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公开(公告)号：CN111982940A
公开(公告)日：2020-11-24
申请号：CN202010815745.9
申请日：2020-08-14
Applicant: 兰州大学
Abstract: 本发明公开了一种基于紧凑型D-D中子源的热中子透射成像方法及成像装置，采用紧凑型D-D中子源提供外源中子，经中子慢化体将型D-D中子源输出的2.45MeV的D-D快中子慢化为热中子或超热中子，慢化后进入D-D中子源上方中子慢化体中竖直设置的上大下小的锥形中子准直孔道内，经准直的热中子束透射被检测物体，透射穿过物体的热中子通过锥形中子准直孔道上端安装的热中子像探测器系统探测，经热中子像探测器系统转变为数字化的透射图像，得到热中子透射强度二维空间分布，进而获得被检测物体的内部结构及不同材料的空间分布情况。本发明具有可移动式、快速、准确、无损、良好空间分辨性的特点，可用于物体的无损检测。
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公开(公告)号：CN109831868A
公开(公告)日：2019-05-31
申请号：CN201910114085.9
申请日：2019-02-14
Applicant: 兰州大学
Abstract: 本发明公开了一种一体化小型氘氘中子发生器，该发生器的圆筒状陶瓷外壳内设置半球状金属头部，金属头部内设置离子源和离子源电源；金属头部的金属板与发生器底板之间设置内外两层陶瓷绝缘筒，两层陶瓷绝缘筒之间设置隔离供电系统和高压电源，内陶瓷绝缘筒内设置的引出加速电极的后端伸出发生器后与底板外设置的靶托连接，靶托内设置靶，靶位于地电位，靶托设冷却水接口。本发明中靶处于地电位，可以利用0度方向出射的氘氘快中子，降低样品和靶点的距离，提高样品面上的中子通量，冷却系统简单；且高压输出端直接与中子发生器连接，不需要对中子发生器进行馈电，提高了氘束流的能量，进一步提高了中子发生器的中子产额，一体化程度高，移动方便。
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公开(公告)号：CN104134469A
公开(公告)日：2014-11-05
申请号：CN201410308473.8
申请日：2014-07-01
Applicant: 兰州大学
IPC: G21B1/11
Abstract: 本发明公开一种用于聚变反应强流加速器中子源的强流离子束加速管。本发明强流离子束加速管由多个绝缘陶瓷环、不锈钢真空密封法兰、筒状屏蔽电极、加速电极、置于陶瓷环的端面凹槽内的O型真空密封圏及置于陶瓷环圆周外缘面上的凹槽内的O型缓冲圏的构成，各相邻的绝缘陶瓷环用压环、螺栓、螺母相互固定。本发明解决了大直径强流加速管的真空封接问题，可使加速管内部的实际真空度可达10-5Pa量级，同时完全避免了现有技术中用绝缘胶粘接技术造成的加速管抗拉强度低、易漏气、真空度不高等缺陷。
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公开(公告)号：CN109143314B
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN201810932592.9
申请日：2018-08-16
Applicant: 兰州大学 , 中国船舶重工集团公司第七一九研究所
IPC: G01T3/00
Abstract: 本发明提供一种反冲质子法快中子探测装置。该探测装置包括外壳、底座、探测器、含氢薄膜、抽气口、密封盖板、接头；该外壳为上端开口的筒体结构，且其上端部边缘具有周向向外延伸的外沿，其侧面设有向远离外壳轴心方向延伸的抽气口；该探测器包括探测器主体和信号输出端子；其中，该抽气口设置在外壳上，该外壳内设有底座，该底座上设有含氢薄膜和探测器，该探测器上设有信号输出端子，该端子与接头相连，该接头固定在密封盖板上，该密封盖板与底座上端部固定连接，且与外壳的外沿密封连接。本发明装置体积较小，结构简单，测量准确性和可靠性高。
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公开(公告)号：CN106057614B
公开(公告)日：2018-10-12
申请号：CN201610658654.2
申请日：2016-08-12
Applicant: 兰州大学
IPC: H01J27/04
Abstract: 本发明公开了一种冷阴极潘宁离子源，该冷阴极潘宁离子源阳极采用隐藏式固定结构，对阴极靠近放电室的表面采用凹形结构，阴极引出采用上下圆锥形结构；阳极上的电压通过阳极接线柱馈入，阴极板、中间电极外套、连接法兰、对阴极焊接法兰均接地，并通过陶瓷法兰和绝缘法兰保持与阳极的绝缘。本发明提高引出束流强度的同时，大大延长了离子源的使用寿命，降低了使用成本。可以引出1~5 mA的D束流，使用寿命大于500小时；所有部件均采用可拆卸式结构，可方便更换易损部件的同时，给其参数的优化留下了很大的空间，提高了整体的经济效益。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN209102917U
公开(公告)日：2019-07-12
申请号：CN201821319438.6
申请日：2018-08-16
Applicant: 兰州大学 , 中国船舶重工集团公司第七一九研究所
IPC: G01T3/00
Abstract: 本实用新型提供一种反冲质子法快中子探测装置。该探测装置包括外壳、底座、探测器、含氢薄膜、抽气口、密封盖板、接头；该外壳为上端开口的筒体结构，且其上端部边缘具有周向向外延伸的外沿，其侧面设有向远离外壳轴心方向延伸的抽气口；该探测器包括探测器主体和信号输出端子；其中，该抽气口设置在外壳上，该外壳内设有底座，该底座上设有含氢薄膜和探测器，该探测器上设有信号输出端子，该端子与接头相连，该接头固定在密封盖板上，该密封盖板与底座上端部固定连接，且与外壳的外沿密封连接。本实用新型装置体积较小，结构简单，测量准确性和可靠性高。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN208400809U
公开(公告)日：2019-01-18
申请号：CN201821319295.9
申请日：2018-08-16
Applicant: 兰州大学
Abstract: 本实用新型提供一种内置天线式高频离子源装置。该装置包括进气端子、天线、磁场线包、磁体、引出件、第一导磁固定板、第二导磁固定板、第三固定板、放电腔；其中，该进气端子连接第三固定板上，该天线套在第三固定板上，且放置在放电腔内；该放电腔的前端套设有第一导磁固定板；该第一导磁固定板和第二导磁固定板的相应位置镶嵌有磁体；贴着该第一导磁固定板缠绕磁性线包；该磁性线包的另一侧设置第二导磁固定板，该第二导磁固定板内设有引出件。本实用新型装置克服了高频信号对电源和控制系统的干扰，并保证较高单原子离子比。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN205124106U
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201520903910.0
申请日：2015-11-13
Applicant: 兰州大学
IPC: H05H3/06
Abstract: 本实用新型公开一种紧凑型D-D中子发生器。本实用新型包括：真空腔体、离子源系统、束流引出加速系统、靶系统、高压馈入系统及真空泵系统，其中由离子源产生的离子束流被引出、加速并与靶系统上的氘靶发生D-D聚变核反应放出中子，其真空腔体的两端分别用离子源阳极法兰和第二法兰与离子源系统和束流引出加速系统、靶系统、高压馈入系统实现联接，真空腔体与离子源阳极法兰和高压馈入系统法兰间通过 “O”型圈实现密封，所述的离子源为双等离子源，其内通有D气体。本实用新型中子产额可大于1×108s-1量级，并可以很方便地更换离子源或靶片等系统及其它的内设部件，同时大大降低了使用的成本。
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公开(公告)号：CN204029390U
公开(公告)日：2014-12-17
申请号：CN201420359283.4
申请日：2014-07-01
Applicant: 兰州大学
IPC: G21B1/11
Abstract: 本实用新型公开一种用于聚变反应强流加速器中子源的强流离子束加速管。本实用新型强流离子束加速管由多个绝缘陶瓷环、不锈钢真空密封法兰、筒状屏蔽电极、加速电极、置于陶瓷环的端面凹槽内的O型真空密封圏及置于陶瓷环圆周外缘面上的凹槽内的O型缓冲圏的构成，各相邻的绝缘陶瓷环用压环、螺栓、螺母相互固定。本实用新型解决了大直径强流加速管的真空封接问题，可使加速管内部的实际真空度可达10-5Pa量级，同时完全避免了现有技术中用绝缘胶粘接技术造成的加速管抗拉强度低、易漏气、真空度不高等缺陷。
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公开(公告)号：CN217562512U
公开(公告)日：2022-10-11
申请号：CN202220658635.0
申请日：2022-03-24
Applicant: 兰州大学
Abstract: 本实用新型公开了一种八极永磁体结构天线内置式RF离子源，属于离子源技术领域，有效解决了现有天线外置式RF离子源存在功率利用效率低和高频电磁辐射信号对紧凑型中子发生器电源及控制系统干扰的问题，包括放电腔体，所述放电腔体外侧壁上通过磁场线包支架设置有馈入端磁场线包、八极永磁体和引出端磁场线包，放电腔体的尾端可拆卸安装有束流引出端封装组件，其有益效果在于：通过采用前后端磁场线包和八极永磁体耦合的方式，产生的耦合磁场可形成有效地约束磁场，减小了离子源放电腔内高密度等离子体对离子源放电腔体的轰击概率，延长了离子源的使用寿命，同时通过利用束流引出端封装组件实现引出端的可拆卸安装，便于RF内置天线的安装更换。
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