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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116819689A
公开(公告)日：2023-09-29
申请号：CN202311107072.1
申请日：2023-08-30
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本申请提供一种光栅耦合器、光栅耦合反馈控制系统及其控制方法。该光栅耦合器包括硅基衬底、形成于硅基衬底上的金属反射层、形成于金属反射层上的第一氧化层、形成于第一氧化层上的光栅、形成于光栅上的第二氧化层、以及形成于第二氧化层上的扭转向列液晶透镜，扭转向列液晶透镜包括扭转向列液晶层及位于扭转向列液晶层相对两侧的电极，其中，通过在扭转向列液晶层相对两侧的电极上施加不同的外部电压，使扭转向列液晶层中的液晶分子重新排列，旋光性消逝，进而用于调节通过光纤入射至光栅耦合器的入射光的偏振态。本申请能够方便地调节入射光的偏振态。
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公开(公告)号：CN115629445B
公开(公告)日：2023-05-26
申请号：CN202211478745.X
申请日：2022-11-24
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本发明公开了一种用于大规模硅基光子芯片设计的写场拼接结构与工艺，将相邻最大曝光区域中的子系统进行光信号连通，包括与所述子系统的输出波导连接的锥形波导、设置于子系统所在最大曝光区域的对准标记、连接波导，所述连接波导用于连接相邻最大曝光区域的锥形波导，所述子系统经过波导输出的光信号经过锥形波导耦合到连接波导，然后从连接波导耦合到相邻曝光区域中的锥形波导，最后光信号传输到另一子系统中。本发明突破最大曝光面积的限制，制备出超大规模的硅基光子芯片，降低了硅基光子芯片的光电封装难度，具有高的光传输效率，对工艺的线宽要求低，具有高的工艺容差。
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公开(公告)号：CN115877505B
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN202310017831.9
申请日：2023-01-06
Applicant: 之江实验室
IPC: G02B6/12
Abstract: 本说明书公开了一种硅基光电子芯片及电子设备。针对任意两个相邻的光子系统，将其中一个光子系统作为第一光子系统，将另一个光子系统作为第二光子系统，第一光子系统与第一光子系统对应的光波导的一端相连接，第一光子系统对应的光波导的另一端连接空间折射结构的一端，空间折射结构的另一端连接第二光子系统对应的光波导的一端，第二光子系统对应的光波导的另一端与第二光子系统相连接，以使第一光子系统输出的光束，经过第一光子系统对应的光波导，通过空间折射结构，进入第二光子系统对应的光波导，输入到第二光子系统中，以连通第一光子系统与第二光子系统。本方法可以制造出更大规模的硅基光电子芯片。
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公开(公告)号：CN115629445A
公开(公告)日：2023-01-20
申请号：CN202211478745.X
申请日：2022-11-24
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本发明公开了一种用于大规模硅基光子芯片设计的写场拼接结构与工艺，将相邻最大曝光区域中的子系统进行光信号连通，包括与所述子系统的输出波导连接的锥形波导、设置于子系统所在最大曝光区域的对准标记、连接波导，所述连接波导用于连接相邻最大曝光区域的锥形波导，所述子系统经过波导输出的光信号经过锥形波导耦合到连接波导，然后从连接波导耦合到相邻曝光区域中的锥形波导，最后光信号传输到另一子系统中。本发明突破最大曝光面积的限制，制备出超大规模的硅基光子芯片，降低了硅基光子芯片的光电封装难度，具有高的光传输效率，对工艺的线宽要求低，具有高的工艺容差。
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