公开(公告)号：CN115911044A

公开(公告)日：2023-04-04

申请号：CN202210442733.5

申请日：2022-04-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴范琎 ,  金孝珍 ,  姜明吉 ,  金真范 ,  李商文 ,  金洞院 ,  赵槿汇

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8238

Abstract: 提供一种半导体器件。该半导体器件包括：有源图案，设置在衬底上并且沿第一方向延伸；一对源/漏极图案，设置在有源图案上并且在第一方向上彼此间隔开；多个沟道层，在一对源/漏极图案之间在有源图案上竖直地堆叠并且彼此间隔开；栅电极，在一对源/漏极图案之间沿第二方向延伸，栅电极设置在有源图案上并且围绕多个沟道层，并且第二方向与第一方向相交；以及栅极间隔物，设置在多个沟道层之间并且设置在栅电极与一对源/漏极图案之间。栅极间隔物包括交替地堆叠在一对源/漏极图案的侧壁上的多个第一间隔物图案和多个第二间隔物图案。

公开(公告)号：CN115547958A

公开(公告)日：2022-12-30

申请号：CN202210257892.8

申请日：2022-03-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴范琎 ,  姜明吉 ,  金洞院 ,  赵槿汇

IPC: H01L23/48 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L23/528

Abstract: 提供了半导体装置。所述半导体装置可以包括：第一有源图案，位于基底上；位于第一有源图案上的一对第一源极/漏极图案和位于所述一对第一源极/漏极图案之间的第一沟道图案，第一沟道图案包括以堆叠形态彼此间隔开的第一半导体图案；栅电极，位于第一沟道图案上；第一栅极切割图案，与第一沟道图案相邻，第一栅极切割图案穿透栅电极；以及第一间隔件图案，位于第一栅极切割图案与第一沟道图案之间。第一间隔件图案可以包括：第一保留图案，与第一半导体图案中的至少一个第一半导体图案的最外侧表面相邻；以及第二保留图案，位于第一保留图案上。第二保留图案可以与第一栅极切割图案间隔开。

公开(公告)号：CN113013162A

公开(公告)日：2021-06-22

申请号：CN202011451826.1

申请日：2020-12-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴范琎 ,  裵东一 ,  金大元 ,  金兑映 ,  郑朱希 ,  申在训

IPC: H01L27/088 ,  H01L21/8234

Abstract: 一种半导体器件包括：有源图案，在基板上在第一方向上延伸，被分隔区域划分为多个区域，并具有朝向分隔区域暴露的第一边缘部分；第一沟道层、第二沟道层和第三沟道层，垂直地分隔开并顺序地设置在有源图案上；第一栅电极，在第二方向上延伸，与有源图案相交，并围绕第一沟道层、第二沟道层和第三沟道层；源极/漏极区，设置在有源图案上，在第一栅电极的至少一侧，并接触第一沟道层、第二沟道层和第三沟道层；半导体结构，包括交替地堆叠在有源图案上的第一半导体层和第二半导体层，并具有朝向分隔区域暴露的第二边缘部分；以及阻挡层，覆盖半导体结构的上表面、侧表面和第二边缘部分中的至少一个。