公开(公告)号：CN113013162A

公开(公告)日：2021-06-22

申请号：CN202011451826.1

申请日：2020-12-10

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 朴范琎 ,  裵东一 ,  金大元 ,  金兑映 ,  郑朱希 ,  申在训

IPC分类号： H01L27/088 ,  H01L21/8234

摘要： 一种半导体器件包括：有源图案，在基板上在第一方向上延伸，被分隔区域划分为多个区域，并具有朝向分隔区域暴露的第一边缘部分；第一沟道层、第二沟道层和第三沟道层，垂直地分隔开并顺序地设置在有源图案上；第一栅电极，在第二方向上延伸，与有源图案相交，并围绕第一沟道层、第二沟道层和第三沟道层；源极/漏极区，设置在有源图案上，在第一栅电极的至少一侧，并接触第一沟道层、第二沟道层和第三沟道层；半导体结构，包括交替地堆叠在有源图案上的第一半导体层和第二半导体层，并具有朝向分隔区域暴露的第二边缘部分；以及阻挡层，覆盖半导体结构的上表面、侧表面和第二边缘部分中的至少一个。

公开(公告)号：CN108231890B

公开(公告)日：2023-05-12

申请号：CN201711107813.0

申请日：2017-11-10

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 石城大 ,  裵金钟 ,  郑朱希

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L25/07 ,  H01L21/50 ,  H01L21/336

摘要： 一种半导体装置包括：基础衬底；隐埋绝缘膜，位于所述基础衬底上；第一半导体衬底图案，位于所述隐埋绝缘膜上；第二半导体衬底图案，位于所述隐埋绝缘膜上，所述第二半导体衬底图案与所述第一半导体衬底图案间隔开；第一装置图案，位于所述第一半导体衬底图案上；第二装置图案，位于所述第二半导体衬底图案上，所述第一装置图案与所述第二装置图案具有彼此不同的特性；隔离沟槽，位于所述第一半导体衬底图案与所述第二半导体衬底图案之间，所述隔离沟槽仅局部地延伸到所述隐埋绝缘膜内；以及下部层间绝缘膜，上覆在所述第一装置图案及所述第二装置图案上且填充所述隔离沟槽。

公开(公告)号：CN112331721A

公开(公告)日：2021-02-05

申请号：CN202010777350.4

申请日：2020-08-05

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 郑朱希 ,  金真范 ,  裵东一

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/10

摘要： 一种半导体器件，包括：在垂直方向从半导体衬底延伸的有源区域；在有源区域上彼此间隔开的源极/漏极区域；在有源区域上的源极/漏极区域之间的鳍结构；覆盖有源区域的侧表面的隔离层；栅极结构，其与鳍结构重叠并覆盖鳍结构的上表面和侧表面；以及电连接到源极/漏极区域的接触插塞，鳍结构包括：在有源区域上的下半导体区域；在下半导体区域上的具有交替的第一半导体层和第二半导体层的堆叠结构，第一半导体层的至少一个的侧表面朝向相应的中心凹入；以及在堆叠结构上的半导体盖层，半导体盖层在栅极结构与下半导体区域和堆叠结构的每个之间。

公开(公告)号：CN108231890A

公开(公告)日：2018-06-29

申请号：CN201711107813.0

申请日：2017-11-10

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 石城大 ,  裵金钟 ,  郑朱希

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L25/07 ,  H01L21/50 ,  H01L21/336

摘要： 一种半导体装置包括：基础衬底；隐埋绝缘膜，位于所述基础衬底上；第一半导体衬底图案，位于所述隐埋绝缘膜上；第二半导体衬底图案，位于所述隐埋绝缘膜上，所述第二半导体衬底图案与所述第一半导体衬底图案间隔开；第一装置图案，位于所述第一半导体衬底图案上；第二装置图案，位于所述第二半导体衬底图案上，所述第一装置图案与所述第二装置图案具有彼此不同的特性；隔离沟槽，位于所述第一半导体衬底图案与所述第二半导体衬底图案之间，所述隔离沟槽仅局部地延伸到所述隐埋绝缘膜内；以及下部层间绝缘膜，上覆在所述第一装置图案及所述第二装置图案上且填充所述隔离沟槽。

公开(公告)号：CN114068719A

公开(公告)日：2022-02-18

申请号：CN202110862180.4

申请日：2021-07-29

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 刘庭均 ,  郑朱希 ,  马在亨 ,  李南玹

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L27/088

摘要： 提供了一种半导体器件，其包括具有中心区和外围区的衬底、在中心区上的集成电路结构、以及在外围区上并围绕中心区的第一结构，其中第一结构的一部分包括：第一鳍结构，由衬底中的器件隔离区限定；第一电介质层，覆盖第一鳍结构的上表面和侧表面以及器件隔离区的上表面；在第一鳍结构上的第一栅极结构，第一栅极结构包括第一栅极导电层、覆盖第一栅极导电层的下表面和侧表面的第一栅极电介质层以及在第一栅极导电层的侧壁上的第一栅极间隔物层；以及第一绝缘结构，覆盖第一电介质层和第一栅极结构。

公开(公告)号：CN113948449A

公开(公告)日：2022-01-18

申请号：CN202110752477.5

申请日：2021-07-02

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 刘庭均 ,  朴星一 ,  郑朱希 ,  许盛祺

IPC分类号： H01L21/768

摘要： 一种半导体器件，包括：衬底，包括在第一方向上延伸并且在第一方向上彼此分隔开的第一有源区和第二有源区；器件隔离层，在衬底中处于第一有源区和第二有源区之间；以及第一栅结构和第二栅结构，在衬底上在第二方向上延伸，同时分别与第一有源区和第二有源区的端部相交。第一栅结构包括第一栅电极。第二栅结构包括第二栅电极。与第二栅结构相比，第一栅结构在第一方向上朝着器件隔离层突出得更多，并且第一栅电极的下端位于比第二栅电极的下端低的高度水平上。