-
公开(公告)号：CN119567090A
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202311141044.1
申请日：2023-09-05
Applicant: 湖北鼎汇微电子材料有限公司 , 湖北鼎龙汇盛新材料有限公司 , 湖北鼎龙控股股份有限公司
IPC: B24B37/22 , B24B37/24 , B24B37/26 , B24B37/005 , B24B49/00 , H01L21/3105
Abstract: 本发明涉及一种抛光垫及半导体器件的制造方法，其中，通过控制所述抛光层热导率介于0.04W/(m·K)～0.075W/(m·K)之间，所述抛光层沿直径方向任意一点的密度SG1与抛光层沿直径方向上的最小密度SG0的比值介于1.002～1.096之间，所述抛光层表面刻有沟槽，所述沟槽形状包含：同心圆沟槽、放射线沟槽、弧形沟槽、X‑Y网格沟槽、点阵打孔沟槽中的一种或多种组合，所述抛光层刻槽前体积V0与刻槽后体积V的差值和抛光层刻槽前体积V0的比值(V0‑V)/V0介于0.02～0.19之间，所制备出的抛光垫具备优秀的综合抛光性能，研磨速率不均一性(NU)较小，缺陷(defect)较少。
-
公开(公告)号：CN118682657A
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202411019598.9
申请日：2024-07-29
Applicant: 安徽禾臣新材料有限公司
Abstract: 本发明公开了一种硅晶片抛光用多孔吸水CMP抛光垫及其生产工艺，属于硅晶片抛光技术领域，包括基底层和抛光层，抛光层通过热熔胶粘接在基底层上。本发明解决了现有的CMP抛光垫在使用时，不能对抛光液进行有效地吸收保留及储存释放，使抛光效率低，且抛光磨损大，导致抛光效果差的问题。本发明的储液层定位在上抛光体及下抛光体内，在上抛光体上设置有流道，使导液槽通过流道和上储液槽连通，抛光液洒在抛光垫上时，抛光液经导液槽导向而流至流道内，经流道进入上储液槽内，最终浸润在储液层上，通过储液层对抛光液进行吸收保留，在抛光过程中，储液层储存的抛光液释放，可提升抛光效率，且可避免抛光垫磨损，使抛光效果好。
-
公开(公告)号：CN118528168A
公开(公告)日：2024-08-23
申请号：CN202410216063.4
申请日：2024-02-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 根据一些实施例提供一种半导体装置和抛光垫的形成方法以及化学机械抛光装置。化学机械抛光装置包括抛光垫。抛光垫包括多个第一垫部分的堆叠和多个第二垫部分的堆叠。第一垫部分和第二垫部分具有不同的硬度。第一垫部分的堆叠和第二垫部分的堆叠排列有对应于将由化学机械抛光装置抛光的结构的预定特征的图案。预定特征可包括待抛光结构的表面轮廓或材料。
-
公开(公告)号：CN118418036A
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202410137260.7
申请日：2024-01-31
Applicant: 罗门哈斯电子材料CMP控股股份有限公司
Inventor： 苏于中
IPC: B24B37/20 , B24B37/013 , B24B37/26
Abstract: 一种用于化学机械抛光的抛光垫，其包括具有顶部抛光表面、底部表面和厚度的抛光层。抛光层包括多孔抛光材料和窗口区域。透明窗口的暴露顶部表面从顶部抛光表面凹陷。透明窗口从凹陷区域延伸到抛光垫的底部表面。透明窗口是无孔的，并且邻近透明窗口的周边部分的顶部表面的一部分与透明窗口的顶部表面共面，并且透明窗口的暴露底部表面与抛光层的底部表面共面。
-
公开(公告)号：CN118305724A
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN202410598318.8
申请日：2024-05-15
Applicant: 安徽禾臣新材料有限公司
Abstract: 本发明公开了一种用于晶体表面抛光的压纹白垫及其生产工艺，属于压纹白垫技术领域，包括支撑层、弹性层和抛光层，所述抛光层粘接在弹性层的上表面，所述弹性层粘接在支撑层的上表面。本发明解决了现有的白垫在使用时，在抛光过程中易产生高温，其白垫散热性能差，使用寿命短的问题，本发明通过散热通孔和散热通道可将压纹白垫在抛光过程中产生的热量向外界散发出去，通过在散热通道内设置水冷层，使多组水冷层之间通过连通管相连通，通过进水接口可向水冷层内加入冷却水，通过水冷层内的冷却水可对压纹白垫进行水冷降温，进而可对压纹白垫进行高效散热，提升压纹白垫的散热性能，避免压纹白垫损坏，可提升压纹白垫的使用寿命。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115070608B
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202210229948.9
申请日：2022-03-10
Applicant: SK恩普士有限公司
IPC: B24B37/24 , B24B37/26 , B24D11/00 , B24B37/10 , H01L21/304
Abstract: 本发明涉及一种抛光垫、抛光垫的制备方法以及半导体器件的制造方法，所述抛光垫的抛光层内的无机成分的含量范围被限制，从而能够防止在抛光工艺中由抛光层中的无机成分导致的缺陷。另外，在制备抛光层时，未膨胀的固体发泡剂包含于抛光组合物中，在固化工艺中，所述固体发泡剂膨胀从而在抛光层中生成多个均匀的气孔，并且抛光层中的无机成分的含量范围被限制，因此能够防止在抛光工艺中发生缺陷。
-
公开(公告)号：CN111805433B
公开(公告)日：2024-05-31
申请号：CN202010226645.2
申请日：2020-03-26
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
Abstract: 本发明公开一种研磨装置以及研磨方法。研磨装置对在膜状的基材的表面形成的被研磨物进行研磨。研磨装置具有：研磨工具，其能够旋转，以作用于被研磨物；浆料喷嘴，其用于供给研磨浆料；以及研磨台，其用于将研磨工具按压于所述被研磨物。研磨台的表面被赋予了凹凸形状。
-
公开(公告)号：CN114346894B
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202111133854.3
申请日：2021-09-27
Applicant: SK恩普士有限公司
Abstract: 提供一种抛光垫，其包括：抛光层；将1g的所述抛光层加入0.3M氢氧化钾(KOH)水溶液中，并在密封容器中以150℃温度反应48h的加工组合物的核磁共振(NMR)13C光谱包括：第一峰值，在15ppm至18ppm中出现，第二峰值，在9ppm至11ppm中出现，以及第三峰值，在138ppm至143ppm中出现；并且所述第三峰值与所述第二峰值的面积比为约5：1至约10：1。所述抛光垫呈现符合所述峰值特性的物理特性，因此可以在抛光对象的抛光工艺上实现目的范围内的抛光率与缺陷防止性能。
-
公开(公告)号：CN112757154B
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN202110087557.3
申请日：2021-01-22
Applicant: 湖北鼎汇微电子材料有限公司 , 长鑫存储技术有限公司 , 湖北鼎龙控股股份有限公司
IPC: B24B37/26
Abstract: 本发明公开一种抛光垫，包括抛光层，所述抛光层包括抛光表面和位于抛光表面上的抛光单元，所述抛光单元至少为一个，抛光单元组成抛光单元群，抛光单元群的一端形成接触表面，接触表面与被研磨材料直接接触，每个抛光单元在接触表面投影为平行四边形；多个抛光单元分别组成第一部分和第二部分，第一部分沿第一方向延伸并均匀间隔，第二部分沿与第一方向平行的方向延伸并均匀间隔；并且，抛光单元的接触表面的面上具有通道，且包括第一通道和第二通道；本发明抛光垫的结构与限定的抛光单元面积比，有效面积比、有效通道体积比以及有效通道的宽度比等参数相结合时，具有优异的综合性能。
-
公开(公告)号：CN114227531B
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202111038402.7
申请日：2021-09-06
Applicant: SK恩普士有限公司
IPC: B24B37/26 , B24B37/10 , B24B37/22 , B24B37/24 , B24B37/34 , C08G18/66 , C08G18/48 , C08G18/32 , C08J9/228 , C08L75/08
Abstract: 本发明涉及抛光垫及其制备方法以及半导体器件的制备方法。提供一种抛光垫，包括抛光层；将1g的所述抛光层加入浓度为0.3M的氢氧化钾水溶液中并在密封容器中在150℃的温度下反应48小时而生成的加工组合物的核磁共振13C谱包括：在15ppm至18ppm出现的第一峰，在9ppm至11ppm出现的第二峰，在138ppm至143ppm出现的第三峰，以及在55ppm至65ppm出现的第四峰；根据规定的式1，软化控制指数为0.10至0.45。所述抛光垫具备具有符合所述软化控制指数的物性的抛光层，由此，能够在对抛光对象进行抛光时实现目标范围的抛光率和缺陷防止性能。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
753
records
(took 0.023 seconds)
