光栅耦合器、光栅耦合反馈控制系统及其控制方法

    公开(公告)号:CN116819689B

    公开(公告)日:2024-01-09

    申请号:CN202311107072.1

    申请日:2023-08-30

    Abstract: 本申请提供一种光栅耦合器、光栅耦合反馈控制系统及其控制方法。该光栅耦合器包括硅基衬底、形成于硅基衬底上的金属反射层、形成于金属反射层上的第一氧化层、形成于第一氧化层上的光栅、形成于光栅上的第二氧化层、以及形成于第二氧化层上的扭转向列液晶透镜,扭转向列液晶透镜包括扭转向列液晶层及位于扭转向列液晶层相对两侧的电极,其中,通过在扭转向列液晶层相对两侧的电极上施加不同的外部电压,使扭转向列液晶层中的液晶分子重新排列,旋光性消逝,进而用于调节通过光纤入射至光栅耦合器的入射光的偏振态。本申请能够方便地调节入射光的偏振态。

    模斑转换器的设计方法
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116643354A

    公开(公告)日:2023-08-25

    申请号:CN202310931917.2

    申请日:2023-07-27

    Abstract: 本申请提供一种模斑转换器的设计方法。该设计方法包括:构建模斑转换器的轮廓函数;基于模斑转换器的轮廓函数来建立模斑转换器的模型;在模斑转换器的第一侧和第二侧分别连接输入波导和输出波导,其中,输入波导的宽度大于输出波导的宽度;在输入波导处设有模式光源,用于发出预定输入功率的光;在输出波导处设有功率监视器,用于监测输出波导的输出功率;以模斑转换器的传输效率为优化目标,通过仿真优化方法来对轮廓函数中的各项参数不断地进行迭代优化以最终得到各项参数的最优解,模斑转换器的传输效率等于输出功率与输入功率的比值;及将得到的各项参数的最优解代入到轮廓函数中以设计得到模斑转换器。因此可缩短模斑转换器的长度。

    一种硅光芯片高密度光电共封装的封装结构及封装方法

    公开(公告)号:CN115632072A

    公开(公告)日:2023-01-20

    申请号:CN202211398685.0

    申请日:2022-11-09

    Abstract: 本发明公开了一种硅光芯片高密度光电共封装的封装结构及封装方法,包括硅光芯片、扇出结构基板以及转接电路模块,扇出结构基板既作为基板,又作为扇出结构,通过其底部的高密度第二电学引脚、内部电路图以及第三电学引脚,在固定硅光芯片的同时,将硅光芯片的高密度第一电学引脚扇出至第三电学引脚,并采用引线焊接方式与转接电路模块的第四电学引脚电学连接,实现电学封装,并避免封装和使用中的热失配问题。扇出结构基板的工字形状,扇出结构基板的两侧凹槽区域作为避让空间,便于硅光芯片两侧光学耦合端口与外部光纤阵列的耦合封装,满足了电学引脚、光学耦合端口高密度并存的硅光芯片及类似光芯片的封装需求。

    光芯片集成模块及其制造方法
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN119846775A

    公开(公告)日:2025-04-18

    申请号:CN202510338009.1

    申请日:2025-03-21

    Abstract: 本申请涉及光芯片集成模块及其制造方法。该方法包括:形成包括多个槽的中介结构;将至少两个光芯片分别设置于对应的槽;形成聚合物波导;以及将聚合物波导叠置于中介结构,以使一个光芯片通过聚合物波导连通至另一个光芯片。该方法易于执行,制造精度高,且工艺容差大。

    端面耦合器及光芯片系统

    公开(公告)号:CN116643350B

    公开(公告)日:2023-10-10

    申请号:CN202310931892.6

    申请日:2023-07-27

    Abstract: 本申请涉及一种端面耦合器及光芯片系统。其中,端面耦合器包括:耦合波导。所述耦合波导用于对进入所述端面耦合器的光进行模斑转换和耦合。所述耦合波导包括至少两段耦合段。随着所述耦合波导的延伸,所述耦合段的横截面的面积逐渐增加或逐渐减小。随着所述耦合波导的延伸,所述耦合段的横截面的面积逐渐增加的方向为第一方向。沿所述第一方向,所述耦合段的横截面的面积的增加速率不同。所述至少两段耦合段用于使所述耦合波导的有效面积的变化速率保持一致。根据本申请实施例,可以降低光通过端面耦合器时的耦合损耗。

    端面耦合器及其制备方法

    公开(公告)号:CN116413856A

    公开(公告)日:2023-07-11

    申请号:CN202310689847.4

    申请日:2023-06-12

    Abstract: 本申请提供一种端面耦合器及其制备方法。该端面耦合器包括超透镜、微反射镜及端面耦合器波导,超透镜用于对从光纤中传输的入射光进行相位调控以将入射光汇聚到微反射镜的表面,微反射镜用于将汇聚到表面的光进行转向并反射至端面耦合器波导的入射端面以实现模斑转换。本申请能够解决光芯片中光纤和芯片波导的模场失配问题。

    一种多层交叉布线结构的硅转接板的制备方法

    公开(公告)号:CN116153858A

    公开(公告)日:2023-05-23

    申请号:CN202211523539.6

    申请日:2022-12-01

    Abstract: 本发明涉及一种多层交叉结构的硅转接板的制备方法,通过进行硅基表面分步制作大规模的金属走线及其凸点的布局;选择的介质层如二氧化硅层和氮化硅、光敏性聚酰亚胺胶、BCB胶等介质层,作为绝缘分布于不同层间的金属走线的的绝缘介质层;金属层布线及介质层的交替布局,可以布大量金属走线,分布布局更多凸点,形成多层交错互连,凸点处于同一水平面;本发明通过在硅片表面上制备出不同膜层的硅转接板,使硅片尽可能增大线宽间距,减小工艺难度,增大线条的排布面积,增大密集度,使的在后续键合工艺中能方便容易,极大的降低了转接板的制作难度,也提高了硅转接板的利用率。

    一种基于光电芯片双面工艺的三维封装结构及封装方法

    公开(公告)号:CN115542478A

    公开(公告)日:2022-12-30

    申请号:CN202211487042.3

    申请日:2022-11-25

    Abstract: 本发明涉及光电芯片封装技术领域,特别是一种基于光电芯片双面工艺的三维封装结构及封装方法,该三维封装结构中,光电芯片之间在通过导电结构实现电连接的同时,还能够通过微型透镜实现光学端口的纵向互联,这种封装结构不限制光电芯片的片数,形成的三维封装结构不仅结构紧凑,且相比于将两个或多个芯片分别封装集成,以及将两个或多个芯片平铺进行端面耦合,封装后的结构体积更加小巧。

    基于Benes网络的大规模开光单元自动测试方法和装置

    公开(公告)号:CN115412166A

    公开(公告)日:2022-11-29

    申请号:CN202211075554.9

    申请日:2022-09-05

    Abstract: 本发明公开了一种基于Benes网络的大规模开光单元自动测试方法和装置,包括以下步骤:S1、在Benes网络的中间级与下一级之间设置监测端口;S2、通过监测端口监测阵列中每一列的一个光开关:选定一个监测端口,以交叉状态或者直通状态选定光开关路径,通过静态工作点自动查找程序找到该监测端口能监测的每个光开关位置以及输入端口位置;S3、根据监测端口得到的光开关位置以及输入端口位置,上位机控制光收发模块和电驱动模块对光开关单元电压扫描,并记录被测光开关单元上的光功率变化;这种方式减少了手动对准光纤的重复劳动和不精细度,自动化遍历Benes网络中的每一个光开关单元,极大的降低了大规模光交换芯片光开关单元校准测试的难度。

    偏振无关的模斑转换器
    10.
    发明授权

    公开(公告)号:CN116931172B

    公开(公告)日:2024-03-19

    申请号:CN202311199267.3

    申请日:2023-09-18

    Abstract: 本申请涉及一种偏振无关的模斑转换器,该模斑转换器包括:上层波导和下层波导,上层波导设置于下层波导的上方,上层波导和下层波导之间设有绝缘层;在上层波导和下层波导上下重叠的部分处,上层波导设置至少两段波导;下层波导设置至少两段与上层波导对应的波导;其中,一段波导的参数基于第一模式光而设置,另一段波导的参数基于第二模式光而设置。采用上述结构的模斑转换器能够将不同模式的光分别耦合,使模斑转换器具备偏振无关特性,改善模场失配问题。

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