含埋藏界面缺陷的钝化钙钛矿太阳能电池及改性钙钛矿太阳能电池

    公开(公告)号:CN118695627A

    公开(公告)日:2024-09-24

    申请号:CN202410820369.0

    申请日:2024-06-24

    申请人: 三峡大学

    摘要: 本发明涉及一种通过羧甲基葡聚糖钠盐(CMD)改善电子传输与钙钛矿层之间埋藏界面缺陷的方法及其在太阳能电池中的应用,属于钙钛矿太阳能电池制备技术领域。本研究通过将CMD掺入二氧化锡(SnO2)胶体分散体中,开发了一种简单的策略来修饰SnO2/钙钛矿埋藏界面。CMD的加入可以提高SnO2的电子性能,减少非辐射复合,有效地减少埋藏界面处氧化锡和钙钛矿的缺陷,使得器件能够形成合适的能级排列,从而大大提高钙钛矿太阳能电池的性能。因此,CMD处理的钙钛矿太阳能电池器件效率从23.54%提高到24.74%,且填充因子(FF)高达84.89%,可忽略不计的迟滞效应。本研究为实现钙钛矿太阳能电池的高效率和稳定性提供了一种低成本、简便、高效的策略。

    一种提升含嵌入阴离子的钴基氢氧化物容量的方法

    公开(公告)号:CN115440510B

    公开(公告)日:2023-08-01

    申请号:CN202211110322.2

    申请日:2022-09-13

    申请人: 三峡大学

    摘要: 本发明公开了一种提升含嵌入阴离子的钴基氢氧化物容量的方法。首先采用活化溶液对含嵌入阴离子的钴基氢氧化物进行浸泡处理,得到一种由纳米线阵列和纳米片共同构成的复合结构,其中纳米片均匀填充在纳米线与纳米线之间或覆盖在纳米线阵列表面。然后对活化样品进行P掺杂处理,得到最终产物。在1M KOH电解液中对电极进行电化学性能评价,发现在10 mA/cm2电流密度下,未经任何处理的钴基氢氧化物容量仅为1.36 F/cm2,活化后容量达到3.68 F/cm2,进一步P掺杂处理后最大容量可达5.46F/cm2;同时,直接对未活化的含嵌入阴离子的钴基氢氧化物进行相同条件的P掺杂处理,其容量仅为2.88F/cm2,说明在浸泡活化及P掺杂的协同作用下,才能获得最大的比电容。

    一种带有摩擦防护颗粒超疏水涂层及其制备方法

    公开(公告)号:CN115433501A

    公开(公告)日:2022-12-06

    申请号:CN202211110342.X

    申请日:2022-09-13

    申请人: 三峡大学

    IPC分类号: C09D163/00 C09D7/61

    摘要: 本发明公开一种带有摩擦防护颗粒超疏水涂层的制备方法,其关键技术是通过在涂层内植入大粒径二氧化硅颗粒作为超疏水涂层抗摩擦保护颗粒,由此显著提高超疏水涂层耐摩擦特性。将环氧树脂溶解在丙酮中,形成环氧树脂溶液;将十八胺、不同小粒径二氧化硅颗粒、大粒径二氧化硅颗粒、十六烷基三甲氧基硅烷、环氧树脂固化剂按一定质量比加入到所制备的环氧树脂溶液中,之后在水浴中加热搅拌,由此得到超疏水涂层镀膜胶质溶液;将基片浸入到超疏水涂层镀膜胶质溶液中,采用提拉法制备薄膜;将提拉镀膜后的基片在空气中静置一段时间后放入烘箱中进行烘烤干燥,烘烤结束后便可获得一种带有摩擦防护颗粒的超疏水涂层。

    磷、碳共修饰钴基氧化物的制备方法

    公开(公告)号:CN115410838A

    公开(公告)日:2022-11-29

    申请号:CN202211101819.8

    申请日:2022-09-09

    申请人: 三峡大学

    摘要: 本发明公开了一种磷、碳共修饰钴基氧化物的制备方法。首先采用浸泡法对钴基前驱体进行碳源包覆预处理,得到经过浸泡的钴基前驱体;然后采用CVD法对经过浸泡的钴基前驱体进行磷、碳共修饰处理,得到最终产物。在1M KOH电解液中对电极进行电化学性能评价,发现在10 mA/cm2电流密度下,未经任何处理的钴基前驱体容量仅为1.8 F/cm2,而磷、碳共修饰处理后最大容量可达5 F/cm2,是未经处理的钴基前驱体电极容量的2.8倍。同时,仅对钴基前驱体进行碳修饰,其容量仅为2.8 F/cm2;仅对前驱体进行P修饰处理,其容量为3 F/cm2,说明在磷、碳共修饰的协同作用下,才能获得最大的比电容。

    一种基于PMMA多孔辐射制冷薄膜的制备方法

    公开(公告)号:CN113698645B

    公开(公告)日:2022-11-18

    申请号:CN202110962991.1

    申请日:2021-08-20

    申请人: 三峡大学

    IPC分类号: C08J7/04 C08L33/12

    摘要: 本文提供一种基于PMMA混合多孔辐射制冷薄膜的制备方法。该辐射制冷薄膜主要以PMMA为基底采用非溶剂诱导相分离方法制备的混合多孔辐射制冷薄膜。其主要制备方法为:将固态的PMMA与溶剂四氢呋喃和非溶剂去离子水混合,磁力搅拌后使其分散均匀,得到透明溶液。用洗衣水清洗亚克力片,在清水中超声后用无水乙醇清洗,再用去离子水清洗后烘干待用。采用BEVS 1806B/150可调节刮刀,将透明的溶液滴到清洗过的亚克力表面,然后用可调节刮刀匀速刮过样品表面,形成平整涂层,放置于常温半个小时后蒸发除去四氢呋喃和水分。因为发明材料价格低廉且制备方法简单,该薄膜在户外高压电气设备,建筑外墙和顶棚、户外用品、农业大棚领域中有广阔应用前景。

    P掺杂FeS/Co3S4/Co9S8复合材料的制备方法及其应用

    公开(公告)号:CN113380552B

    公开(公告)日:2022-10-21

    申请号:CN202110547956.3

    申请日:2021-05-19

    申请人: 三峡大学

    摘要: 本发明公开了一种P掺杂FeS/Co3S4/Co9S8纳米复合材料的制备方法及在高电压水系对称超级电容器中的应用。以泡沫镍为基底,铁盐、钴盐为金属源,氟化铵和尿素为沉淀剂,硫化钠为硫化剂,次磷酸钠为无机磷源。首先获得均匀生长在泡沫镍基底上的FeS/Co3S4/Co9S8三相纳米复合材料;再使用化学气相沉积法获得具有银耳结构的P掺杂FeS/Co3S4/Co9S8纳米复合材料。将制备的P掺杂FeS/Co3S4/Co9S8纳米复合材料组装成三电极体系,在1M KOH电解液中进行电化学性能评价,在‑1~0V电位区间,最大容量高达531 F/g(10A/g),2万次循环后容量保持率为71.36%;在0~0.55V电位区间内,初始容量为1028.78F/g(10A/g),20000次循环后容量上升至2492.73F/g,即容量保持率为242.3%。

    Co3S4/Co(CO3)0.5(OH)·0.11H2O等级纳米线阵列电极材料

    公开(公告)号:CN113380553B

    公开(公告)日:2022-10-04

    申请号:CN202110568993.2

    申请日:2021-05-25

    申请人: 三峡大学

    摘要: 本发明公开了一种Co3S4/Co(CO3)0.5(OH)·0.11H2O等级纳米线阵列电极材料的制备及活化方法,以泡沫镍为基底,硝酸钴为钴源,尿素为核剂,硫脲为硫源,采用水热法,得到等级阵列结构的Co3S4/Co(CO3)0.5(OH)·0.11H2O复合电极材料:即由直径约为20nm的纳米线交缠形成直径约100nm的纳米线,纳米线均匀生长在泡沫镍上形成阵列结构。这种由多根纳米线构成的特殊等级阵列结构,比仅由100纳米直径的纳米线构成的阵列提供更多活性位点,有利于获得更大的容量;比仅由20纳米直径的纳米线构成阵列的结构更稳定,在循环过程中不易坍塌。不仅如此,通过一定条件充放电处理,样品的离子传输电阻明显下降,容量进一步增大。