-03-17
申请人： 万华化学集团电子材料有限公司
摘要： 本发明提供一种化学机械抛光垫缓冲层的制备方法，包括以下步骤：a）将聚氨酯树脂、添加剂溶解在溶剂中配制成浆料；b）将浆料以一定厚度均匀涂布在无纺布上，并在第一凝固浴、第二凝固浴中分步固化成型；c）将无纺布分离并水洗烘干得到缓冲层。本发明还提供了缓冲层及含其的抛光垫在化学机械抛光中的应用，可提高抛光垫在抛光时的表面平坦度。
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公开(公告)号：CN116061101A
公开(公告)日：2023-05-05
申请号：CN202310037391.3
申请日：2023-01-09
申请人： 万华化学集团电子材料有限公司
摘要： 本发明公开了一种抛光垫用聚合物微球的处理方法，所述方法包括：在容器中提供不互溶的多种溶剂，提供空心聚合物微球体；使得所述多个空心微球体与不互溶的溶剂接触，通过搅拌超声使微球在溶剂中浸润并分层，将作为抛光垫填料的经过溶液处理的聚合物微球从特定溶剂中捞出。本发明的方法处理后的微球具有尺寸分布均匀，粒径跨度小的特点（0.9
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公开(公告)号：CN112757153B
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN202110257516.4
申请日：2021-03-09
申请人： 万华化学集团电子材料有限公司
摘要： 本发明公开了一种多结构体化学机械抛光垫、制造方法及其应用，包括：主结构体，表面改性的次级结构体，保护结构体以及将主结构体与表面改性的次级结构体粘接起来的上连接体，和将表面改性的次级结构体与保护结构体粘接起来的下连接体。本发明表面改性的次级结构体具有优异的断裂伸长率、拉伸强度等力学性能，其厚度也更为均匀，且与连接体的粘接剥离强度更为优异，使得由所述表面改性的次级结构体制成的化学机械抛光垫的组合性能更佳。
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公开(公告)号：CN114378715A
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN202011106090.4
申请日：2020-10-16
申请人： 万华化学集团电子材料有限公司
摘要： 本发明涉及一种化学机械抛光用抛光垫，该抛光垫在抛光轨迹区域内具有凸起的研磨表面。本发明抛光垫凸起的研磨表面能够使抛光层更紧密的与抛光元件中央部分接触，从而抵消抛光元件在抛光过程中因边缘位置的线速度较大而造成抛光元件各部位研磨速率不均匀的现象，降低边缘效应的产生。
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公开(公告)号：CN112318363B
公开(公告)日：2022-03-11
申请号：CN202011232817.3
申请日：2020-11-06
申请人： 万华化学集团电子材料有限公司
IPC分类号： B24B37/24
摘要： 本发明公开了一种用于化学机械抛光垫抛光层及其制备方法，其通过包含异氰酸酯预聚物、固化剂以及功能填料原料制备得到，预聚物是由二异氰酸酯和聚四氢呋喃多元醇分两步反应得到，固化剂组分是胺类交联剂，功能填料是已膨胀聚合物空心微球。由其制备的抛光层具有弹性模量随温度变化稳定、孔隙率高(微孔体积分数高)以及密度均匀的优点。
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公开(公告)号：CN113621126A
公开(公告)日：2021-11-09
申请号：CN202010380044.7
申请日：2020-05-08
申请人： 万华化学集团电子材料有限公司
IPC分类号： C08G18/75 , C08G18/76 , C08G18/48 , C08G18/30 , C08G18/12 , C08G18/38 , C08K9/04 , C08K3/04 , C08K3/22 , B24B37/20 , B24B37/24 , B24B37/26
摘要： 本发明公开一种光终点检测窗及其制备方法。所述光终点检测窗，包括异氰酸酯封端预聚物、固化剂和表面修饰纳米材料为反应原料反应得到。所述的表面修饰纳米材料为异氰酸酯表面修饰的纳米材料。所述的异氰酸酯封端预聚物，制备原料包括异氰酸酯、未修饰纳米材料与多元醇，并且不使用其它催化剂。所述的光终点检测窗能够在耐光降解、耐水解的同时仍具有较高的透光率。
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公开(公告)号：CN115056137B
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202210696735.7
申请日：2022-06-20
申请人： 万华化学集团电子材料有限公司
摘要： 本发明公开了一种具有研磨一致性终点检测窗的抛光垫及其应用，所述抛光垫包括具有抛光表面的抛光层，所述抛光层表面设有终点检测窗和三种不同形式的沟槽结构，其中，第一沟槽为抛光层表面的同心圆形圆周向沟槽；第二沟槽为围绕窗口周围的闭环状沟槽；第三沟槽为分布在终点检测窗与第二沟槽之间的不连续性沟槽。本发明的抛光垫能够避免抛光过程中由于检测窗所造成的研磨不一致性，极大降低划伤和非均匀比率。
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